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利用电子束蒸发反应沉积技术,在蓝宝石和硅化玻璃衬底上生长得到MgxZn1-xO薄膜。立方相MgxZn1-xO(0.55≤x≤1.00)薄膜的折射率通过透射光谱技术和Manifacier方法计算得到。与六方相MgxZn1-xO薄膜相似,在400~800nm波长范围内,立方相MgxZn1-xO薄膜的折射率色散关系遵循最小平方根的一阶Sellmeier色散方程。不同组分的MgxZn1-xO薄膜的三阶非线性极化率采用光克尔效应(OKE)技术测试获得。六方-立方双晶相结构的Mg0.37Zn0.63O薄膜具有最大的三阶非线性极化率,其原因可归功于薄膜微结构中六方和立方晶相分离所导致的晶粒散射。 相似文献
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硅基PbSe/BaF_2/CaF_2薄膜及其光电特性 总被引:1,自引:0,他引:1
采用分子束外延方法在 Si(111)衬底上生长了 Pb Se/ Ba F2 / Ca F2 薄膜 ,扫描电镜和 X-光衍射分析显示 ,通过生长 Ba F2 / Ca F2 缓冲层的方法 ,在 Si(111)衬底上外延的 Pb Se薄膜晶体质量高 ,Pb Se表面光亮 ,无开裂现象发生 ,X-光衍射峰峰宽窄 (15 3arcs) .外延生长的 Pb Se薄膜被应用于制作光电二极管 ,首次采用热蒸发金属铝膜在 Pb Se表面形成 Al- Pb Se肖特基结光电二极管 ,获得了比 Pb- Pb Se肖特基结更为稳定和理想的电流 -电压特性曲线 相似文献
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中红外探测器在诸多领域具有重要的应用,目前,我国在PbTe、PbSe中红外探测器方面研制较少,通过分子束外延技术、以CdZnTe(lll)为衬底生长PbTe外延薄膜,XRD表征表明:PbTe外延薄膜是单晶薄膜,且与衬底具有相同(lll)取向,光吸收光谱测量得到外延薄膜的光学吸收边位于3.875 μm,光致发光谱显示发光波长位于3.66 μm,蓝移是红外激光泵浦导致PbTe温升所致.以PbTe为有源区材料、ZnS薄膜作为钝化和绝缘材料,用AuPtTi合金作为欧姆接触电极,研制了PbTe光电导中红外探测器原型器件,探测器在78 K温度下的光电导响应在红外波段的1.5~5.5μm,探测率约为2×10~9 cm·Hz~(1/2)·W~(-1).最后,对影响探测器工作的因素和改进方法进行了讨论. 相似文献
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采用气态源分子束外延技术在InP(100)衬底上分别生长了δ掺杂的p -AlIn-As-n -InP和p -InP-n -InP两种隧道结结构,用电化学C-V和I-V特性曲线表征了载流子浓度和电学特性,发现p -AlInAs-n -InP隧道结性能优于p -InP-n -InP隧道结.在InP(100)衬底上生长了包含p -AlInAs-n -InP掩埋隧道结和多量子阱有源层的1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构,测试得出其开启电压比普通的pin结VCSEL小,室温下其电致发光谱波长为1.29μm. 相似文献
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在晶格失配的BaF2衬底上用分子束外延技术生长了不同厚度的PbSe单晶薄膜,PbSe外延薄膜的喇曼光谱测量到位于136~143cm-1之间的布里渊区中心纵光学声子(LO)振动,位于83~88cm-1之间的纵光学声子与横光学声子的耦合模(LO-TO)振动,以及位于268~280cm-1之间的2LO声子振动.而且PbSe薄膜的LO声子频率随薄膜厚度的不同明显移动,随着薄膜的厚度减小声子频率线性增大,这是由外延膜与衬底之间的失配应力不同引起的.为了理解PbSe声子振动模喇曼活性的物理原因,还比较分析了PbSe体单晶的喇曼光谱,同样,PbSe体单晶样品也呈现出喇曼活性的散射峰. 相似文献
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采用气态源分子束外延(GSMBE)技术优化生长了GaAs/AlAs分布布拉格反射镜(DBR)材料,并用X射线衍射(XRD)及反射光谱对其生长质量进行了表征。结果表明,采用5S间断生长的GaAs/AlAs DBR材料质量和界面质量优于无间断生长,并且10对GaAs/AlAs DBR的质量优于30对,说明DBR对数越多,周期厚度波动越大,材料质量越差。优化生长得到的30对GaAs/AlAsDBR的反射率大于99%,中心波长为1316nm,与理论设计结构的模拟结果基本一致,可用作1.3μm垂直腔面发射激光器(VVSEL)直接键合的反射腔镜。 相似文献
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本文描述一种利用黑白正、负片密合检测两幅图象之间微小差异的方法。由于采用假彩色增强技术,从而克服黑白正、负片密合处理时存在强直流分量致使差异信息不明显的缺点,实现了拷贝片的反差系统γ=+1,所得H-D曲线的线性区域动态范围较大。 相似文献
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本用低压金属有机气相外延技术和四溴化碳作为掺杂源生长重掺碳GaAs:C.由于采用了较高衬底温度,GaAs:C的空穴迁移率比相同空穴浓度条件下,用铍、锌等常用p型掺杂原子生长的GaAs高;中还分析了由于重掺碳引起的晶格收缩。 相似文献