排序方式： 共有17条查询结果，搜索用时 328 毫秒
1.
利用集成电路中的光刻工艺，以玻璃为衬底，制作了高密度基因芯片，它能将数以万计的寡核苷酸固定于固相支持物，且具有高通量、并行性、微型化及自动化等特点． 相似文献
2.
基于Ka波段分布式MEMS移相器芯片微封装研究 总被引：1，自引：0，他引：1
本文提出一种适用于Ka波段分布式MEMS移相器的新型封装结构——具有垂直互连线的薄硅作为分布式MEMS移相器衬底，并用芯片微封装方法对移相器进行封装。采用CST模拟软件研究封装结构对移相器射频性能影响，模拟结构表明：当封装结构衬底厚度、垂直互连线半径和空腔高度分别为450μm、50μm和80μm时，Ka波段分布式MEMS移相器的插入损耗小于0．55dB，回波损耗优于12dB，相移量具有很好的线性关系，说明该新型封装结构非常适合RFMEMS器件低成本批量封装。 相似文献
3.
为降低Ka波段分布式MEMS移相器容性开关的驱动电压,提出不同形状新型低弹性系数铰链梁结构MEMS电容开关的机电设计概念.采用Intelli SuiteTM和ADS软件分析了三种梁结构MEMS电容开关的位移分布、驱动电压、机械振动模式和射频性能等参数,结果表明:所设计新型beam2结构MEMS电容开关具有优越的机电特性和射频特性,即开关的驱动电压为3V,机械振动模式固有频率都大于31kHz,在35GHz处插入损耗和回波损耗分别为0.082dB和18.6dB,而相移量可达到105.9o. 相似文献
4.
5.
介绍了一种基于扭转的新型低压电容式RFMEMS开关的设计.此开关在保留传统挠曲变形的基础上,引入了扭转变形,并利用Intelli Suite等软件进行仿真分析.理论分析和仿真结果表明:与传统弯曲变形不同,在扭转变形中,变形对臂的厚度远比宽度敏感;在保留传统挠曲变形的基础上,增加了扭转变形,将有效降低驱动电压.理论分析还表明增长扭转臂、从动臂可使驱动电压明显下降.通过优化结构设计,在扭转臂、从动臂长为180μm、120μm,臂宽为5μm,厚为1μm,驱动电极面积为120μm×120μm时,仿真得到驱动电压为1.5V. 相似文献
6.
利用有限元分析软件ANSYS对长方形和圆形两种霍尔器件的工作状态进行模拟,分析霍尔片(霍尔器件工件区域)结构尺寸与霍尔器件灵敏度的关系,研究形状对器件灵敏度的影响.结果表明:圆形霍尔片灵敏度比长方形霍尔片的高,当圆形霍尔片的半径与厚度比值为15时,灵敏度最高. 相似文献
7.
本文针对"硬件描述语言"课程理论和实践教学中存在的一些问题,详细介绍了该课程教学改革的思路和措施。笔者从课程定位和目标、教材建设、理论教学和实践教学等方面论述了教学改革的具体做法。通过深入改革教学内容、增加具有应用背景的设计实例以及建设多层次的实践教学体系,教学效果已得到明显改善。 相似文献
8.
设计了一种在近红外太赫兹波段产生电磁响应的超材料器件,该器件单元结构是由全对称的金属四开口谐振环与本征硅衬底组成.通过仿真模拟设计出合理的结构与尺寸的金属谐振环,达到想要的谐振效果.分析了表面电场强度与表面电流流向,以便了解电磁响应机理.通过光刻剥离工艺制备出四开口超材料谐振环,并基于光泵浦探测系统研究了太赫兹光谱透射... 相似文献
9.
通过太赫兹时域光谱技术对新型准同型相界组分的三元系弛豫铁电单晶铌铟镁酸铅–钛酸铅[0.24Pb(In_(1/2)Nb_(1/2))O_3–0.43Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3–0.33PbTiO_3(0.24PIN–0.43PMN–0.33PT)]进行测试,并采用时域有限差分法(FDTD),研究了不同厚度和不同电场诱导下单晶的THz波介电调制特性。结果表明:在0.1~1.0 THz频率范围内,厚度和电场都是影响材料介电调制性能的主要影响因素。在0.325 THz处,厚度分别为3、5和7μm时,对应的THz波调制深度分别为31.4%、43.7%和49.9%;在不同电场条件下,在0.543 THz处,调制深度达到了18.3%,而在0.903 THz处,调制深度达到了23.7%。 相似文献
10.