2～5μm InAs/GaSb超晶格红外探测器

采用分子束外延方法在GaSb和GaAs衬底上生长了不同周期厚度的InAs/GaSb高质量Ⅱ型能带结构超晶格红外探测器,其探测波长覆盖2～5 μm红外波段.采用高分辨透射电子显微镜、原子力显微镜、X射线衍射测试、室温与低温光电流响应谱及室温与低温光荧光谱等多种测试手段检验了分子束外延生长在不同衬底上的超晶格材料质量与光学...     

2μm InGaSb/AlGaAsSb应变量子阱激光器的MBE生长研究

摘要：对InGaSb/AlGaAsSb应变量子阱和GaSb接触层掺Te的MBE生长进行了研究。通过原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)设备、光致发光谱(PL)测试,对应变量子阱的生长参数进行了优化。量子阱室温PL测试,发光波长为1.98 μm,半峰宽为115nm。通过Hall测试优化了GaSb外延掺Te的生长参数,最优的掺杂浓度为1.1271018 cm-3,电阻率为5.29510-3Ω?cm。     

窄脉冲保形全方位离子注入技术

叙述了全方位离子注入过程中,由于被处理零件与其周围离子鞘层之间厚度的增加,引起零件与鞘层之间保形性变差,导致零件表面注入剂量不均匀性;文中系统分析了注入电压、等离子体密度、脉冲宽度和脉冲频率等处理工艺参数对注入剂量不均匀性的影响,用鞘层动力学计算机数值模拟方法从理论上研究了轴承内外圈处理中工艺参数对注入剂量不均匀性的影响,并用实验方法进行了测量验证,理论研究和试验测量结果的一致性,说明所提出的窄脉冲保形全方位离子注入技术完全适用于复杂形状零件表面均匀强化处理。     

压缩空气作为城市家用轿车动力的可行性分析

为了定量分析压缩空气作为城市家用轿车动力的可行性,介绍了压缩空气作为车用动力的工作原理。在此基础上,从续驶里程、能量利用率和使用经济性等方面分析了压缩空气作为城市家用轿车动力的可行性。提出了一种新的高压气体的产生方式,突出了空气动力的环保优势。分析结果表明:压缩空气作为车用动力在技术上是可行的,并且具有绿色、零污染的优点。     

10 Gbit/s 850 nm pin光电二极管

GaAs pin光电二极管在数据通信领域发挥着重要的作用,在综合考虑了高速光电探测器的频率特性和响应度的基础上,给出了AlGaAs/GaAs pin光电二极管结构参数的最优化设计,使其在频率响应特性上满足10 Gbit/s的要求。着重研究了在半导体制作工艺中所涉及的光刻、腐蚀、表面钝化以及欧姆接触等问题,研制出暗电流小、响应速率高、响应度高而且可靠性良好的短波长高速pin光电二极管。在产品应用之前的可靠性测试中,老化时间大于2 000 h的情况下仍能保持良好的暗电流特性,满足工业化生产的条件。     

大功率低偏振度超辐射发光二极管的研制北大核心CSCD

超辐射发光二极管(SLED)是一种非相干性光源,具有激光器功率大,耦合效能高的优点,同时也有着频谱宽、相干长度短等特点,可以应于光学相干层析技术和波分复用技术等领域。未来的发展方向是更大的功率,更大的带宽以及更低的消光比。本论文研究了1310 nm波段具有掩埋异质结构的高性能SLED芯片的设计与波导工艺制作,采取7°倾斜波导并镀上反射率小于0.1%的增透膜。经测试该SLED芯片具有大的饱和出光功率(超过20 mW),低的偏振消光比(低于0.5 dB),以及良好的光谱特性(3 dB光谱带宽大于50 nm,光谱纹波小于0.1 dB)。     

高速钢的简易淬火法

一般小工厂里没有高温盐浴炉,对高速钢的淬火加热较困难。可以采用氧-乙炔焰来加热。温度控制可以用铸铁的熔点来判断。因为一般铸铁的熔点在1200多度,当铸铁熔化时,即是高速钢的淬火温度。在此温度保温几分钟后于油中冷却,然后在560℃进行二、三次回火即可使用。     

改革《中国社会主义建设》课的思考

改革《中国社会主义建设》课的思考汤宝一关键词：《中国社会主义建设》课，教学改革随着我国社会主义现代化建设事业蓬勃发展、改革开放的深入和扩大，特别是党的十四大召开以来，社会主义建设的理论、实践、方针政策都出现了许多新事物、新情况和新问题。大学生们面对震...     

Molecular beam epitaxy growth of InGaSb/AlGaAsSb strained quantum well diode lasers

2μm InGaSb/AlGaAsSb strained quantum wells and a tellurium-doped GaSb buffer layer were grown by molecular beam epitaxy（MBE）.The growth parameters of strained quantum wells were optimized by AFM, XRD and PL at 77 K.The optimal growth temperature of quantum wells is 440℃.The PL peak wavelength of quantum wells at 300 K is 1.98μm,and the FWHM is 115 nm.Tellurium-doped GaSb buffer layers were optimized by Hall measurement.The optimal doping concentration is 1.127×10¹⁸ cm^-3 and the resistivity is 5.295×10^-3Ω·cm.     

掺Te 的GaSb薄膜分子束外延生长及缺陷特性

分析了非掺GaSb材料及在GaAs衬底上用分子束外延生长掺杂Te的GaSb薄膜材料的缺陷特性,主要应用正电子湮没多谱勒展宽谱方法,并结合原子力显微镜和X射线衍射测试进行.多谱勒展宽谱研究表明,采用分子束外延法生长的掺杂Te的n型半导体GaSb薄膜材料的S参数比体材料小,所得缺陷主要是单空位与间隙原子,而几乎无复合体的缺陷类型.