应用于软件无线电接收机中的无源下变频混频器

设计了一个应用于软件无线电接收机中的宽带无源下变频混频器,采用SMIC 0.13μm RF工艺实现,芯片面积0.42 mm<'2>.测试结果表明:在1.2 V电源电压下消耗了9 mA电流,工作频段0.9～2.2 GHz,电压转换增益17 dB,HP3 6～7 dBm,IIP2 40～42 dBm,DSB NF 17.5...     

用于移动支付的高精度高灵敏度时钟恢复电路

介绍了一个应用在移动支付系统里的全集成载波时钟恢复电路。它由一个采样检测模块和一个电荷泵锁相环组成。与传统13.56MHz标签里的时钟恢复电路相比,这个电路能够从开关键控信号里恢复高精度的连续载波时钟。整个芯片由0.18μm EEPROM CMOS工艺制造,工作电压为1.5V。实验结果表明该电路恢复频率的偏移为0.34%,灵敏度为8mV。     

Analysis and design of a 1.8-2.7 GHz tunable 8-band TDD LTE receiver front-end

This paper describes the analysis and design of a 0.13μm CMOS tunable receiver front-end that supports 8 TDD LTE bands,covering the 1.8-2.7 GHz frequency band and supporting the 5/10/15/20 MHz bandwidth and QPSK/16QAM/64QAM modulation schemes.The novel zero-IF receiver core consists of a tunable narrowband variable gain low-noise amplifier(LNA),a current commutating passive down-conversion mixer with a 2nd order low pass trans-impedance amplifier,an LO divider,a rough gain step variable gain pre-amplifier,a tunable 4th order Chebyshev channel select active-RC low pass filter with cutoff frequency calibration circuit and a fine gain step variable gain amplifier.The LNA can be tuned by reconfiguring the output parallel LC tank to the responding frequency band,eliminating the fixed center frequency multiple LNA array for a multi-mode receiver. The large various gain range and bandwidth of the analog baseband can also be tuned by digital configuration to satisfy the specification requirement of various bandwidth and modulation schemes.The test chip is implemented in an SMIC 0.13μm 1P8M CMOS process.The full receiver achieves 4.6 dB NF,-14.5 dBm out of band IIP3, 30-94 dB gain range and consumes 54 mA with a 1.2 V power supply.     

用于射频D类放大器的多模高精度数字脉冲宽度调制器

介绍了一个用于D类放大器的多模高精度数字脉冲宽度调制器。这个调制器基于一个新型混合结构,不但能产生可编程的占空比,而且能通过相位离散调整实现相位调制。基于近场通信中13.56MHz的开关频率,能够取得570ps的脉冲精度。整个芯片由0.18μm EEPROM CMOS工艺实现,整个调制器面积只有130um 180um。测试结果验证了该调制器的多模功能和高精度的脉冲宽度。     

A wideband CMOS VGLNA based on single-to-differential stage and resistive attenuator for TV tuners

A wideband CMOS variable gain low noise amplifier(VGLNA) based on a single-to-differential(S2D) stage and resistive attenuator is presented for TV tuner applications.Detailed analysis of input matching,noise figure(NF) and linearity for S2D is given.A highly linear passive resistive attenuator is proposed to provide 6 dB attenuation and input matching for each gain stage.The chip was fabricated by a 0.18μm 1P6M CMOS process, and the measurements show that the VGLNA covers a gain range over 36.4 dB and achieves a maximum gain of 21.3 dB,a minimum NF of 3.0 dB,an IIP3 of 0.9 dBm and an IIP2 of 26.3 dBm at high gain mode with a power consumption less than 10 mA from a 1.8 V supply.     

应用于软件无线电的四阶可重构模拟基带滤波器

本文提出了一个应用于软件无线电的四阶可重构模拟基带滤波器。该滤波器采用有数字辅助的有源RC低通结构,可以灵活地改变滤波器的特性,比如截止频率,选择性,类型,噪声,增益和功耗。为了同时达到优化噪声和调节功耗的目的,这里采用了一种新的可配置运放结构。该芯片采用SMIC 0.13μm CMOS工艺制作。主体滤波器和频率校准电路的面积分别为1.8 × 0.8 mm2和0.48 × 0.25 mm2。测试结果表明,该滤波器可以提供巴特沃斯和切比雪夫两种响应,而且截止频率可以覆盖从280kHz 到15MHz的宽带范围,同时可调增益范围为0dB到18dB。在1.2V的电源电压下获得29dBm的IIP3。根据给定的协议,输入参考噪声密度在41 nV/Hz½ 到133 nV/Hz½之间变化,低频带和高频带模式分别消耗了5.46mW和8.74mW的功耗。     

一种用于电视调谐器的宽带CMOS低噪声放大器设计

介绍了一种宽带CMOS低噪声放大器设计方法,采用噪声抵消技术消除输入MOS管的噪声贡献.芯片采用TSMC 0.25μm 1P5M RF CMOS工艺实现.测试结果表明:在50～860MHz工作频率内,电压增益约为13.4dB;噪声系数在2.4～3.5dB之间;增益1dB压缩点为-6.7dBm;输入参考三阶交调点为3.3dBm.在2.5V直流电压下测得的功耗约为30mW.     

一种适用于射频电子标签的低电压低功耗振荡器

提出了一种适合射频电子标签应用的振荡器设计方法．针对低电压低功耗的要求，选择了比较简单的振荡器结构，通过调节电流的方法来调节振荡器的输出频率．输出电流与电源无关的偏置电路设计保证了振荡器输出频率的稳定，低功耗的二进制权电流电路提供了很小的寄生参数、较高的电流精度和很小的芯片面积．芯片在Chartered 0.35μm CMOS工艺流片，电源电压为1.2～2V，环形振荡器消耗的平均电流约为6.5μA．     

一种采用开关阶跃电容的压控振荡器(下): 电路设计和实现

为了验证阶跃可变电容压控振荡器调谐特性理论分析的正确性,提出了一种采用开关阶跃电容的新型压控振荡器电路,该压控振荡器电路采用0.25μm 1P5M CMOS工艺实现.一种新型开关阶跃电容实现了频率调谐功能,该电容的调谐电容是传统反型MOS管可变电容的146%.在1/f3区域,差分调谐振荡器的相位噪声比单端调谐振荡器低7dB.在载波频率偏差10kHz,100kHz和1MHz处测得差分调谐时的相位噪声分别是-83,-107和-130dBc/Hz,功耗为8.6mW.     

电荷泵电路的动态分析

详细分析了电荷泵的动态工作特性 ,给出了电荷泵电压上升时间及瞬态电流与电路的关系。基于这些分析 ,可以得到电荷泵的功耗来源和电压上升与充电电容的关系 ,同时还对电荷泵电路的电压产生的限制作出了分析。文末给出了整个分析结果与 SPICE模拟结果的对照 ,从结果可以看出整个分析大致反应了电荷泵的实际工作情况 ,正确地体现了电荷泵的工作原理。