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1.
红外热像仪的作用距离估算   总被引:5,自引:0,他引:5  
热像仪的作用距离是评价热成像系统性能的一个重要参数。视距是热成像系统的主要战术指标,对系统的设计具有决定性作用。利用作用距离估算模型和插值法分别对某一型号热像仪的作用距离进行估算,结果表明利用插值法估算作用距离是可行的。  相似文献
2.
钽抛光及抛光机理的探究   总被引:3,自引:0,他引:3  
王娟  刘玉岭  张建新  舒行军 《半导体技术》2006,31(5):361-362,366
为拓宽CMP技术应用领域,研究了中国工程物理研究院机械制造工艺研究所提供的钽片的抛光,打破过去以机械加工为主的加工手段,采用提高化学作用的方法,加入螯合剂、有机碱、活性剂等助剂,对钽进行抛光.结果发现,钽表面的粗糙度较小,表面状态良好,说明增强化学作用可以提高抛钽效果.对钽的CMP机理做了分析与推测,为钽CMP进一步研究奠定了基础.  相似文献
3.
蓝宝石衬底片的抛光研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
本研究对SiO2磨料抛光蓝宝石衬底片进行了研究,结果表明,采用大粒径、高浓度的SiO2磨料抛光可以获得良好的表面状态和较高的去除速率。抛光的适宜的温度及pH值条件为:T=30℃;13.0>pH≥9.0。并且在抛光时应加入适量添加剂,方可获得较为理想的表面状态和较高的去除速率。实验同样证明,这种低成本、高质量的抛光除可以应用在蓝宝石的抛光以外,还可以应用在其它一些硬质材料的抛光工艺中。  相似文献
4.
<中国激光>作者群的分析研究与学科发展   总被引:3,自引:0,他引:3  
依据文献计量学原理,对1988~1997年间《中国激光》的论文作者群进行了统计、分析、归纳和研究,从中揭示出我国激光学科研究的现状,作者所属系统的分布特点及规律;确定了作为该刊核心作者的数量和比例;又对作者的合作率、论文单元数作了统计分析研究;同时从作者研究的角度肯定了该刊作为本学科核心期刊的合理性,希冀对该学科的发展及该刊的发展提供可参考的数据。  相似文献
5.
MEMS兼容丝网印刷PZT压电厚膜研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
对丝网印刷PZT压电厚膜制备工艺浆料配置、印刷技术、退火条件、上下电极的选择及极化方法等进行了研究,并采用扫描电子显微镜(SEM)及与之配套的能谱分析仪对制备的PZT样品的微观结构、成分进行了测试分析。结果表明,PZT压电厚膜的膜厚可达100μm,印制图形分辨率在500μm以上,在800℃经1h退火就可获得良好的微晶结构,且具有压电特性。  相似文献
6.
多维立体教学法在“通信原理”教学中的应用   总被引:3,自引:1,他引:2  
本文以通信原理为分析对象,在剖析学科特色基础上,结合认知心理学的知识,综合使用多种教学手段,提出了多维立体教学法的基本构成、实施步骤和方法要点.并以无码问干扰的基带传输特性为实例,说明了方法实施的具体过程.实践证明,该方法行之有效,可以使学生在短时间内获得大量信息.  相似文献
7.
浅谈陶瓷金属化质量的可靠性控制   总被引:2,自引:2,他引:0  
简要介绍了影响陶瓷金属化质量的主要因素,并在陶瓷金属化配方、工艺规范确定的前提下,介绍一些在实际生产中经常出现由于工艺条件、材料性能的波动而产生质量问题的可靠性控制的方法。  相似文献
8.
化学机械抛光用SiO2研磨料的制备及其后处理   总被引:2,自引:0,他引:2  
以水玻璃为主要原料、采用多次生长法,低zeta电位生长、高电位陈化等控制过程,生产出具有不同粒径、稳定的碱性单分散硅溶胶产品,并实现120nm大粒径硅溶胶生长可控,突破生长大粒径的难题。并采用离子交换法对产品进行处理,使其金属离子含量降到10^-6级,符合微电子工业对相关耗材的要求。  相似文献
9.
神经网络在震相识别中的应用   总被引:2,自引:0,他引:2  
设计了三阶段的三层BP神经网络时地震震相进行分类识别,系统将地震震相分为4类:远震T、区域性S、区域性P、噪声N;网络训练测试利用了STKA台站的200组数据,样本集和测试集各占100组(其中30个远震T波、20区域性P波、20区域性S波、30噪声N),三阶段的平均识别效率分别为91%,93.8%,98%.实验证明,用神经网络时地震震相进行自动识别是可行的,可极大限度地减轻地震分析员的工作量。  相似文献
10.
MEMS兼容丝网印刷PZT压电厚膜研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
对丝网印刷PZT压电厚膜制备工艺浆料配置、印刷技术、退火条件、上下电极的选择及极化方法等进行了研究 ,并采用扫描电子显微镜 (SEM )及与之配套的能谱分析仪对制备的PZT样品的微观结构、成分进行了测试分析。结果表明 ,PZT压电厚膜的膜厚可达 10 0 μm ,印制图形分辨率在5 0 0 μm以上 ,在 80 0℃经 1h退火就可获得良好的微晶结构 ,且具有压电特性  相似文献
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