排序方式: 共有12条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
碲锌镉(CdZnTe)是制备X射线、(y)射线探测器的一种理想半导体材料.CdZnTe欧姆接触电极是制备CdZnTe核辐射探测器的关键技术之一.表面加工状态是影响欧姆接触性能的重要因素,文中研究了4种表面处理工艺对Au-CdZnTe电极接触性能的影响.研究发现对晶片表面进行溴甲醇腐蚀处理和机械化学抛光均有助于提升Au-CdZnTe电极欧姆接触性能.对晶片进行机械化学抛光后再进行溴甲醇腐蚀处理,使用这种晶片所制备的电极具有更加优良的综合电学性能. 相似文献
2.
3.
通过研究碲锌镉衬底(112)B面缺陷腐蚀坑和(111)B面缺陷腐蚀坑之间的关系,揭示了(112)B面腐蚀坑与材料缺陷之间的关系.结果显示,Everson腐蚀剂在碲锌镉材料(112)B面上揭示的棒状腐蚀坑起源于材料中的体缺陷,或由延伸缺陷腐蚀坑在缺陷终止后演变而成,三种典型形状的锥形腐蚀坑分别来自延伸方向为<110>、<... 相似文献
4.
5.
以锆酸丁酯为源,通过溶胶凝胶法制备了一种光敏ZrO2溶胶,在熔石英表面通过提拉法镀制具有负性光刻胶性质的光敏凝胶薄膜。在此基础上,设计色分离光栅(CSG)的结构,通过二次曝光、显影过程,制备了具有三台阶结构的CSG。对光栅形貌进行表征,周期为210μm,单台阶高度约为500nm,光栅面积为30mm×30mm。采用Nd:YAG激光器对衍射效率进行了测量,测得CSG对355nm激光衍射效率达到约88.4%,1064nm及532nm激光的衍射效率分别为5.7%和4.2%。 相似文献
6.
7.
碲锌镉(Cadmium Zinc Telluride, CZT)是碲镉汞(Mercury Cadmium Telluride, MCT)红外焦平面器件的重要衬底材料,其合成过程存在强烈的放热现象。因此控制放热是CZT多晶材料合成工艺平稳进行的基本条件。通过改变初始旋转倾角可有效调控合成反应的放热强度和放热速率:大倾角有利于获得缓慢且稳定的工艺过程。基于实验结果和热力学计算分析可知,合成反应经过镉-碲的液-固相反应和液-液相反应两个阶段完成。同时实验结果表明,反应的放热量大小决定了在高温下是否会发生第二次反应。最后对二次反应发生的相关机理进行了分析。 相似文献
8.
9.
10.
采用富碲垂直液相外延技术实现了50 mm×50 mm×3高性能碲镉汞外延材料的制备.外延工艺的样品架采用了三角柱体结构,并设计了防衬底背面粘液的样品夹具.为保证大面积材料的均匀性,工艺中加强了对母液温度均匀性和组分均匀性的控制,50 mm×50 mm外延材料的组分均方差达到了0.000 4,厚度均方差达到了0.4μm.在批量生产技术中,加强了对单轮次生长环境的均匀性和生长轮次之间生长条件一致性的控制,同一轮次生长的3片材料之间的组分偏差小于0.000 4,厚度偏差小于0.1μm,不同生长轮次之间材料的组分之间的波动在±0.002左右,厚度之间的波动在±2μm左右.工艺中对碲锌镉衬底的Zn组分、缺陷尺寸和缺陷密度也加强了控制,以控制大面积外延材料的缺陷,晶体双晶衍射半峰宽(FWHM)小于30弧秒,外延材料的位错密度小于1×105cm~(-2),表面缺陷密度小于5 cm~(-2).外延材料经过热处理后,汞空位型的P型Hg0.78Cd0.22Te外延材料77 K温度下的载流子浓度被控制在8~20×1015cm-3,空穴迁移率大于600 cm2/Vs.材料整体性能和批生产能力已能满足大规模碲镉汞红外焦平面探测器的研制需求. 相似文献