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1.
SiO2作为栅介质已无法满足MOSFET器件高集成度的需求,高k栅介质材料成为当前研究的热点。综述了高k栅介质材料应当满足的各项性能指标和研究意义,总结了La基高k栅介质材料的最新研究进展,以及在改正自身缺点时使用的一些实验方法,指出了有可能成为下一代MOSFET栅介质的几种La基高k材料。La基高k材料的研究为替代SiO2的芯片制造工艺提供优异的候选材料及理论指导,这是一项当务之急且浩大的工程。  相似文献   
2.
本文研究了稀土掺杂硒化钼(MoSe2)垂直纳米线 的制备及光学特性。以分析纯硒化钼 粉末为原料,采用热蒸发方法在Si衬底上沉积硒化钼垂直纳米线,并在其生长过程中利用硝 酸鉺进行原位掺杂。利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见分光光度计 和 荧光光谱仪研究了掺杂硒化钼薄膜的表面形貌﹑晶体结构﹑光吸收和特性。发现掺杂后MoSe 2纳米线的结晶性更强,长度增加2倍以上。同时,掺杂后纳米线的可见光吸收和光致发光 强 度明显增强,760 nm处MoSe2纳米线的带间跃迁的本征发射增强4倍 以上。另外,Er3+掺杂后 ,在590 nm和650 nm处增加了2个来自Er3+离子的发射,说明稀土掺杂后发光峰增加,使 光谱谱线更加丰富。以上结果表明,稀土掺杂可显著增强硒化钼的结晶性、光吸收和发光效 率,使其可用于制备超薄、高效率的太阳能电池、光探测器等光电子器件。  相似文献   
3.
丁澜  马锡英 《微纳电子技术》2011,48(12):761-766
石墨烯具有很多优异的力学、电学和结构特性,可用于制备高速、低功耗的半导体电子器件和集成电路芯片。简要介绍了三种石墨烯/Si的制备方法,即剥离法、外延法、剪切和选择转移印刷法,其中外延生长的石墨烯被认为是最终实现碳集成电路的唯一途径。并给出了采用上述方法制备的石墨烯/Si晶体管的电阻、磁阻、载流子迁移和输运特性以及量子霍尔效应(QHE)等电学特性。发现石墨烯/Si晶体管最高频率达155GHz,在室温下具有异常的量子霍尔效应和分数量子霍尔效应。其电荷载流子浓度在电子和空穴之间连续变化,可高达1013 cm-2,迁移率可达2×105 cm2/(V.s)。  相似文献   
4.
单层硫化钼(MoS2)是具有直接帯隙1.8 eV的二维半导体,因其特殊的六方晶系层状结构,而具有优异的物理和化学性质。简要介绍了MoS2材料的几种主要制备方法:如高温硫化法、水热法以及表面活性剂促助法等,讨论了各种制备方法在国内外的研究现状及优缺点。给出了单层MoS2在晶体管、集成电路、逻辑运算等方面的一些应用。与硅晶体管相比其晶体管体积更小、更省电,并可减少短通道效应,电流开/关比例高于1010。这些应用说明了其可被广泛应用于未来的纳米电子器件。最后,对MoS2未来的发展方向进行了展望,认为工艺制备方法有待进一步改善,单层MoS2的应用领域也有待进一步深入拓展。  相似文献   
5.
为了能够快速且大面积生长碳纳米纤维,研究碳纳米纤维的形成、转变及在各种物理、化学环境下的反应机理,应用等离子化学气相沉积(PECVD)方法,以CH4为反应气体,FeCl2为催化剂在玻璃衬底上生长碳纳米薄膜.应用扫描电镜(SEM)观察了碳纳米纤维薄膜的表面形貌,拉曼(Raman)光谱分析了碳纳米纤维的结构组成.结果表明,无催化剂时薄膜主要由纳米团簇构成,而催化作用下薄膜呈纤维状生长,纳米纤维为典型的碳纳米管石墨特征峰.在温度,气压,催化剂等反应条件中,FeCl2催化剂对碳纳米薄膜的取向生长起决定性作用,通过调节催化剂的浓度与分布,可有效改变碳纳米纤维的密度与分布.  相似文献   
6.
