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采用全反射X射线荧光光谱(total reflection X-ray fluorescence,TXRF)和X射线光电子能谱(X-ray photo-electron spectroscopy,XPS)检测方法研究InAs衬底化学机械抛光后经过不同湿法化学溶液联合作用后衬底表面的金属杂质残留浓度和氧化物组分的变化。湿法化学清洗后的InAs表面检测到金属杂质Si,K和Ca,它们的浓度随溶液组合的变化而变化。金属杂质残留浓度较高的InAs衬底表面同时也测得较多粒径为80 nm的颗粒。提出了一种行之有效的InAs衬底湿化学清洗方法,可制备出金属杂质残留少、颗粒少、氧化层薄InAs衬底表面,此表面有利于MOCVD方法生长高质量InAs/GaSb超晶格红外探测器外延。 相似文献
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以前的文章中已就实验方法和供氧速度产生的影啊进行了论述、这里再就原油比重、油饱和率以及油层压力产生的影响进行述,并就反应机理进行探讨。 相似文献
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石油等矿场开发工作中,大都是采用钻井开采钩方法。因而钻削工具就成了研究的重点。本文通过大量的实验过程,获得了一系列可靠数据,并在此论文中论述了PDI钻头的各种优点。从而证明了PDI钻头优于目前常用的无轴承钻头。特别是在硬质的岩石掘削中,更显现了其优越性能。 相似文献
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Beta-type gallium oxide (β-Ga2O3) is a new attractive material for optoelectronic devices. Different methods had been tried to grow high quality β-Ga2O3 crystals. In this work, crystal growth of Ga2O3 has been carried out by chemical vapor transport (CVT) method in a closed quartz tube using C as transport agent and sapphire wafer as seed. The CVT mass flux has been analyzed by theoretical calculations based on equilibrium thermodynamics and 1D diffusional mass transport. The crystal growth experimental results are in agreement with the theoretical predictions. Influence factors of Ga2O3 crystal growth, such as temperature distribution, amount of C as transport agent used, have also been discussed. Structural (XRD) and optical (Raman spectroscopy, photoluminescence spectrum) properties of the CVT-Ga2O3 crystal are presented. 相似文献
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本文对目前化工部推荐执行的国际电工委员会IEC标准与美国梅索尼兰公司的计算方法进行对比,分析了其中的差异,向读者推荐计算简便且具有一定计算精度的平均重度修正法。 相似文献
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