改进型双频段低噪声放大器设计

设计了一种电流复用结构的双频段低噪声放大器,其中心频率为900 MHz和1 900 MHz。为减少芯片面积和提高电路性能,给出了一种改进的输入端和级间匹配网络,利用小电感LC网络代替大电感的栅极电感Lg和级间电感Ld1。仿真结果表明:该低噪放在两个需要的频带内功率增益(S21)大于16.0 dB;输入反射系数(S11)小于-18.6 dB;输出反射系数(S22)小于-12 dB;反向隔离(S12)小于-40 dB;噪声系数(NF)小于2.8 dB;线性度(IP3)大于-9.5 dBm。设计采用SMIC 0.18μmCMOS工艺,功耗为8.64 mW,电源电压1.8 V。     

锁相环中克服非理想因素的鉴相器和电荷泵设计

讨论了锁相环中鉴相器和电荷泵中非理想因素及其克服方法.电路设计采用SMIC 0.18 μm CMOS工艺和Cadence Spectre仿真器.通过在重置反馈路径上加入延迟单元的方法来消除鉴相器的死区.比较了两种传统电荷泵电路的设计方法,通过加入Replica Bias电路和单位增益运放,实现了上下电流的高匹配性.     

应用于Bluetooth频率合成器的可编程分频器设计

设计了一种应用于Bluetooth整数频率合成器的可编程分频器.电路设计采用SMIC 0.18 μm CMOS工艺和Cadence Spectre仿真器.整个分频电路由基于SCL(Source-Coupled Logic)结构实现的16/17双模预分频电路和基于标准数字逻辑单元实现的可编程计数器组成.频率合成器的信道间隔设为1 MHz.通过对可编程计数器进行预置数,分频器覆盖整个ISM信号频段(2400～2478 MHz).     

一种高增益低噪声CMOS混频器设计

设计了一种基于跨导互补结构的电流注入混频器,通过在吉尔伯特混频器电路的本振开关管源极增加PMOS管形成电流注入电路减小本振端的偏置电流,改善电路的闪烁噪声和增大电路的增益.采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺设计.在本振(LO)信号的频率为1.571 GHz,射频(RF)信号频率为1.575 GHz时,混频器的增益为17.5 dB,噪声系数(NF)为8.35 dB,三阶交调截止点输入功率(IIP3)为-4.6 dBm.混频器工作电压1.8 V.直流电流为8.8 mA,版图总面积为0.63 mm × 0.78 mm.     

高增益高线性度CMOS偶次谐波混频器设计

设计了一种能应用于GPS接收机的偶次谐波混频器,在RF输入端采用了电流复用电路提高混频器的转换增益和线性度,在LO输入端采用了倍频技术.同时,该拓扑结构还具有低功耗的优点.仿真结果表明:在1.8V电源电压下,RF频率1.575GHz,LO频率0.7895 GHz,LO功率为-5 dBm时,该混频器的转换增益为20.848 dB,三阶交调截至点为-2.297 dBm.表现出了高增益、高线性度的性能.     

计算机基础教学中灌输素质教育的思考

随着科学技术的发展,计算机在社会中的作用愈发突出。本文主要就计算机基础教学中相应素质教育的重要性进行思考,并给出了一些在计算机基础教学中灌输素质教育的教学方法,从而希冀素质教育在计算机文化基础教育中能够得到较好体现,符合社会发展需求。     

1.2V高线性度低噪声折叠混频器设计

设计一种工作在1.2 V低电源电压下的折叠混频器。混频器电路采用折叠结构和电流复用技术,降低电源电压,减小直流功耗,降低噪声、提高增益和线性度。跨导级采用交流耦合互补跨导进一步降低电源电压。混频器设计基于SMIC0.18μm标准CMOS工艺。仿真结果表明:输入射频频率和输出中频频率为2.5 GHz和100 MHz时,IIP3为3.857 dBm,NF为5.257 dB,转换增益为9.787 dB,功耗为5.22 mW。