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1.
光子晶体研究进展   总被引:17,自引:6,他引:11  
详细论述了光子晶体概念提出到现在的十五年的研究进展。在阐述了光子晶体的概念及其抑制自发辐射和光子局域化等特性后,分别介绍了关于光子晶体的理论研究、实验研究和应用研究。理论研究重点介绍了平面波展开法、格林函数法、时域有限差分法、转移矩阵法。实验研究重点介绍了光子晶体的制作方法:打孔法、逐层叠加法、微机械技术、光学方法,反蛋白石法及刻蚀等多种半导体制作技术,同时介绍了光子晶体特性参数的测量。应用研究重点介绍了光晶体光纤和波导、低损耗反射镜和超棱镜、光子晶体微谐振腔、光子晶体滤波器、高效发光二极管和光子晶体偏振器、非线性光学效应、低阈值激光振荡等。  相似文献
2.
基于CORDIC的一种高速实时定点FFT的FPGA实现   总被引:10,自引:1,他引:9  
本文论述了一种利用CORDIC算法在FPGA上实现高速实时定点FFF的设计方案。利用CORDIC算法来实现复数乘法,与使用乘法器相比降低了系统的资源占用率,提高了系统速度[1]。设计基于基4时序抽取FFT算法,采用双端口内置RAM和流水线串行工作方式。本设计针对256点、24位长数据进行运算,在XilnxSpartan2E系列的xc2s300e器件下载验证通过,完成一次运算约为12μs,可运用于高速DSP、数字签名算法等对速度要求高的领域。  相似文献
3.
改进的联合代数重建法及其有限角投影重建   总被引:9,自引:2,他引:7  
提出了一种基于联合代数重建法的改进算法(MSART)。该算法将穿过像素的射线长度和灰度值综合考虑进误差分配公式,有效地抑制了联合迭代重建法(SART)的边缘效应,使得重建精度大大提高。即使在少数投影有限角图像重建中,通过选择合适的投影方法,也能达到最大误差不大于5%,平均误差不大于1%的重建效果。  相似文献
4.
微腔与腔量子电动力学研究进展   总被引:6,自引:1,他引:5  
光学微腔中原子之自发辐射与自由空间中原子的自发辐射有着重要的不同。微腔能够控制腔内原子的自发辐射,使自发辐射得到抑制或增强,并有可能使自发辐射成为一个可逆过程。由此发展起来的腔量子电动力学能够阐述腔场与原子的相互作用。本文简要介绍了这一研究领域的背景和进展,同时介绍了微腔的重要应用一无阈值激光器。  相似文献
5.
修改的联合代数迭代法及其在图像重建中的应用   总被引:6,自引:0,他引:6  
少数投影重建算法研究是当今图像重建算法中的一个难点问题,本文提出了一种基于联合代数迭代法的改进算法,该算法将射线穿过像素的长度和像素的灰度综合考虑进迭代公式,有效地抑制了联合代数迭代法的边缘效应,使得重建精度大大提高,并且可以很好地应用于少数投影重建。  相似文献
6.
WDM网基于混合共享和SRLG约束的通路保护   总被引:5,自引:5,他引:0  
研究了网状波分复用(WDM)网中动态生存性路由配备问题,提出了一种新颖的基于共享风险链路组(SRLG)束的混合共享通路保护(MSPP)方案。MSPP为每个业务请求分配丁作通路和SRLG分离的保护通路,因此能完全保护单SRLG故障。与传统的共享通路保护(SPP)方案不同,在满足某些约束条件下,MSPP允许部分工作通路和保护通路共享资源。仿真结果表明,MSPP性能优于SPP。  相似文献
7.
高压 Ti/ 6H- SiC肖特基势垒二极管   总被引:5,自引:3,他引:2       下载免费PDF全文
在 N型 6 H - Si C外延片上 ,通过热蒸发 ,制作 Ti/ 6 H- Si C肖特基势垒二极管 (SBD) .通过化学气相淀积 ,进行同质外延生长 ,详细测量并分析了肖特基二极管的电学特性 ,该肖特基二极管具有较好的整流特性 .反向击穿电压约为 40 0 V,室温下 ,反向电压 VR=2 0 0 V时 ,反向漏电流 JR 低于 1e- 4 A / cm2 .采用 Ne离子注入形成非晶层 ,作为边缘终端 ,二极管的击穿电压增加到约为 80 0 V.  相似文献
8.
表面粗化提高绿光LED的光提取效率   总被引:5,自引:0,他引:5  
介绍了通过出光表面粗化减少全反射的方法。理论计算了以腐蚀坑为三角坑的最优尺寸。实验使用熔融KOH腐蚀绿光LED外延片获得预计的粗糙形貌,再通过常规工艺制成器件,结果给出不同表面做成器件的光强。实验证明经过表面粗化处理的器件,外量子效率提高了约25.7%。  相似文献
9.
支持不同可靠性要求的WDM网状网业务量疏导算法   总被引:3,自引:0,他引:3  
WDM光网络中不同的业务流具有不同的可靠性要求,本文研究动态业务下如何解决此类业务量疏导问题,提出了一种在WDM网状网中支持多种可靠要求的业务量疏导算法(MRTG)。仿真结果表明该算法具有很好的性能。  相似文献
10.
硼扩散引起薄SiO2栅介质的性能退化   总被引:3,自引:0,他引:3  
采用表沟p+多晶硅栅/PMOSFET代替埋沟n+多晶硅栅/PMOSFET具有易于调节阈值电压、降低短沟效应和提高器件开关特性的优点,因而在深亚微米CMOS工艺中被采纳.但是多晶硅掺杂后的高温工艺过程会使硼杂质扩散到薄栅介质和沟道区内,引起阈值电压不稳定和栅介质击穿性能变差.迄今为止对硼扩散退化薄栅介质可靠性的认识并不是很明朗,为此本文考察了硼扩散对薄栅介质击穿电荷和Fowler-Nordheim (FN)电应力产生SiO2/Si界面态的影响.  相似文献
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