应用于THz辐射的ZnTe单晶生长及测试

利用Te溶剂方法生长出ZnTe单晶.经X射线衍射测试,发现晶锭中存在沿(110)晶向生长的大晶粒,可以切出10mm×10mm的单晶片.傅里叶红外变换光谱仪测得ZnTe晶体在2.5～20μm波段的红外透过率约为61%.通过测可见-红外波段的透射光谱,得出禁带宽度为2.24eV.利用飞秒激光作用在一块ZnTe单晶同时产生-探测THz脉冲,观察到0.18ps的THz辐射场分布,相应的频谱分布为5THz.     

碲-熔剂方法生长ZnTe单晶的太赫兹辐射及探测

通过Te熔剂方法生长出<110>晶向的ZnTe单晶,利用X射线衍射(XRD)及拉曼光谱对该材料进行了测试.详细研究了太赫兹时域光谱系统中该ZnTe单晶作为激发和探测晶体的辐射和探测特性.结果表明在钛-宝石激光器的泵浦下,Te熔剂方法生长的<110>晶向的ZnTe晶体表现出良好的THz辐射性能,室温下激发频谱可达3THz以上.     

亚毫米波高次谐波混频检测远红外激光

用光学和微波技术设计了一种交叉波导结构的肖特基势垒二极管(S.B.D.)亚毫米波高次谐波混频器,成功地应用于远红外激光检测及其谱线频率的精密测量,并获得满意的结果。     

谐波混频接收远红外(432.6μm)激光辐射

当高次微波谐波与亚毫米波辐射直接混频时,由于肖特基势垒二极管(S.B.D)强烈的非线性特性,产生大的信号电平,使谐波混频具有可能。取本振某一高次(第n次)谐波频率接近被接收信号频率的S.B.D谐波混频器,可采用频率低至毫米波段(仅为亚毫米波辐射频率的1/n倍)的功率源(速调管或固态源)作本振,以谐波混频方式接收亚毫米波辐射。在缺     

GaAs肖特基二极管外差接收系统用于托卡马克电子回旋辐射的诊断

本文给出了采用GaAs肖特基势垒二极管外差接收系统诊断CT-6托卡马克二次谐波非寻常模电子回旋辐射的实验结果。GaAs肖特基势垒二极管外差接收系统的工作频率为64～72GHz,其最小可探测功率小于10~(-10)W(中放带宽为500MHz),用于CT-6托卡马克电子回旋辐射的诊断具有足够的探测灵敏度、空间分辨率和时间分辨率。     

应用于THz辐射的ZnTe单晶生长及测试

利用Te溶剂方法生长出ZnTe单晶.经X射线衍射测试,发现晶锭中存在沿(110)晶向生长的大晶粒,可以切出10mm×10mm的单晶片.傅里叶红外变换光谱仪测得ZnTe晶体在2.5～20μm波段的红外透过率约为61%.通过测可见-红外波段的透射光谱,得出禁带宽度为2.24eV.利用飞秒激光作用在一块ZnTe单晶同时产生-探测THz脉冲,观察到0.18ps的THz辐射场分布,相应的频谱分布为5THz.