标准数字CMOS工艺中LC谐振回路的改进和应用

提出了一种在标准数字CMOS工艺条件下,提高片上螺旋电感性能的实用方法,以及在缺少双层多晶硅电容的情况下,可以大大节约芯片面积的一种电容实现方法.介绍了这两种方法在电路设计中的一种应用,即利用0 .35 μm1P4 M标准数字CMOS工艺实现的、单片集成的L C压控振荡器.     

1.9 GHz CMOS低噪声放大器的结构分析与设计

对低噪声放大器(LNA)的结构及性能进行了详细的分析。采用SMIC 0.18μm射频CMOS工艺,设计了用于GSM1900无线接收机系统的两种不同结构的差动式LNA(电流复用式PMOS-NMOS LNA)和典型的NMOS LNA。利用Cadence-SpectreRFTM,对这两种结构的LNA进行了电路级仿真和对比分析。结果表明,在功耗相近时,PMOS-NMOS LNA能够提供比较大的电压增益,其噪声特性与NMOS LNA相近;NMOS LNA在线性度以及芯片面积上有更多的优势。     

一种改进的差分环型振荡器相位噪声模型

在Razavi模型和Weigandt模型的基础上,提出了一种改进的差分环型振荡器相位噪声模型.新模型考虑了环振非线性对相位噪声的影响,从新的角度讨论了相位噪声的三种发生机制和影响,讨论了闪烁噪声的优化方法,得到了新的相位噪声模型,并依此着重分析了对管尺寸和环振级数对相位噪声的影响.最后,分析了低噪声设计的一些原则.采用CSM0.35μm工艺进行了流片验证,模型与测试结果能够很好地吻合     

一种2.4GHz的CMOS注入锁频倍频器

介绍了一种用于频率综合器的2.4GHz CMOS注入锁频倍频器的设计和实现.从理论上重点分析了模拟倍频器的锁频范围和相位噪声特性.当电源电压为3.3V,输入信号为400mV时,电路输出幅度为1.04V,功耗为4.95mW,未经电容阵列补偿时倍频器的锁频范围达到113.7MHz.电路应用在单片集成的蓝牙发接器中,通过频率测试验证了电路功能的正确性.     

一种2.4GHz的CMOS注入锁频倍频器

介绍了一种用于频率综合器的2.4GHz CMOS注入锁频倍频器的设计和实现．从理论上重点分析了模拟倍频器的锁频范围和相位噪声特性．当电源电压为3.3V,输入信号为400mV时,电路输出幅度为1.04V,功耗为4.95mW,未经电容阵列补偿时倍频器的锁频范围达到113.7MHz．电路应用在单片集成的蓝牙发接器中,通过频率测试验证了电路功能的正确性．     

一种改进的差分环型振荡器相位噪声模型

在Razavi模型和Weigandt模型的基础上,提出了一种改进的差分环型振荡器相位噪声模型.新模型考虑了环振非线性对相位噪声的影响,从新的角度讨论了相位噪声的三种发生机制和影响,讨论了闪烁噪声的优化方法,得到了新的相位噪声模型,并依此着重分析了对管尺寸和环振级数对相位噪声的影响.最后,分析了低噪声设计的一些原则.采用CSM 0.35μm工艺进行了流片验证,模型与测试结果能够很好地吻合.     

USB外设控制器固件的设计

本文讨论了USB外设控制器中固件的设计和实现，重点研究了用单片机实现USB高层通信协议，同时提供了利用C语言进行USB外设控制接口编程时的一些基本考虑，其中主要涉及到USB规范中描述主机和外设在应用层进行通信的部分。经系统验证后，本设计既可作为特定应用实现，也可以作为其他设计时的模板。     

1.9GHz高线性度上混频器设计

介绍了采用0.35μm CMOS工艺实现的单边带上变频混频电路。该混频电路可用于低中频直接混频的PCS1900(1 850~1 910 MHz)发射器系统中。电路采用了multi-tanh线性化技术,可以得到较高的线性度。在单电源+3.3 V下,上混频器电流约为6 mA。从上混频电路输出级测得IIP3约8 dBm,IP1dB压缩点约为0 dBm。     

一种应用于GSM接收机频率合成器的多模分频器

介绍了一个多模分频器的设计。为了提高工作速度,采用吞脉冲(pulse-swallow)结构,并且两个计数器均采用改进的检测与置数逻辑;但经过分析,发现在吞脉冲结构下,采用该改进逻辑会存在时序问题。文章提出一种解决方法。经SpectreRF模拟,在SMIC 0.18μm CMOS工艺条件下,最高工作频率可达3.7 GHz,消耗电流1.4 mA,芯片版图面积150μm×130μm。     

一种新型的基于GSM1900标准的1.9GHz CMOS混频器

介绍了一种0.18μm CMOS工艺基于GSM1900(PCS1900)标准低中频接收机中的混频器.该混频器采用了一种新型的折叠式吉尔伯特单元结构.在3.3V电源电压、中频频率为100kHz的情况下,该混频器达到了6dB的转换增益,18.5dB的噪声系数(1MHz中频)和11.5dBm IIP3的高线性度,同时仅消耗7mA电流.