排序方式： 共有10条查询结果，搜索用时 15 毫秒
1
1.
借助紫外-可见-近红外光谱,红外光谱,喇曼光谱等实验技术研究了电化学合成导电高分子聚噻吩(Polythiophene)材料在掺杂和非掺杂情况下的结构特征,说明了双极化子是这一类基态非简并的高分子的主要元激发。喇曼光谱和俄歇电子能谱还表征了掺杂离子在样品中的分布,掺杂离子处于高分子链的间隙中,且在深度分布上是均匀的。 相似文献
2.
用半导体统计方法导出准二维半导体自由载流子面密度的数学表达式 ,并给出面密度与体密度之间关系式。采用二维半导体自由载流子面密度表示式和范德堡 -霍尔实验测量在衬底 Ga As上 MBE生长的 Q2 D的样品 Ga Sb和 In As1-x Sbx ( x≈ 0 .2 2 )禁带宽度 Eg,获得满意结果。 相似文献
3.
The emission band around 2.268eV on the low temperature photolumi-nescence spectra of GaP:N doped with tellurium has been reexamined under the condition of very high resolution. It is suggested that the structure of the band may be composed of the LO phonon replica of isolated nitrogen bound excitons, the phonon-assisted emission from excitons bound to the excited states of NN1 pairs and the satellite line emitting from excitons bound to the neutral Te donors. 相似文献
4.
采用弱场霍尔技术研究了中子辐照对硅单晶电性能(导电类型、电阻率、霍尔系数、载流子浓度及霍尔迁移率)的影响。实验发现:对电阻率范围10~(-2)-8Ω-cm的硅单晶,经中子辐照后,载流子浓度降低、电阻率增加,霍尔迁移半变小。此变化规律对低掺杂试样明显。作者认为辐照在硅单晶中产生的电活性缺陷能级是连成电参数变化的主要原因。 相似文献
5.
对GaP:N(Te,Zn)中束缚激子发光热猝灭的测量和分析表明,中性Te原子以“俄歇阻断”作用,在NN对发光猝灭温度相对于不掺施主和受主的GaP:N有所降低方面起了关键的影响。掺Te后孤立N发光峰的猝灭温度提高,则是由于增加了N原子上电子分布的几率。这支持了N束缚激子的Hopfield-Thomas-Lyneh模型。受主Zn的作用是使自由激子发光随温度升高而缓慢增强,对A峰猝灭的减缓可能也有贡献。 相似文献
6.
本文提出用透射和反射结合测量表面粗糙样品吸收系数的基本思想,引入了反映表面粗糙程度的漫射因子和特征粗糙度,从统计的角度给出了表面粗糙样品的反射率和透射率与特征粗糙度和吸收系数的本质联系,在理论上处理了表面粗糙样品吸收系数测量中的问题。 相似文献
7.
8.
本文报导一种测量单晶硅薄层杂质分布的技术,即范德堡法和阳极氧化剥层技术相结合的测量法,它能同时测量薄层中多种电学参数的深度分布。作者采用这种技术对注入剂量为3×10~(13)cm~(-2)硼离子注入的硅片做了测量,得出薄层中载流子浓度n_i、电阻率ρ_i、薄层电阻率(ρ_s)_i,单位面积有效载流子数目N_t和迁移率μ_i的深度分布。载流子浓度分布峰值出现在x=0.19μm附近,(ρ_s)随深度增加而增大,N_s随深度增加而减小,迁移率μ_i值分布在100～170(cm~2/V·S)范围内,ρ_i的深度分布在对应于载流子浓度分布的峰值处出现极小值。 相似文献
9.
本工作依据文献[1]的理论,从实验上最后得出了表面粗糙样品的透射率、反射率与特征粗糙度、吸收系数及波长的具体函数关系,并验证了文献[1]提出的某些关键性的结论,及用透、反射结合方法测量表面粗糙样品参数的可行性。在实际应用中,透、反射结合法所测吸收系数与其他方法所测结果符合较好。 相似文献
10.
本文目的是确定半导体硅吸收系数α与电阻率ρ的关系,并以相应曲线作为校正曲线,用于硅的电阻率、杂质浓度及其分布的测定。我们用10.6μm CO_2激光测量硅样品的透射率T,由公式T=(1-R)~2e~(-αz)/1-R~2e~(-2αz)求得吸收系数α,通过定标曲线α-ρ确定硅单晶的电阻率ρ_0样品两面切成平行平面,研磨后抛光成光学平面。在本实验装置中10.6μm激光束适当地 相似文献
1