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1.
高反射率周期性铁电多层膜形成机理研究   总被引:4,自引:4,他引:0       下载免费PDF全文
利用含聚合物添加剂的前驱体溶液,通过重复甩胶镀膜—热处理工艺制备了PbZrB0.4BTiB0.6B0.6OB3(PZT)和BaTi0.9Sr0.1BO3(BST)铁电多层膜.在特定的波长范围,每个多层膜具有高达90%的光学反射率,且峰值反射率随生长次数的增加而增大.显微技术分析表明每个多层膜是由一系列厚度几乎相等的致密层和厚度也近乎相同的多孔层交替排列形成的一维周期性结构.重点分析了这种周期性结构的可能形成机理,它涉及相分离和高分子聚合物热解两个过程.  相似文献
2.
掺GeZnSe的稳恒光电导及其局域性效应   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
在一定的温度以下 ,某些半导体材料的光电导效应在激发光源撤去以后会持久地保持下去 ,当温度升高超过这个温度 (称为淬变温度 )以后 ,这种持续的光电导现象会消除 ,称为稳恒光电导现象 .而且这种光电导效应具有很强的局域性 .采用电学测量方法 ,通过测量激光照射前后电导率随温度的变化研究了掺 Ge的 Zn Se的稳恒光电导效应 ,结果发现淬变温度高达 2 1 0 K的稳恒光电导效应 .并通过研究光电阻随光照位置变化的趋势研究了这种光电导的局域性特性 ,结果发现在淬变温度以上局域性随稳恒光电导消失而消失  相似文献
3.
FTO玻璃衬底上锆钛酸铅多层膜的微结构与光学特性   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
应用化学溶液沉积法,在氟掺杂SnO2涂布的玻璃衬底上制备了具有16个周期的PbZr0.4Ti0.6O3多层膜,并对其微结构与光学性能进行了研究。扫描电子显微镜照片显示,玻璃基底上的PbZr0.4Ti0.6O3多层膜具有均匀、平整、致密和无裂纹的表面形貌,呈现出由致密层和多孔疏松层交替排列构成的层状结构。X射线衍射分析表明PbZr0.4Ti0.6O3多层膜具有单一钙钛矿相。在350-900 nm的波长范围,反射光谱曲线上存在一个中心波长位于450 nm,带宽约为41 nm,峰值反射率超过91%的高反射率带;与反射光谱相对应,在相同频段的透射光谱曲线上出现一个与反射带等宽,中心波长位于450 nm的透射谷,谷的最小透过率小于6%。这项研究进展对拓展铁电多层膜的应用范围将有积极作用。  相似文献
4.
介绍了一种制备膜厚为数微米的均匀相和非均匀相(准周期性多层膜)铁电薄膜的有效方法,研究了PZT平面波导结构的光波导特性及准周期性多层铁电薄膜的布拉格反射特性.研究表明厚度在数微米的均匀相铁电薄膜膜层致密,棱镜耦合实验表明该铁电薄膜波导层对光波的传播有良好的限定性能.准周期铁电多层薄膜具有良好的布拉格反射特性,周期数为10以上的铁电多层膜样品在室温下具有90%以上的反射率和约40 nm的反射带宽.  相似文献
5.
通过直接测量激光照射前后电阻随温度的变化关系,研究了Ga δ掺杂ZnSe超晶格的稳恒光电导效应。被研究的两块样品都显示了稳恒光电导效应,其中一块样品稳恒光电导的淬灭温度为120K,另一块样品的淬灭温度接近290K。描述了对这类超晶格稳恒光电导现象的测量结果,讨论了掺杂过程对光电导淬灭温度的影响。  相似文献
6.
在一定的温度以下,某些半导体材料的光电导效应在激发光源撤去以后会持久地保持下去,当温度升高超过这个温度(称为淬变温度)以后,这种持续的光电导现象会消除,称为稳恒光电导现象.而且这种光电导效应具有很强的局域性.采用电学测量方法,通过测量激光照射前后电导率随温度的变化研究了掺Ge的ZnSe的稳恒光电导效应,结果发现淬变温度高达210K的稳恒光电导效应.并通过研究光电阻随光照位置变化的趋势研究了这种光电导的局域性特性,结果发现在淬变温度以上局域性随稳恒光电导消失而消失.  相似文献
7.
通过直接测量激光照射前后电阻随温度的变化关系,研究了Gaδ掺杂ZnSe超晶格的稳恒光电导效应.被研究的两块样品都显示了稳恒光电导效应,其中一块样品稳恒光电导的淬灭温度为120K,另一块样品的淬灭温度接近290K.描述了对这类超晶格稳恒光电导现象的测量结果,讨论了掺杂过程对光电导淬灭温度的影响.  相似文献
8.
用微波无接触法测量了ZnSe外延层和两种ZnSe多量子阱样品的横向磁阻,在低磁场时,这三种样品都表现为负磁阻,并且也可以用Khosla和Fischer的半经验表示式进行拟合,实验还发现了在两层ZnSe超晶格之间的Zn+Ga单原子层也呈现为较大的负磁阻  相似文献
9.
Cd1-xZnxTe是直接带隙半导体材料,其禁带宽度随x值的变化在1.45eV~2.26eV间连续可调.将具有渐变带隙结构的材料作为太阳电池的光吸收层,可以在近背表面的薄层内产生一个准电场.该电场不仅能将俄歇复合发生的位置有效局域化,而且还可降低由表面复合引起的载流子损耗,增强光生载流子的收集效率,进而提高电池的光电转换效率.用渐变带隙Cd1-xZnxTe多晶薄膜替代了传统CdTe薄膜太阳电池中的均匀相CdTe光吸收层,并用AMPS软件模拟分析了渐变带隙Cd1-xZnxTe太阳电池的光电响应特性.经计算,该电池在理想情况下(无界面态、有背面场,正背面反射率分别为0和1)的光电转换效率高达41%.  相似文献
10.
采用后硒化Cu-Zn-Sn-S电沉积预制层的方法制备了铜锌锡硫硒薄膜,其中Cu-Zn-Sn-S预制层是通过含有不同浓度的硫代硫酸钠电解液电沉积而成的.实验发现,硒化前后薄膜的性质与硫代硫酸钠浓度密切相关.SEM,EDS,XRD,Raman和透射光谱分析表明,当硫代硫酸钠的浓度为5 mM时,沉积的薄膜形貌平整,晶粒明显,组分贫锌,具有单一的铜锌锡硫硒结构,且其带隙为1.11 eV; 在浓度高于5 mM下沉积的薄膜形貌粗糙并产生杂相硒化锡; 在浓度低于5 mM下沉积的薄膜组分严重贫锌并生成大量的Cu2SnSe3.  相似文献
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