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1.
SiC肖特基势垒二极管的研制   总被引:10,自引:3,他引:7       下载免费PDF全文
张玉明  张义门  罗晋生 《半导体学报》1999,20(11):1040-1043
本文报道了采用电子束热蒸发的方法用铂(Pt)做肖特基接触在n型6H-SiC体材料上制作肖特基二极管的工艺过程和器件特性.对实验结果进行了比较分析,I-V特性测量说明Pt/6HSiC肖特基二极管有较好的整流特性,热电子发射是其主要的输运机理,理想因子为1.23,肖特基势垒高度为1.03eV,开启电压约为0.5V.  相似文献
2.
n型6H-SiC体材料欧姆接触的制备   总被引:10,自引:7,他引:3       下载免费PDF全文
本文报道了采用Au/NiCr在n型6H-SiC体材料上制备欧姆接触的实验结果,依次蒸发NiCr合金(重量百分比为80%Ni:20%Cr)和金层,高温退火后形成欧姆接触,用改进的四探针法测得最小比接触电阻为8.4e-5·cm2.达到了应用的要求.  相似文献
3.
硅衬底上射频集成电感研究   总被引:8,自引:1,他引:7  
在分析硅衬底上射频螺旋电感物理模型的基础上,从几何参数、工艺参数及电感组成形式考虑,用模拟软件ASITIC(Analysis and Simulation of Spiral Inductors and Transformers for Ics)对影响电感值和Q值及谐振频率的各参数进行全面详尽的模拟,得出了几条实用的设计原则且用此模拟方法与所得结论均可有效地指导射频集成电路中集成电感的设计。  相似文献
4.
光导开关及其两种工作模式   总被引:7,自引:1,他引:6  
简要地回顾了光导开关的发展历程,描述了光导开关的基本工作原理及两种工作模式,比较了两种工作模式的主要特性。  相似文献
5.
4H-SiC射频功率MESFET大信号直流I-V特性解析模型   总被引:7,自引:0,他引:7       下载免费PDF全文
根据 4H - Si C高饱和电子漂移速度和常温下杂质不完全离化的特点 ,对适用于 Si和 Ga As MESFET的直流I- V特性理论进行了分析与修正 .采用高场下载流子速度饱和理论 ,以双曲正切函数作为表征 I- V特性的函数关系 ,建立了室温条件下 4H - Si C射频功率 MESFET直流 I- V特性的准解析模型 ,适于描述短沟道微波段 4H- Si CMESFET的大信号非线性特性 ,计算结果与实验数据有很好的一致性 .同时与 MEDICI模拟器的模拟结果也进行了比较 .  相似文献
6.
4H-SiC埋沟MOSFET的研制   总被引:4,自引:2,他引:2       下载免费PDF全文
郜锦侠  张义门  张玉明 《半导体学报》2004,25(12):1561-1566
研制了4H-SiC热氧化生长氧化层埋沟nMOSFET.用室温下N离子注入的方法形成埋沟区和源漏区,然后在1600℃进行激活退火.离子注入所得到的埋沟区深度大约为0.2μm.从转移特性提取出来的峰值场效应迁移率约为18.1cm2/(V·s).造成低场效应迁移率的主要因素可能是粗糙的器件表面(器件表面布满密密麻麻的小坑).3μm和5μm器件的阈值电压分别为1.73V和1.72V.3μm器件饱和跨导约为102μS(VG=20V,VD=10V)  相似文献
7.
采用电荷控制理论和载流子速度饱和理论的物理分析方法 ,并结合 Statz、Angelov等经验模型的描述方法 ,提出了常温下针对 4 H- Si C射频功率 MESFET的大信号非线性电容模型 .此模型在低漏源偏压区对栅源电容 Cgs强非线性的描述优于 Statz、Angelov等经验模型 ,计算量也远低于基于器件物理特性的数值模型 ,因而适合于大信号的电路设计与优化  相似文献
8.
建立了一个价带附近的界面态密度分布模型 ,并用该模型较好地模拟了 6 H- Si C PMOS器件的阈值电压随温度变化的趋势、C- V特性以及转移特性 .理论 C- V特性曲线是用数值解泊松方程的方法得到的 ,在解泊松方程的过程中考虑了场致离化效应 .由于 Si C PMOS器件的源漏电阻比较大 ,因此 ,在计算强反型情况下的漏电流时 ,同时考虑了源漏电阻的影响 .结果表明 ,源漏电阻对漏电流的影响很大  相似文献
9.
4H-SiC混合 PN/ Schottky二极管的研制   总被引:3,自引:3,他引:0       下载免费PDF全文
报道了 4H- Si C混合 PN / Schottky二极管的设计、制备和特性 .该器件用镍作为肖特基接触金属 ,使用了结终端扩展 (JTE)技术 .在肖特基接触下的 n型漂移区采用多能量注入的方法形成 P区而组成面对面的 PN结 ,这些 PN结将肖特基接触屏蔽在高场之外 ,离子注入的退化是在 15 0 0℃下进行了 30 min.器件可耐压 6 0 0 V,在 6 0 0 V时的最小反向漏电流为 1× 10 - 3A/ cm2 . 10 0 0μm的大器件在正向电压为 3V时电流密度为 2 0 0 A/ cm2 ,而 30 0μm的小尺寸器件在正向电压为 3.5 V电流密度可达 10 0 0 A/ cm2  相似文献
10.
SiC隐埋沟道MOS结构夹断模式下的C-V特性畸变   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
用数值和解析的方法研究了SiC隐埋沟道MOS结构夹断模式下C-V特性的畸变.隐埋沟道MOSFET中存在一个pn结,在沟道夹断以后,半导体表面耗尽区和pn结耗尽区连在一起,这时总的表面电容是半导体表面耗尽区电容和pn结电容的串联,使埋沟MOS结构的C-V特性发生畸变.文中通过求解泊松方程,用解析的方法分析了这种畸变发生的物理机理,并对栅电容进行了计算,计算结果与实验结果符合得很好.  相似文献
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