用Ar气制备C—60的研究

在ｋｒａｔｓｃｈｍｅｒ碳弧法中用Ａｒ代替Ｈｅ制出Ｃ－６０。研究了Ａｒ压力为１．３３－９０．６４ｋＰａ时产的Ｃ－６０碳灰，功率消耗，提取率等的关系，并与用Ｈｅ制Ｃ－６０作了比较。     

无定形金刚石膜的光学性质

采用磁过滤真空溅射离子沉积技术，研究了不同衬底负偏压下制备的样品的吸收光谱和光能隙，用632．8nm的椭圆偏振仪测量了膜的厚度和折射率．结果表明：衬底负偏压Vb在-50—20V范围内制备的样品，其光吸收主要是态的吸收，膜中有较多的SP3组份，光能降为3．1～3．4eV，形成无定形金刚石薄膜（a—D）     

非晶金刚石薄膜的拉曼光谱研究

碳离子的能量是影响非晶金刚石薄膜结构和性质最关键的工艺参数．采用磁过滤真空溅射离子技术,研究不同衬底偏压Ｖ_ｂ（即不同碳离子能量）下制备的非晶金刚石薄膜的拉曼光谱和表面形貌．结果表明：－５０Ｖ≤Ｖ_ｂ≤－１０Ｖ时,样品表面均匀、光滑,拉曼谱是对称且很宽的散射带;Ｖ_ｂ＞－１０Ｖ或Ｖ_ｂ＜－５０Ｖ时,已有晶团出现,表面粗糙度明显增加,拉曼谱明显地分裂为１５８０ｃｍ^－１的Ｇ带和１３５０ｃｍ^－１的Ｄ带．     

非晶硅(氢)的光诱导红外吸收变化特性

非晶硅(氢)——α-Si:H的光诱导亚稳效应——Staebler-Wronski效应,由于它对材料基本性质研究和实际应用方面具有重要意义,近几年来受到极大的重视。作者最近发现了一种新的亚稳效应,即样品在长时间光照后,其氢硅键的红外吸收特征峰会显著增大,而退火可以使其恢复至接近于原来的数值。并提出一个简单的模型试图解释这种效应的机     

碳包Ni纳米晶的形成及其特征

用直流碳弧法制备出碳包Ｎｉ金属纳米晶，在石墨阳极复合棒中掺入不同组份的Ｎｉ，研究其对碳包Ｎｉ纳米，富勒烯等碳微团特性的影响。     

非晶CN薄膜的制备及性质

采用磁过滤真空溅射离子沉积技术制备了一组非晶ＣＮ薄膜，利用红外光谱，紫外－可见吸收光谱和电导测量研究了其光学和电学性质，用Ｘ射线光电子能谱确定膜中Ｎ的原子百分比，结果表明ａ－ＣＮ膜有２２００，１５００和１３５０ｃｍ＾－１三个吸收带，表明Ｃ和Ｎ是以化学共价键形式结合的。这种膜有较宽的光能隙４．１４ｅＶ，极代的电导率１０＾－１５（Ω．ｃｍ）＾－１，膜中Ｎ原子百分比最大为４７％。     

碳弧法中碳包Fe纳米晶及其相关碳微团的形成

用直流碳弧法在阳极石墨棒中加入α－Fe2O3产生碳包Fe纳米晶,研究在复合石墨棒中加入不同的Fe2O3含量对碳包Fe纳米晶的形貌、结构特性及晶粒尺寸分布的影响,探讨碳包Fe纳米晶的形成原因及碳弧法中氦气压力和Fe2O3含量对复合石墨棒所产生的碳灰的C60／70产率的影响．结果表明：Fe2O3复合石墨棒所产生的碳灰含有α－Fe相、Fe3C相和石墨相,没有氧化物相．复合阳极棒中的Fe2O3含量决定了碳包Fe纳米晶的数量和晶粒直径分布,碳弧法中的He气压力仍是影响掺Fe2O3阳极棒所产生的碳灰的C60／70产率的主要因素,但对碳包Fe纳米晶的产率影响不大.掺Fe2O3阳极棒所产碳灰的C60／70产率与氦气压力的关系和纯石墨阳极棒的这一关系比较,存在着显著的差别．     

碳包Ni纳米晶的形成及其特性

用直流碳弧法制备出碳包Ni金属纳米晶.在石墨阳极复合棒中掺入不同组份的Ni，研究其对碳包Ni纳米晶，富勒烯等碳微团特性的影响结果表明：碳包Ni纳米晶含Ni和石墨，不含碳化物和氧化物；纳米品数量随Ni增加而增加．而纳米晶的粒径出现极值；Ni催化碳微团石墨化并使C60／70产率下降；碳包Ni金属纳米晶单位质量的饱和磁化强度随Ni的增加而增加     

射频溅射a-Si:H样品的光诱导光学吸收的变化

<正> Staebler和Wronsiki于1977年发现a-Si∶H样品在长时间强光照射以后会引起光、暗电导率降低,而在150℃以上的温度下退火能得到恢复.以后人们又发现强光曝照还会诱导a-Si∶H的其它一些性质的改变:光致发光光谱、电子自旋密度、能隙的态密度变化、扩散长度、太阳电池性能等的变化.这种光致特性变化在硫属玻璃中早有发现,并曾被归因于不同的局部性质,如孤对非键合轨道.但是,这些机理显然不适用于非晶态硅这类四面体键合材料.加之这种亚稳态对器件的性能影响极大,因此,近年来受到广泛的重视,进行了大量的研究工作,对此现象的来源和作用机理提出种种的模型,但至今尚未得到公认的合理结论.     

氦气压力对碳纳米管形成的影响

用热重分析和差热分析研究地流碳弧法中氦气压力对阴极沉积物－含纳米管碳灰中碳纳米管形成的影响，并与Ｃ６０／７０和石墨的ＤＴＡ曲线比较，结果表明：在研究范围内，氦压越高，碳纳米管与碳纳米粒子的比率越高。可用控制氦气压力调整碳纳米管与碳纳米粒子的比例。