II类非临界相位匹配下近红外波段的差频产生器

报道了一个利用差频技术(DFG)产生近红外的装置。在此系统中1.064 μm半导体激光器作为信号光和0.56~0.71 μm染料激光器作为泵浦光,通过三硼酸锂晶体(LBO)在非线性相互作用下产生较高功率的可调谐近红外激光,其波长范围为1.4~2.2 μm。通过温度调谐非临界相位匹配(NCPM)技术,在II类相位匹配方式下实现差频发生器。其平均输出功率为35 mW以上。在1.6 μm近红外波段激光的转化效率可达到12.2%,具有宽调谐、窄线宽的特点,具有较为广泛的应用范围。     

基于偏硼酸钡晶体高重复频率266 nm紫外激光器

报道了利用基于掺镱光纤脉冲激光器1064 nm基频光通过偏硼酸钡晶体(β-BaB2O4,BBO)晶体四次谐波技术获得266 nm的紫外激光输出,利用双晶体空间走离补偿技术在重复频率为80 MHz平均输出功率为2.9 W,532 nm到266 nm的转化效率为36.5％。通过测量266 nm光强的变化发现双光子吸收效应导致了动态色心的形成,以及色心密度与双光子吸收系数随着晶体温度变化的规律,实验数据表明在晶体温度200 ℃的双光子吸收效应比室温时低了3.5倍,提高了266 nm紫外激光的输出功率和稳定度。     

两种低功耗新型过温保护电路的设计

电源管理芯片中过温保护电路用来检测芯片的温度。当温度过高时,过温保护电路输出保护信号,使芯片停止工作,以免温度过高而损坏芯片。为了实现上述过温保护电路功能,提出了两种新型的过温保护电路,不但能够精确地检测芯片的温度,并且功耗很低。采用0．5μm N-阱CMOS工艺的方法,进行电路设计,并使用CadenceSpectre工具进行了仿真实验验证。仿真实验结果表明两种电路仅消耗3μA的电流就能够实现精确的温度检测,其具有较强的适应性,高灵敏度和高精度的特点,应用前景比较广泛。     

基于三硼酸锂晶体高功率紫外脉冲激光器

为了获得高功率、高重复频率的紫外脉冲激光器,采用1064nm基频光通过三硼酸锂（LBO）晶体与3次谐波355nm进行和频得到4次谐波266nm紫外激光的方法,进行了实验验证,取得了重复频率为20kHz、紫外激光器的平均输出功率为2.5W、红外到紫外的转换效率为12.5%的实验数据。结果表明,此脉冲激光器利用LBO晶体在高重复频率下取得了较大的紫外平均输出功率。     

基于光学参量振荡器的高分辨率CARS光谱研究

提出了一种基于三硼酸锂（LBO）晶体的飞秒绿色泵浦光学参量振荡器（OPO）,其采用飞秒525 nm绿光光纤激光器作为泵浦源。OPO产生的信号光其可调谐的光谱范围由780～940 nm,光功率可达到250 mW以上;闲频光可调谐范围从1630～1190 nm,光功率可达到300 mW以上。利用本系统可在波数为1330 cm－1和6650 cm－1之间进行相干反斯托克斯拉曼散射（CARS）光谱测量。由于脉冲啁啾,光谱分辨率达到100 cm－1,与时间带宽限制脉冲激励源相比,分辨率达到后者的2.5倍。