非晶态As_(40)S_(60-x)Se_x薄膜光黑化效应的研究

本文主要研究了As_(40)S_(60-x)Se_x系列蒸发薄膜可逆的光黑化效应和光致结构变化,测量了光黑化的程度与样品组分、温度、入射光强及波长等因素的关系。讨论了光黑化现象的起因,认为光黑化效应是由结构无序度的变化引起的,而结构无序度的变化则是由光照后缺陷态的变化引起的。     

非晶态As_(40)S_(60-x)Se_x薄膜光致结构变化的研究

本文主要研究As_(40)S_(60-x)Se_x系列蒸发薄膜可逆的光黑化效应和光致结构变化。测量了透过率随温度的变化、光照后光学吸收边的移动以及在不同温度下光照以后透过率随时间的变化;讨论了光黑化现象的起因。我们认为光黑化效应是由结构无序度的变化引起的,而结构无序度的变化则是由光照后缺陷态的变化引起的。     

S—Se系统玻璃半导体的制备及其性质(研究阶段进展报告)

叙述了S—Se系统玻璃半导体的组份、析晶及其性质。由玻璃的组份、析晶及分疑相的关系,确定了生成均质玻璃组份范围。研究揭示了玻璃组份与可见光谱特性和电导率的关系。测定了均质玻璃膜的光致光学性质,证明它是一种位相型光全息存储材料。     

掺硒硫砷玻璃的制备及其光存储特性

叙述掺硒硫砷玻璃的制备工艺,其蒸发薄膜具有高效率位相存储效应。在同一点上记录多达十八重全息位相光栅以及六重图象存储,衍射效率达35～42％,分辨率可达4000～4100线对/毫米,灵敏度可达340毫焦耳/毫米~2,它是一种有希望的高密度全息存储材料。