换热器检修方法应用探讨

结合检维修的实践,在保障必要的工艺运行参数和安全生产需要的前提下,论述几种自主检修方法,实施后取得较好的效果.     

MOS器件栅介质层陷阱的表征方法

随着MOS器件按比例缩小,MOS器件的可靠性问题正成为限制器件性能的一大瓶颈。作为可靠性研究的一个热点和难点,MOS器件栅介质可靠性的研究一直是学术界和工业界研究的重点。普遍认为,栅介质中的陷阱是引起栅介质退化乃至击穿的主要因素,对栅介质中陷阱信息的准确提取和分析将有助于器件性能的优化、器件寿命的预测等。针对几十年来研究人员提出的各种陷阱表征方法,在简单介绍栅介质中陷阱相关知识的基础上,对已有的界面陷阱和氧化层陷阱表征方法进行系统的调查总结和分析,详细阐述了表征技术的新进展。     

快速启动双反馈环路LED恒流输出通道设计

为了解决LED恒流驱动输出电流不稳的问题,提出采用双反馈环路的通道结构.在此基础上,设计了采用分段模式的快速启动电路,可极大地提升通道的开启速度.基于0.25 μmBCD工艺,完成HSPICE仿真.结果显示,该系统的外环路增益为83 dB,相位裕度为80°,通道间电流互不影响.当电流在5～45 mA范围内变化时,快速启动电路正常工作,通道的开启时间仅为4 ns,开启速度较传统结构有显著提升.该输出通道已成功应用于LED恒流驱动中.     

垂直结构GaN基LED用Ni/Ag反射镜电极

Ni/Ag/Ti/Au金属系反射镜电极广泛用于GaN基垂直结构发光二极管(LED)的传统制造工艺.这种电极需要进行高温长时间整体退火才能获得高质量的欧姆接触,但对电极的反射率和器件性能影响较大.介绍了一种新工艺方法,该方法将电极分解为接触层和反射层,降低反射层经历的退火温度和时间,获得了拥有良好的欧姆接触特性和高反射率的反射镜电极,解决了传统电极光学性能和电学性能相互制约的问题.首先生长极薄的Ni/Ag作为接触层,对接触层进行高温长时间退火后再生长厚层Ag作为反射层,之后再进行一次低温退火.使得对反射起主要作用的反射层免于高温长时间退火,相较于传统Ni/Ag/Ti/Au电极,该方法在获得更优良的欧姆接触的同时,提升了电极的反射率.在氧气氛围下进行500℃接触层退火3 min,400℃整体退火1 min后,电极的比接触电阻率为1.7×l0-3Ω·cm2,同时在450 nm处反射率为93％.     

一种采用斩波调制的高精度带隙基准源的设计

为了抑制运算放大器的输入失调电压对带隙基准源的影响,提高输出电压的精度,基于斩波调制技术,设计了一种高精度带隙基准源电路.通过0.25 μm BiCMOS工艺模型仿真验证,结果表明,运算放大器的差分输入对管的失配为±2％时,该基准源的输出电压波动峰峰值为0.38 mV,与传统带隙基准源相比,相对精度提高了113倍.当电源电压在2.5～6.0V内,基准电压源的波动小于0.085 mV,温度为-40～125℃时,电路的温度系数为19ppm/℃.     

一种用于电源管理的高性能电荷泵

设计了一种用于电源管理的高性能交叉耦合电荷泵.与传统的Dickson电荷泵相比,该电荷泵不受阈值压降影响,电压输入范围大;同时,开关管采用最大过驱动电压,极大地减小了传导损耗.HSPICE仿真结果表明,当输入电压为5V、时钟频率为50 MHz时,最大效率达到96.3％,在空载条件下,升压效率高达99％.负载电流在10～120 μA范围内,输出电压只有1.55V的变化,具备较强的电流驱动能力.     

多极子阵列声波测井在致密砂岩气层识别的应用

本文从多极子阵列声波测井资料和常规测井资料中提取对气层响应敏感的特征参数,建立具有针对性的气层识别方法,提高解释符合率。