平面磨削加工尺寸在线检测装置

本文应用MCS-51系列单片机开发了一种经济型平面磨削加工尺寸在线检测装置,它可对具有随机断续的平面加工尺寸进行在线测量,其动态精度达到±0.01mm。     

一种轧辊在线修磨装置的轴向摆动机构

一种轧辊在线修磨装置的轴向摆动机构，包括传动电机、齿轮、齿条、外套、导向梁、移动导辊、导辊轴；传动电机的输出轴与齿轮相连，齿轮与齿条啮合；导向梁为工字形，上部开有凹槽，齿条及与其啮合的齿轮安装于凹槽中，导向梁左右两个凹槽中设置移动导辊：外套由前外套和后外套两部分合成，该前、后外套分别安装在导向梁两侧，各开有可设置导辊轴的安装孔，     

一种基于IF-MAP的可信网络连接架构

面对各式各样的外部攻击和内部攻击,各类安全产品及解决方案层出不穷。本文通过分析IF-MAP协议,论述了基于IF-MAP的可信网络连接架构的结构和思想,阐述了其工作原理。通过实时共享网络中信息,对终端的接入及其在网络中的应用进行有效的控制管理,极大的保证了网络系统的安全性和可信性。     

帘线钢精炼过程碳还原氧化钛理论分析

帘线钢中含钛夹杂物尺寸和数量是衡量帘线钢质量的一个重要指标.帘线钢精炼过程钛含量控制是影响帘线钢中钛夹杂的一个关键因素.本文对帘线钢精炼和连铸过程,碳还原氧化钛的热力学进行了分析.通过计算得出结论,在实际帘线钢精炼和连铸过程,顶渣中的TiO2存在被还原的热力学条件,并通过现场试验证明了热力学计算的合理性.根据理论计算结果,提出了现场的工艺控制措施.在帘线钢精炼和连铸过程使用的造渣剂和耐火材料的成分必须严格控制,防止精炼过程钢液增钛.采用喂线的增碳方式,可以达到快速增碳和减少钢液增钛的目的.同时,通过准确控制转炉冶炼终点碳含量,减少帘线钢精炼过程增碳次数,对于控制帘线钢中钛含量也有重要意义.     

超声固接带状Cu/Al箔材性能试验研究

应用CX-UAM-1型金属超声波固接装置,对0.2mm厚度的T4纯铜箔材与6061铝合金进行固相连接,获得Cu/Al异种金属带状材料在特定工艺参数下的固接接头.试验研究在特定参数范围内,改变工艺参数固接过程静压力、振子输出振幅等值对Cu/Al固接件性能的影响情况.采用扫描电镜观测表面形貌情况,通过维氏硬度试验分析表面硬度变化情况,通过摩擦磨损试验测出摩擦系数变化情况.结果表明,振子输出振幅相同时,压力变大,固接箔材表面更为光滑平整.压力相同时,振子输出振幅变大,金属表面的颗粒变大且数量增多.试验范围内,带状Cu/Al箔材固接的最佳工艺参数为压力1.5kN,振子输出振幅30μm.     

协同产品开发设计成熟度的模糊预测方法

CAD/CAPP/CAM并行是协同产品开发的关键技术之一,其在很大程度上依赖于设计成熟度的预先确定.论文在明确设计成熟度概念的基础上,分析了集成产品开发团队、硬件设施和时间等影响产品设计成熟度的因素,并通过建立递阶模糊质量屋的方法,提取构成成熟度因素集的产品特征,应用德尔菲法或AHP法配置成熟度因素集.在此基础上基于模糊设计理论,提出了多层次模糊计算模型作为成熟度的预测方法.通过应用该模糊预测方法计算某型号飞机机翼的设计成熟度,验证了方法的合理性和可用性.     

一种新的利用操作链技术实现的数据持久层

为了给信息系统提供可靠的数据存取服务,探讨一种基于操作链的数据持久层.其原理为将系统的各个原子数据操作抽象出来构成操作的集合,当系统需要数据存取服务时,从集合中选取若干操作,按需要的逻辑处理过程组合起来提供所需的服务.数据持久层利用控制反转和依赖注入技术以非入侵的方式集成到信息系统中,为信息系统的数据存取提供了一个灵活、可靠、复用性高的解决方案.     

油气藏改造酸化用缓蚀剂研究现状及未来发展方向

综述了国内外油气藏改造酸化过程中使用的缓蚀剂的发展状况,深入探讨了缓蚀剂作用机理,分析了缓蚀剂配方组成,针对应用范围较广的季铵盐型、曼尼希碱型和其他类型缓蚀剂进行了详细阐述,同时根据化学合成的缓蚀剂对生物和环境具有一定毒性,指出了未来酸化用缓蚀剂开发向着绿色、高效、环保的方向发展。     

改进的指数双向联想记忆模型及性能估计

提出了一个新的改进型指数双向联想记忆模型(improved eBAM,简称IeBAM).通过定义有界且随状态改变而下降的能量函数,证明了IeBAM在状态的同、异步更新方式下的稳定性,一方面排除了Wang的修正指数BAM(modified eBAM,简称MeBAM)和Jeng的eBAM(exponential BAM)的稳定性证明中所作的不合理假设;另一方面,放宽了对BAM(bidirectional associative memory)的连续性假设的要求,并避免了补码问题.理论分析和计算机模拟结果表明,     

CCD成像器件用P型外延材料的工艺研究

CCD成像器件作为大面阵高集成度器件,对外延材料的均匀性,特别是P型材料的电阻率均匀性,提出更高要求。本文主要介绍了CCD成像器件用硅外延片的一种实用生产工艺,利用PE-3061D平板式外延炉在6英寸、<100>晶向、电阻率小于0.02Ω·cm的重掺B硅衬底上化学气相沉积（CVD）所需硅外延层。通过C-V测试方法对外延材料的电阻率均匀性进行测试分析,通过变流量吹扫和提高赶气温度的工艺方法显著提高外延材料的均匀性,最终得到满足CCD成像器件设计要求的P/P+结构硅外延片。