The electric characteristics of Ge quantum dot grown by molecular beam epitaxy in Si matrix were investigated by admittance spectroscopy and deep level transient spectroscopy. The admittance spectroscopy measurements show that the activation energy of 0.341 eV can be considered as the emitting energy of hole from the ground state of the quantum dot. And the capacitance variation with temperature of the sample shows a platform at various frequencies with reverse bias 0.5 V, which indicates that the boundary of space charge region is located at the quantum dot layer where the large confined hole concentration blocks the further extension of space charge region. When the temperature increases from 120 K to 200 K, the holes in the dot emit out completely. The position of the platform shifting with the increase of the applied frequency shows the frequency effects of the charges in the quantum dot. The deep level transient spectroscopy results show that the charge concentration in the Ge quantum dot is a function of the pulse duration and the reverse bias voltage, the activation energy and capture cross-section of hole decrease with the increase of pulse duration due to the Coulomb charging effect. The valence-band offsets of hole in Ge dot obtained by admittance spectroscopy and deep level transient spectroscopy are 0.341 and 0.338 eV, respectively.  相似文献   
7.
基于电磁波的传输矩阵理论,对一维光子晶体在近 红外波段0.85-2.30 μm滤波特性进行了分析研究。由MoS2和半导体超材料AZO/ZnO构成(AB)N型光子晶体,其中AZO/Zn O是掺铝氧化锌层和氧化锌层交替形成的具有人 工周期结构的各项异性材料,在部分近红外波段具有负的折射率。数值分析表明:此结构光 子晶体在0.85-2.30 μm波 段具有四个光子通带;带隙随B层中填充因子h的增大发生蓝移;光子晶体透射 峰的数量由光子晶体周期N决定, 即周期为N时,每个通带透射峰的数量为N-1;通过改变膜层厚 度能实现对透射波长的调控,如增加A层或B层厚 度,透射波中心波长发生红移;而光波入射角度的增加将使透射波中心波长发生蓝移。由超 材料AZO/ZnO构成的光 子晶体的滤波特性为光通信波段多通道可调谐高性能滤波器的设计提供理论参考。  相似文献   
8.
毛红敏  马锡英  王晓丹  徐国定 《红外与激光工程》2017,46(6):620002-0620002(5)
建立了(AB)N型一维光子晶体结构多通道可调谐滤波器模型,其中A层是砷化镓(GaAs)材料,B层是由掺铝的氧化锌层和氧化锌层(AZO/ZnO)交替排列构成的具有人工周期结构的各项异性材料。根据电磁波的传输矩阵理论,推导了光子晶体的透射率公式。数值模拟表明:此结构光子晶体透射中心波长是1.55 m,对应于光子通带;透射峰的数量由光子晶体的周期N决定;B层中填充因子h从2/3增加到11/12,峰值波长蓝移且移动范围超过200 nm;A和B层厚度增加,透射峰中心波长发生红移;而入射角度的增加将使透射峰中心波长蓝移;在各参数的调控范围内,光子晶体均保持较高的透射率不变。这些现象为光通信波段多通道可调谐高性能滤波器的设计提供了理论参考。  相似文献   
9.
硅烯是一种硅原子呈蜂窝状排列的二维纳米材料。主要介绍了硅烯分别在Ag(111)衬底、Ir(111)衬底和ZrB2衬底表面生长的机理和研究成果,并讨论了在不同衬底上制备硅烯的异同。同时还简要地说明了关于硅烯理论预测的一些性质和应用,如在外部垂直电场下,硅烯的可调带隙;在磁光响应下,硅烯的谷自旋偏振等,这些性质和应用说明了硅烯可被广泛应用于未来的纳米电子器件。最后,对硅烯未来的研究、发展方向和应用前景做了展望,认为硅烯的工艺制备方面有待进一步拓展,硅烯也有着更好的应用前景。  相似文献   
10.
SiGe纳米环、纳米螺绕环具有优异的电学、力学等性质,已成为非常重要的三维半导体纳米材料,在传感器、纳米电子学及纳机电系统中具有广阔的应用前景。简单介绍了制备SiGe纳米环、纳米螺绕环的方法,包括化学气相沉积法、分子束外延法和脉冲激光法,并介绍了SiGe纳米环形成的主要原因和相关的应用。SiGe纳米环是在Si和Ge间的横向应力作用下形成的,这种纳米环的电导对纳米环的曲率和外加磁场非常敏感。在外加磁场恒定的情况下,电导随曲率的增大而逐渐减小;当达到某一临界点后,又随曲率的增大而逐渐增大。可以应用外加电压控制SiGe纳米环的弯曲程度,成为纳米尖、黏性探头、挂钩和原子力显微镜悬臂梁等应用于纳米传感器、纳米探头及纳米机电系统中。  相似文献   
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