微通道板表面羟基化工艺研究北大核心

研究了3种微通道板基底羟基化的方法,测量了羟基化处理后微通道板基底表面水接触角及通道端面的形貌变化,分析了各种方法中微通道板基底的亲水性和腐蚀情况。实验结果表明:氨水双氧水溶液对基体表面的亲水性能提升不大,NaOH溶液对基体有腐蚀作用,经食人鱼溶液处理的基体表面亲水性明显提高且无腐蚀作用。研究了微通道板在食人鱼溶液中的浸泡时间和浸泡温度对表面亲水性的影响。结果表明:随着浸泡温度的增加,微通道板表面水接触角先减小后增大,当温度为80℃时达到极小值,浸泡时间对微通道板表面的亲水性影响不大。最终确定了微通道板表面羟基化工艺:浸泡温度为80℃,静置时间为20~60 min。     

Si-MCP连续打拿极的制备

本文阐述了MCP连续打拿极传统的制备方法,并提出采用半导体技术制备S i-MCP连续打拿极的新途径,通过对比进一步总结出采用新方法制备MCP连续打拿极的优越性。     

平庄煤田古山矿区辉绿岩对煤层煤质的影响

平庄煤田古山矿区辉绿岩侵入体发育,产出形态以岩床为主,岩墙次之,零星岩脉.辉绿岩对煤层的赋存、煤质变化产生了很大影响.煤的变质作用以接触变质为主,深成变质次之.接触变质带可进一步划分为岩焦混杂带、天然焦带、焦化煤带、正常煤带.     

密闭取芯工艺在陕西吴旗油井的应用

密闭取芯工艺适应于油田中后期开发，通过密闭取芯工艺，取得真实的地区资料，为吴旗油田今后的开发工作，提供了依据。     

严把企业标准备案关 树立强制性标准的严肃性

我们在日常检查中发现,许多有国家强制性标准的产品,经过企业的改名换姓,制定了企业标准,并顺利地通过了当地有关部门的备案。而这些备案的企业标准与国家强制性标准严重冲突：按国家强制性标准检验为不合格的产品,按企业标准检验却是合格的,给我们的监督检验工作造成了十分尴尬的局面。     

硅微通道板微加工技术研究

微通道板(MCP)是二维通道电子倍增器,广泛用于电子、离子、紫外辐射和X-射线的探测与成像。提出一种硅微通道板(Si-MCP)制备工艺,分别采用干法刻蚀和电化学腐蚀微加工技术制备了硅微通道阵列（SMA）。重点研究了硅感应耦合等离子体刻蚀和光电化学腐蚀的特性,结果表明：硅光电化学腐蚀技术易于制备高长径比微通道,微通道侧壁更光滑、可制备倾斜通道、更适合制备Si-MCP. 制备出通道周期为6 μm、长径比大于50的SMA结构。采用厚层氧化实现了Si-MCP基体绝缘,采用原子层沉积工艺制备了连续倍增极,制作出Si-MCP样品。测试结果表明,采用半导体微加工技术制备的Si-MCP电子增益特性具有可行性。     

广西富川的风雨桥(下)

二、青龙风雨桥建造在回澜风雨桥南下五百余米的黄沙河上,两桥是恰成阴阳相合的姊妹桥,又叫做"福济桥"和"阴阳桥",创建于明代末期,比回澜风雨桥略晚。清嘉庆初(1796年)进行重修。道光二十年(1840年),将楼阁增高一半至三层,形成三重檐、歇山顶;内造木板楼三层,     

Simulation Investigation on Particle Transmission Characteristics of Two Different Ion Barrier Films

The simulation calculation and analysis of electron transmittance and ion stopping power for ion barrier films （IBFs） of Al2O3 and SiO2 are performed by Monte Carlo methods. The interaction model between particles and solids are described. It is found that at the same conditions, the electron transmittance for SiO2 IBF is relatively higher than that of Al2O3 IBF, and the ion stopping power of SlOE IBF is relatively lower than that of Al2O3 by Monte Carlo simulations. It is also indicated that SiO2 is one of the ideal materials for fabricating IBFs.     

用于X射线闪烁屏的硅微通道阵列整形技术

为制备用于X射线闪烁屏的高开口面积比硅微通道阵列,研究了四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液温度和质量分数对硅(100)晶面和(110)晶面腐蚀速率的影响.通过金相显微镜观测硅微通道端面尺寸并计算腐蚀速率,分析了硅(100)晶面和(110)晶面腐蚀速率比对硅微通道阵列孔形的影响,探讨了TMAH溶液温度和质量分数与硅微通道阵列开口面积比的关系.研究表明,硅(100)晶面和(110)晶面的腐蚀速率比是影响硅微通道阵列开口面积比的主要因素.当硅(100)晶面与(110)晶面腐蚀速率比大于√2时,得到具有高开口面积比的正方形硅微通道阵列.使用质量分数为1％的TMAH溶液在40℃的溶液温度下,制备出开口面积比大于81％的正方形硅微通道阵列.通过高温填充CsI (TI)制备出基于硅微通道的X射线闪烁屏,X射线成像结果表明通道整形技术有助于提高闪烁屏的性能.     

基于信息安全管理软件的前景和发展趋势研究

研究信息安全管理软件的前景和发展趋势的背景在于"棱镜"引发的全球网络安全恐慌,网络世界的霸权和危险决定了自主研发信息安全管理软件的必须与必然.本文分析了信息安全的问题大爆发及其背后的根本原因与国内外信息安全管理软件技术的差异,并从密码技术、安全协议和其他三方面阐释了信息安全管理软件的前景和发展趋势.