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本文主要研究As_(40)S_(60-x)Se_x系列蒸发薄膜可逆的光黑化效应和光致结构变化。测量了透过率随温度的变化、光照后光学吸收边的移动以及在不同温度下光照以后透过率随时间的变化;讨论了光黑化现象的起因。我们认为光黑化效应是由结构无序度的变化引起的,而结构无序度的变化则是由光照后缺陷态的变化引起的。 相似文献
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