排序方式: 共有22条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
静压下ZnS:Te中Te等电子陷阱的发光 总被引:2,自引:2,他引:0
研究了4块ZnS:Te薄膜样品(Te组分从0.5%到3.1%)的光致发光谱在常压下的温度特性.对于Te组分较小的2块样品观察到2个发光峰,分别来自Te1和Te2等电子陷阱;而对Te组分较大的2块样品则只观察到1个来自Te2等电子陷阱的发光.我们还研究了这些发光峰在低温1.5K下的流体静压压力行为.观察到与Te1有关的发光峰压力系数比ZnS带边的要大很多,而与Te2有关的发光峰压力系数则比带边小.根据Koster-Slater模型,价带态密度半宽随压力的增加是Te1中心有较大压力系数的主要原因,而Te1和Te2中心的不同压力行为则是由于压力对两者缺陷势增强的不同效果引起的. 相似文献
2.
3.
4.
研究了 Zn S1 - x Tex(0 .0 2≤ x≤ 0 .3)混晶的静压光致发光谱 .每块样品都观察到一个峰值比相应混晶带隙低很多的发光峰 ,来源于束缚在 Ten(n≥ 2 )等电子陷阱上的激子复合发光 ,且随压力 (0~ 7.0 GPa)而蓝移 .发光峰的压力系数比相应混晶带边的都要小 ,随着 Te组分的增加而减小 ,与混晶带隙压力系数的差别也越来越大 .由于压力下与发光峰对应的吸收能量逐渐接近并超过激发光的能量 ,与发光峰有关的吸收效率降低 ,发光峰积分强度随着压力增加而减小 .据此估算了 Ten 等电子中心的 Stokes位移 .发现 Stokes位移随着 Te组分的增加而减小 相似文献
5.
利用Ⅰ-Ⅴ特性曲线的实验值,可以简便地计算出Sohottky势垒中准费米能级变化的曲线,对于估计深能级的荷电状态有一定意义. 相似文献
6.
目前半导体中深能级探测的实验技术大致可以分为三类,即结电容技术、光谱技术和电子顺磁共振技术。本文介绍用光谱技术对N型砷化镓中若干深能级所做的研究,包括光荧光、阴极荧光与阴极荧光瞬态的测量,以及对深中心的能级、起源和电子-声子耦合等的初步分析。采用两种样品:在N型GaAs衬底上用MOCVD外延的N型GaAs(掺S)的样品和 相似文献
7.
8.
9.
扫描电镜阴极荧光技术不但有空间分辨的优点,也易于实现时间分辨。本文介绍延迟符合技术和利用该技术对砷化镓材料中缺陷荧光衰退过程的测量和分析。延迟符合技术原理示意于图一。以第一个光子事件为始脉冲、再设定一个终脉冲,其时间差由时间—幅度变换器检测,再转变为数字讯号存储在多道分析器(MCA)的相应道中。这样MCA中每一道的计数即代表在nΔt时刻,时间间隔Δt内光子发射的几率。这里n是道的序数,Δt是每一道的宽度。在适当的实验条件下,MCA输出的统计直方图就代表荧光衰弱的过程,由于采用(Sl阴极)光电倍增管探测及光子计数技术,有利于探测微弱讯号。 相似文献
10.
在 1 5 K和 0~ 9GPa静压范围下测量了 Ga N0 .0 1 5As0 .985/ Ga As量子阱的光致发光谱。观察到了 Ga NAs阱和 Ga As垒的发光 ,发现 Ga NAs阱发光峰随压力的变化比 Ga As垒发光峰要小很多。当压力超过 2 .5 GPa后还观察到了与 Ga As中的 N等电子陷阱有关的一组新发光峰。用二能级模型及测得的 Ga As带边和 N等电子能级的压力行为计算了 Ga NAs发光峰随压力的变化 ,但计算结果与实验结果相差甚大 ,表明二能级模型并不完全适用。对观察到的 Ga NAs发光峰的强度和半宽随压力的变化也进行了简短讨论。 相似文献