Ga_(1-x)Al_xAs和GaAs_(1-x)P_x混晶的长波长光学声子谱

本文报道Ga_(1-x)Al_xA_o和GaAs_(1-x)P_x混合晶体系统的拉曼光谱的测量结果.证实两种材料都呈现典型的“双模”行为.从拉曼光谱的测量结果得到了长波长光学声子模频随组分的变化关系.在修正的等位移模型的基础上,提出一种简化模型:忽略次邻力的作用,仅考虑近邻力和极化场的作用,并假设近邻力常数随组分线性变化.没有任何调节参数,计算了长波长光学声子模频的组分关系.计算结果和实验符合较好.     

Ga_(1-x)Al_xP混晶的长波长光学声子谱

本文报道Ga_(1-x)Al_xP混晶的室温喇曼散射测试结果。所用的样品用液相外延方法生长在〈111〉晶向的GaP衬底上。混晶组分x值在0.16—0.65之间。实验结果表明,Ga_(1-x)Al_xP混晶的长波长光学声子谱呈现双模行为,具有类GaP和类AIP两个光学支。     

LPE G_(al-x)Al_xA_s/G_aA_s界面缺陷观察

本文用1000kv高压透射电子显微镜,研究了LPE Gal-xAlxAs/GaAs界面缺陷,观察到异质结Gal-xAexAs/GaAs界面附近存在的位错网络的平面和剖面分布形貌,分析了位错网络的分布特征,用高阶衍射明场和弱束暗场技术,观察到界面位错网络和Gal-xAlxAs/GaAs界面的位置关系。     

多孔硅微细加工及其在微型传感器中的应用（一）

我们正面临着一场新的技术革命,微细加工和微型器件就是这场革命的主题。随着微细加工技术的飞速进步和微型器件的大量涌现,国民经济和科技研究的各部门都在发生深刻变化。根据这种迅猛发展的势头,人们有理由预言,微细加工和微型器件在今后几十年内改变世界面貌,就像微电子技术在前几十年内改变世界面貌那样巨大。 所谓微细加工就是用硅作材料或在硅片上制造各种微型的机械零部件,因此硅的加工技术和集成电路制造技术是微细加工产生和发展的基础。用微细加工制造的微结构种类很多,最常见的有梁、膜、沟槽、喷嘴、腔体、     

AlGaP固溶体的电反射光谱

研究了Al_xGa_(1-x)P液相外延层(x≤0.58)在2.0eV到5.5eV范围内的电反射调制光谱,对测量的光谱结构进行了分析,得到了AlGaP中E_0、E_1、E_0~＇、E_2各临界点随组分x的变化、有关结构的加宽参数和相对强度.从GaP和AlP的能带出发,对AlGaP固溶体各临界点处的能隙随x的变化按虚晶近似进行了讨论.     

在Ga_xAl_(1-x)As和Ga_xAl_(1-x)P混合晶体中长波长光学声子谱

实验上一般用喇曼光谱和红外反射谱两种方法研究混合晶体材料的长波长光学声子谱,但红外反射谱的结果分析在一定程度上依赖于分析方法并利用调节参数。而喇曼光谱的结果直接给出了长波长光学声子模的频率,带宽和强度。我们测量了不同组份的Ga_xAl_(1-x)P和Ga_xAl_(1-x)As混合晶体材料的喇曼光谱。对Ga_xAl_(1-x)As,我们着重补充富AlAs(x≤0.5)材料的测量结果;对Ga_xAl_(1-x)P,我们着重讨论     

多孔硅微细加工及其在微型传感器中的应用（二）

多孔硅微细加工的压阻压力传感器 微型压力传感器是在60年代末出现的,微细加工技术就是从此开始发展的。上面所述的各向异性化学腐蚀、电化学腐蚀和硅片直接融结等都已用来制造微型压阻压力传感器。微型压阻压力传感器尚需解决的问题是制造工艺太复杂、生产成本太高以及不易制造高灵敏的微压传感器等。针对这种情况,本文