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This paper reports the dark conductivity and photoconductivity of amorphous Hg_(0.78)Cd_(0.22)Te thin films deposited on an Al_2O_3 substrate by RF magnetron sputtering.It is determined that dark conduction activation energy is 0.417 eV for the as-grown sample.Thermal quenching is absent for the as-grown sample during the testing temperature zone,but the reverse is true for the polycrystalline sample.Photosensitivity shows the maximum at 240 K for amorphous thin films,while it is higher for the as-grown ... 相似文献
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利用射频化学气相沉积法,通过硼的掺杂,在石英玻璃衬底上生长出P型微晶金刚石薄膜,范德堡法的测试表明,我们得到的薄膜最小电阻率为4×10-2Ω.cm,最大空穴迁移率为50cm/V.s;从电阻率与温度关系近似计算出杂质激活能 相似文献
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采用不同钝化工艺制备了一系列具有不同P/A比的变面积光电二极管器件.在77~147 K温度范围对器件R_0A和1 000/T关系进行了分析,结果表明在该温度区间器件暗电流主要以扩散电流占主导.对器件的R_0A分布进行了研究,77 K下HgCdTe薄膜内的体缺陷及非均匀性对器件性能产生了重要的影响;127 K下由于体扩散电流增加,缺陷对器件的作用显著弱化.77 K和127 K下器件R_0A随P/A比增大而减小,表明表面效应对器件具有重要的影响.基于Vishnu Gopal模型对器件1/R_0A值和P/A关系进行了拟合分析,证实了器件存在较大的表面漏电现象,且通过表面钝化工艺的改进,有效减小了表面效应对器件性能的影响. 相似文献
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我们对用分子束外延(MBE)技术生长出的Hg0.68Cd0.32Te薄膜进行了N离子注入并退火,分别得到了其室温喇曼散射谱及在不同温度下的远红外透射谱.喇曼散射谱可以观察到类HgTe的LO模的散射和TO模的散射,原生样品及离子注入样品在93cm-1附近有较弱的散射峰,经离子注入后该峰消失;远红外透射谱中分别可以观察到78cm-1(X)、86cm-1(I1)、93cm-1(LA)、104cm-1(Pd)以及121cm-1(TO2)、143cm-1(TO1)、156cm-1(LO1)等吸收峰,讨论了离子注入及 相似文献
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