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1.
GaN/GaAIN宽量子阱的二类激光特征   总被引:1,自引:0,他引:1  
郭子政  梁希侠 《光电子.激光》2002,13(12):1303-13,061,310
考虑了内建电场的影响,用变分法计算了GaN/GaAIN量子阱(QW)的电子子带和激子结合能。结果表明,对于阱宽较大情形,电子和空穴高度局域在QW边沿附近。内建电场造成的电子空穴空间的较大分离使QW激子表现出二类阱特征,重空穴基态结合能对Al浓度变化不敏感。  相似文献
2.
静压下ZnCdSe/ZnSe量子阱中的激子跃迁   总被引:1,自引:1,他引:0  
利用变分法理论研究了ZnCdSeZnSe量子阱(QWs)中基态重空穴激子光跃迁能量随静压的变化关系。计入了有限高势垒效应。考虑了晶格常数、有效质量、介电常数及体弹性模量等参量的压力效应特别是体弹性模量的压力导数对跃迁能量随压力变化的函数关系的影响。结果表明,体弹性模量的压力导数对跃迁能量随压力变化的函数关系影响很大。根据计算结果.估算出ZnCdSe/ZnSe QWs中Zn0.82Cd0.1:Se的体积弹性模量之压力导数近似为1.0。  相似文献
3.
GaN/GaAlN宽量子阱的二类激子特征   总被引:1,自引:0,他引:1  
考虑了内建电场的影响,用变分法计算了GaN/GaAlN量子阱(QW)的电子子带和激子结合能.结果表明,对于阱宽较大情形,电子和空穴高度局域在QW边沿附近.内建电场造成的电子空穴空间的较大分离使QW激子表现出二类阱特征.重空穴基态结合能对Al浓度变化不敏感.  相似文献
4.
考虑了纤锌矿结构材料的各向异性造成的内建电场的作用以及各向异性造成的应变张量和静压形变势与各向同性材料的差别.在此基础上计算了GaN/GaAIN量子阱内电子的激发态极化.研究了压力(应变)对电子激发态极化的影响.结果表明,电子势垒高度、电子有效质量和电子激发态极化均随压力线性下降,但由于内建电场的作用造成电子波函数高度局域化,上述变化的幅度不大.  相似文献
5.
诗词是传统文化中的重要文学体裁形式,我国当代粒子物理学家们就曾以诗词来反映他们的内心世 界和物理学的发展进程。本文以古诗词为载体,展现了其中描述的自然现象或诗人对自然规律的领悟,并从 现代物理学的角度对其予以解析。这有助于提升物理学普及的趣味性、有效性,同时对于分析古代科技的成 就与局限以及诗词的推广也具有一定的积极意义。  相似文献
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