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从理论上分析了半导体激光器的调制光相位不均匀效应(PIE)的物理机制及其与波导机制、结构、材料参数和工作条件等的关系.指出了克服PIE的可能途径. 相似文献
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本文从理论上系统地研究了能带结构对InGaAsP四元半导体光增益过程的作用,着重分析对能带结构敏感的能态密度及光跃迁矩阵元在不同掺杂、不同注入和不同温度下对光增益谱的影响及其物理根源.对现行的五种理论模型的计算结果及其与实验的比较表明,以k选择为主的跃迁与考虑导带-受主间跃迁的结果相差可达一倍以上,而以k选择为主的跃迁的计算结果与实验符合较好,如采用改进能带则可进一步减小高能端吸收系数与实验的差距. 相似文献
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半导体激光器的光功率-电流(P-I)特性曲线中出现扭折,限制了线性调制范围,并可能出现各种不稳定性。产生扭折的机理有多种多样,例如由于侧向波导有某种不对称性,使基模光强分布随电流增加而引起侧向移动,让更多的光强进入条外吸收区,降低了微分量子效率,导致P-I特性出现扭折;波导机理发生变化,例如由于空间烧孔而从增益波导转变为自聚焦波导时,也使P-I曲线出现扭折。本文观察到的是在达到阈值以后较大的电流范围内始终是单纵模工作的激光器,其P-I特性出现扭折则主要是由于出现一阶侧向横模所致。 相似文献
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本文从理论上分析DH条型半导体注入激光器的侧向光场和载流子分布及其相互作用对瞬态过程的影响.首次较严格地实现了速率方程和场方程联立用数值法求瞬态解.计算结果表明,在载流子的折射率波导和扩散较大时,在一定的电流范围内条型激光器有可能出现以侧向束宽有持续的、明显的振荡为特征的“本征”自脉动. 相似文献
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本文从理论上提出由于增益波导各模式间不满足功率正交关系,因而每条模式应由若于条满足功率正交关系的本征模式所组成,故在一定条件下这些本征模式有可能产生一阶锁模自脉动的新机制. 相似文献
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1994年美国贝尔实验室采用InGaAs/InAIAs量子ot/超晶格材料率先研制成功了10K下脉冲激射波长为4.26pm的量子级联激光器,开创了利用宽带隙材料研制中,远红外半导体激光器的先河,而其与传统激光器遇异的实现受激发射的方式,也在半导体激光器的发展史上书写了新的篇章.量子级联激光器是利用单极载流子(电子或空穴)注入进一系列级联式耦含量子讲产生子带间粒子数反转分布,进而利用子带间的受激跃迁而产生受激辐射的单极半导体激光器.这种单极粒子跃迁辐射具有单向们振(TM波)性,极适合于具有耳语回廊… 相似文献
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