一种声表面波器件的新型晶圆级封装技术

总结了声表面波(SAW)器件传统封装技术中存在的问题,提出了一种SAW器件新型晶圆级封装技术。采用一种有机物干膜,分别经两次压膜、曝光和显影完成了对SAW芯片在划片前的封装,并用实验进行了验证。实验结果表明,本技术具有在不改变叉指换能器(IDT)质量负载的情况下同时具备吸声的功能,改善器件的带外抑制能力,增强了产品的一致性和可靠性。本技术在SAW器件的封装方面有广阔的应用前景。     

晶圆探针测试系统校准

阐述了消除探针测试系统误差的方法,通过分析校准原理和计算校准模型,提出了把已知的校准位放在校准基片上,通过修改网络分析仪(VNA)的校准位和信号接收端口,利用探针台的移动和探针与校准位的接触提取和反馈信号,修正系统误差。     

高性能X波段悬置微带延迟线

采用一种能快速准确设计悬置微带延迟线的方案,研制出高性能X波段悬置微带延迟线。延迟线延迟时间准确,色散特性弱及群延时波动小,实测数据与仿真结果具有很高的一致性,证明该设计方法准确、可行,能有效应用于高精度产品的研制。     

一种基于L波段混频组件电磁屏蔽腔的设计

采用屏蔽腔的方法解决L波段混频组件的电磁兼容问题,通过HFSS软件计算分析优化屏蔽腔的连接结构,对连接结构的分析找到一种适用于L波段的电磁屏蔽腔外壳设计。最终根据此设计加工出用于L波段混频组件的带电磁屏蔽腔的组件外壳,经过电路的装配与封装测试达到了解决组件电磁兼容问题的目的。     

一种基于L波段混频组件电磁屏蔽腔的设计

采用屏蔽腔的方法解决L波段混频组件的电磁兼容问题,通过HFSS软件计算分析优化屏蔽腔的连接结构,对连接结构的分析找到一种适用于L波段的电磁屏蔽腔外壳设计。最终根据此设计加工出用于L波段混频组件的带电磁屏蔽腔的组件外壳,经过电路的装配与封装测试达到了解决组件电磁兼容问题的目的。     

声表面波器件小型化工艺中芯片的测试与改进

晶圆芯片测试,依靠探针触点与芯片电极间的机械接触,实现机-电连接和信号转换,从而完成对器件的电参数测试。该文通过设计和加工微探卡的方式,针对探针与芯片接触触点少导致接地信号采集不完整,影响芯片测试时带内波动、芯片测试与成品测试结果差异大的难题,提出了低损耗声表面波(SAW)滤波器设计结构中模拟焊点引线的方式,通过采集芯片电信号,在频域内做测试,满足晶圆级封装(WLP)、芯片级封装(CSP)等封装工艺的检测要求,鉴别出在芯片粘在外壳前合格的芯片,同时监测参数的分布状态来保持前道工艺的质量水平,反馈芯片的合格率与不良率。     

大功率超声换能器匹配技术研究

在电源与超声换能器间,匹配电路起纽带和桥梁作用。大功率超声系统能否正常工作,取决于匹配电路的设计。该文从大功率超声换能器的阻抗特性和实际工作条件出发,对换能器匹配技术进行了研究,提出了一种电容、电感串、并联结合的匹配电路,以及一种可对匹配电感值进行在线调节的新型电路结构。经过ADS仿真和实际工作验证,大功率超声换能器在这种匹配电路下可长时间稳定地工作,且调试上更方便快捷。     

L波段单片SAW宽带信号形成器

L波段宽带信号形成器是现代超宽带雷达、电子对抗等系统的关键基础器件.采用声表面波(SAW)色散延迟线技术是实现超宽带信号形成器的重要技术途径.该文介绍了一种中心频率为1.55 GHz,带宽≥420 MHz;时延≥0.84 μs的L波段单片SAW宽带信号形成器. 通过对SAW线性调频延迟线换能器拓扑结构优化、阻带抑制和宽带匹配,使得宽带SAWDDL器件的插入损耗低达-38 dB ,阻带抑制高达50 dB(到3 GHz),时域直通隔离度大于90 dB,单端驻波小于2.     

自然之子动物天堂

在出发前的若干个日日夜夜里，对非洲动物世界的向往已经远远超出了我们预先的旅行计划。神秘的非洲，它带给我无限的期望和想象的空间。粗犷；宽广；广袤蓝天下的大草原，所有一切和自然有关的事物，都让身在城市里的我心驰神往。     

传统SAW离子束调频技术研究

制作传统声表面波(SAW)器件晶圆芯片表面的材料是Al,Al在空气中被氧化,极易生成致密的氧化铝(Al_2O_3)薄膜,由于Al_2O_3薄膜和Al及基底压电材料的刻蚀速率存在差异,会导致SAW的离子束调频过程复杂。该文介绍了一种用于SAW的离子束调频方法,采用该方法对制作的SAW器件进行离子束调频后,实现了目标频率的调高和调低,并进一步提高了频率集中度,从而解决了低频窄带SAW器件及2 GHz以上SAW高频器件频率精度难以提高的工艺难题。