800~1160 K下钢的氧化特性对发射率的影响

发射率是一项重要的表征物体表面辐射特性的热物性参数,与温度、测量波长、表面氧化、表面粗糙度等多种因素相关,研究其变化特征对红外测量有着重要意义。本文研究了在大气条件下,温度为800~1160 K范围内,测量波长为1.5 μm,带宽20 nm,钢SPHC样品的氧化特性对光谱发射率的影响。实验中每隔40 K为一个温度测量点,样品达到测量温度,持续加热3 h以上,每隔5 min记录一次光谱发射率的值。实验结果表明:①在相对低温阶段800 K、840 K铁与氧气生成三氧化二铁,该温度下氧化膜的增长主要来自这一反应过程;②在960 K左右三氧化二铁与铁反应生成氧化亚铁,这一阶段在测量温度下缓慢进行,需要较长时间样品表面光谱发射率才趋于稳定;③在1120 K以上,光谱发射率基本保持不变,样品表面氧化亚铁氧化膜快速形成。另一方面,我们拟合了在相同的加热时间里,温度对光谱发射率的影响,得出不同加热时间下温度与发射率之间的关系模型与实际模型之间描述非常准确一致。最后,实际应用中,在测量钢铁的温度时,应充分考虑由于空气中表面氧化对光谱发射率带来的影响。     

新型Chen-Mobius保密通信系统的研究及FPGA实现

提出了一种新型Chen-Mobius通信系统,并简要介绍了该系统基于DE2平台的FPGA设计、功能仿真和硬件实现。     

嵌入式裸机程序的启动及运行

从单片机开发转到嵌入式系统开发,第一个需要解决的难点就是嵌入式裸机程序的开发环境及其启动运行。文中首先介绍目前嵌入式裸机程序的两种开发环境,集成开发环境和交叉编译开发环境,并比较各自的特点及优势。然后分析以ARM9为内核的经典入门级芯片S3C2440的NAND FLASH启动和NOR FLASH启动的特点和原理,同时分析以Cotex-A8为内核的应用级芯片S5PV210的多种启动方式和原理。最后,分别详述S3C2440芯片集成开发环境下NOR FLASH启动运行裸机程序的过程;S5P6818芯片交叉编译下U-boot启动运行裸机程序的过程;以及S5PV210芯片交叉编译下SD卡启动运行裸机程序的过程。