磁记录介质晶粒磁相互作用参数△M及其测量方法

对于磁记录介质，记录噪声与晶粒间磁相互作用相关。△M是表征磁记录介质晶粒间磁相互作用的重要参数。首先介绍了它的理论依据和意义，接着阐述了通过振动样品磁强计测量样品的等温剩磁（IRM）和直流退磁剩磁（DCD）曲线，经过对测量数据的处理和计算获得△M曲线的方法和步骤，讨论了影响△M测量的相关问题。最后应用该方法测量了两种TbFeCo薄膜样品的△M曲线，定性比较分析了薄膜晶粒间磁相互作用的大小和类型。     

通信网络可编程性研究和实现

可编程网络的概念是对现有网络结构的一种革新,它的主要特征是允许网络节点设备运行用户化的计算模块,方便地实现网络技术的更新和业务功能的动态创新,本文主要介绍了网络可编程的思路和网络节点编程的模式,以及实现方法。     

基于H.329协议体系的可视电话系统的实现

在介绍Ｈ．３２０协议集基本结构和原理的基础上，详细地分细了在ＩＳＤＮ等窄带通信网络笔微机系统环境下基于这一协议集的可视电话系统的体系架构，并例举了几个软硬件的实现方案。     

小型高级功率放大器

我们用的术语“小型”有两方面的含意,即放大器的尺寸和功率输出都不是太大。 至于输出功率,此放大器定向于一般家庭应用。其输出功率在8Ω负载上为50瓦,在4Ω负载上为85瓦,比家庭正常使用还是要大得多。音量太高时声音可能畸变,不过大多数扬声器在距离1米处产生的声压大致是90dB,这时的输入仅为1-2瓦,但这已足以干扰邻居打电话。     

网络视频监控系统管理平台的设计*

提出了完整的视频监控系统管理平台的设计方案.该方案实现了业务与呼叫控制分离、呼叫控制与承载分离,从而能够更加灵活、有效地实现业务的提供和扩展.分别详细介绍了对应的数据处理、信令控制和业务服务模块的设计.目前这套系统已经研制成功并在社区宽带实验网上应用,运行状况良好.     

Effect of chromium interlayer on magnetic exchange coupling of SmCo/Cr/TbFeCo multilayer thin films

A series of SmCo/Cr/TbFeCo multilayer thin films with perpendicular anisotropy were prepared by RF- magnetron sputtering system, and the effects of Cr interlayer thickness on magnetic properties and interlayer exchange coupling were investigated. It was found that the magnetic properties varied with the thickness of Cr interlayer, especially the values of saturation magnetization Ms and the coercivity Hc fluctuated periodically with the thickness of Cr interlayer. STM images revealed that the variation of coercivity Hc was attributed to the microstructure change of SmCo layer influenced by Cr interlayer, and the variation of Ms was related to interlayer exchange coupling.     

一个ad hoc网络中的簇结构模式

提出一种ad hoc网络中新的簇结构模式。采用约束特征值的概念对ad hoc网络中节点移动的约束环境进行数学抽象，定义了节点属性的数学表达式。以节点的通信能力值和状态变化值作为选择簇头节点的依据，在此基础上提出了分簇算法GM-BFS，对平面ad hoc网络进行分簇，最后使用偏移度概念实现节点在簇间的移动和动态切换。     

SmCo5垂直磁记录薄膜的研究进展

SmCo5垂直磁化膜具有极高的单轴磁晶各异性,能有效克服当前垂直磁记录介质所面临的超顺磁效应问题,是未来超高密度磁记录介质的候选材料。本文叙述了SmCo5垂直磁记录薄膜制备的国内外发展现状,着重介绍了底层材料和结构对SmCo5垂直磁化膜微观结构和磁性能的影响,同时对今后SmCo5垂直磁记录薄膜的研究方向作了展望。     

磁控溅射制备Cu底层的实验研究

使用射频磁控溅射方法在载玻片上制备Cu薄膜,并通过调整其溅射参数来改变Cu薄膜的内部结构.实验结果表明:当基的片加热温度为100～150℃、薄膜厚度为405 nm、溅射功率为150～300 W时,所制得的沿(111)面择优生长的Cu薄膜的Ⅰ(111)/Ⅰ(200)均大于15,可作为SmCo5垂直磁化薄膜的衬底层.