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1.
随着教育信息化技术的发展,线上线下混合式教学模式已成为一种趋势。为了解决非全日制研究生课堂教学召集困难、效果不佳等问题,提出了基于“互联网+虚拟仿真技术”的线上线下混合式教学模式。本文以控制工程专业学位研究生为例,结合《现代电气控制技术》课程,探讨了线上线下混合式教学实现途径、师生互动方法、项目驱动案例教学法以及电气控制系统虚拟仿真实验平台的构建方法,切实提升非全日制研究生的培养质量。 相似文献
2.
4.
现有对混凝-膜过滤过程中膜污染的预测分析,一般采用XDLVO理论对光滑界面的作用能进行计算,但混凝絮体表面形态会对预测结果产生较大的影响。利用正弦波球体模型对粗糙腐殖酸(HA)絮体表面进行模拟,并通过表面元素积分法(SEI)结合XDLVO理论与复合辛普森规则,对不同粗糙程度的混凝絮体与聚偏氟乙烯(PVDF)膜的界面作用能进行量化模拟;并将结果与传统XDLVO理论模拟的光滑界面作用能进行了比较。实验结果表明,该模型适用于混凝-膜过滤体系中絮体界面作用能的模拟,同时在模拟过程中,由于粗糙度的不同会导致界面作用能在数值上存在1~2个数量级的差异;并且粗糙的絮体较完全光滑的絮体与膜污染趋势的拟合程度更高,即引入絮体表面形态对利用絮体与膜界面间相互作用能表征膜污染趋势的置信度更高。 相似文献
5.
为研究固液两相磨粒流加工喷嘴小孔过程中的流场分布、涡旋形成规律及涡旋的存在对磨粒流加工的影响机制,采用Smagorinsky亚格子模型对磨粒流加工喷嘴小孔的流道进行大涡数值模拟,并使用磨粒流对变直径喷嘴工件进行加工试验。数值模拟发现磨粒流流体中磨粒与壁面的碰撞与剪切作用随流体的速度增大而增大,同一截面的速度存在速度差,其中还伴随涡旋的存在;通过试验研究发现:经固液两相磨粒流加工后的喷嘴小孔表面质量得到明显提高,喷嘴经过四次不同入口速度的磨粒流加工后大孔处表面粗糙度Ra由1.24 μm降至0.542 μm,小孔处表面粗糙度Ra由1.21 μm降至0.437 μm。结论显示固液两相磨粒流加工技术可有效提高被加工喷嘴工件的内表面质量,加工时同一截面的速度存在速度差,速度差的存在利于涡旋的形成,涡旋的存在利于提高磨粒流加工过程的剪切作用,有助于获得高质量的喷嘴小孔内通道表面。 相似文献
6.
针对破碎围岩稳定性差、深部矿压显现剧烈等难题,结合大尹格庄金矿现有采矿工艺,提出预控顶分段嗣后充填技术。在阐述预控顶分段嗣后充填技术特点、施工工艺、技术关键的基础上,采用正交实验优化充填材料配比,重点采用理论分析和数值模拟相结合的方式优化设计采场结构参数。实践表明,预控顶分段嗣后充填技术在各矿得到广泛应用,效益显著。 相似文献
7.
研究了磁性离子交换树脂和超滤膜组合工艺对微污染水源水的协同净化性能,并对膜污染进行了分析。结果表明,MIEX对有机物有很好的去处效果,主要去除对象为分子质量低于3 k的腐殖质类有机物。MIEX+UF组合工艺对SUVA、CODMn和DOC的去除率分别为71.61%、60.34%和51.46%,出水浊度维持在0.1 NTU以下。三维荧光光谱显示,原水中的有机物主要为陆生腐殖质类物质,组合工艺对其有很好的去除效果。膜污染分析表明,MIEX预处理虽然对UF进水中的有机物具有很好的去除效率,但却不能有效减缓UF膜污染,运行过程中膜污染阻力仍然在膜过滤总阻力构成中占最大比例(46.75%)。因此,采取措施减缓膜污染是进一步提高该组合工艺效能的关键 相似文献
8.
基于数值模拟的方法研究了不同填充密度和不同曝气强度下短程混凝-膜过滤工艺中膜清洗过程反应器内流场特性。结合絮凝动力学理论,引入微涡旋尺度参数来判定影响絮体形成的流场状态,以评估膜清洗过程中曝气强度对絮体形成及膜清洗效果的影响,并用实时图像技术对模拟结果进行验证。研究结果表明,反应器填充密度为7.38%,气水比为15:1时,反应器内平均有效能耗适中,且形成的微涡旋尺度也适中,不会对絮体产生明显的破坏作用,有利于形成较大尺寸的絮体;同时在膜组件附近产生较强的水流剪切速度,使膜面得到有效的清洗。结合实验分析,反应器填充密度为7.38%,气水比为15:1时,反应器内形成的絮体粒径较大且与数值模拟得到的微涡旋尺度相近,上清液UV254和TOC值最低,去除效果最好。 相似文献
9.
10.
为了提高钛合金表面的疏水性能,采用润湿理论模型与多物理场耦合仿真相结合的方法,建立接触角与掩膜电解加工工艺参数之间的直接映射关系,揭示微坑阵列掩膜电解加工对表面疏水性能的作用。建立接触角与微坑阵列几何尺寸间的表面疏水理论模型,对掩膜电解加工进行多物理场耦合仿真;理论模型与仿真结果相结合,获得了接触角与掩膜电解加工工艺参数之间的直接映射关系。此外,以表面接触角为因变量,以电解质质量分数、掩膜尺寸和电解电压为自变量,进行正交试验仿真和计算,获得了最佳工艺参数组合并进行试验验证。与仿真计算相比,试验测量得到的微坑阵列直径、间距、深度、表面接触角误差分别为2.49%、6.87%、7.40%、6.01%,从而表明该方法在未经低表面能材料修饰的情况下,成功制备接触角约为141°的微坑阵列疏水表面。 相似文献