谐振腔增强型红外光电探测器的反射镜的分析与优化设计

针对顶镜和底镜最上层厚度为二分之一中心波长的分布布拉格反射镜(DBR),引入了现代光学薄膜技术中"虚设层"的概念,并进行了详细的理论分析和说明,用传输矩阵法推导了DBR的反射率,对其顶镜和底镜的反射率在真实器件的条件下进行计算,仿真得到了采用不同的顶层厚度的DBR的反射率及其与Si-DiO2层的对数、波长等的关系,证明了"虚设层"理论分析的正确性,对设计高性能谐振腔增强型红外光电探测器具有指导意义.  

基于DM642的嵌入式可见光图像识别系统硬件设计与实现

基于TMS320DM642,采用ADV7171&ADV7181视频编解码芯片,设计了嵌入式可见光图像识别系统.着重研究并对比分析了视频编解码芯片的选型,拓展了类似的视频系统的视频编解码芯片的选型范围,简要分析了系统构架,并详细分析了各功能模块, 研究了在实际设计与实现中遇到的问题并给出了相应解决方案,给出了主要模块的原理图.最后介绍了系统的功能扩展及应用前景.  

铒镱共掺光波导放大器的优化

本文介绍了光波导放大器的理论,分析了由于铒离子吸收截面小和铒离子浓度过高带来的聚集效应,并认为由该聚集效应引起的协同上转换和激发态吸收会限制掺铒磷酸盐光波导放大器的增益.将镱离子作为敏化剂掺入到光波导放大器中,不仅可以降低饵离子高浓度引起的聚集,而且可以有效地解决光波导的增益问题.在考虑协同上转换效应的基础上,用龙库算法研究了饵镱共掺的光波导放大器,讨论了镱离子浓度和波导长度两个主要影响因素,并且计算出了最佳的波导长度和最佳的掺镱浓度.  

MOEMS压力传感器的研究进展

微型光机电系统(MOEMS)技术作为一门新兴的技术,已广泛应用于光通信、光显示、数据存储和光学传感等诸多方面,而利用这种技术制作的光学压力传感器更是具有传统压力传感器无法比拟的优点.本文着重介绍了各类MOEMS压力传感器的结构、工作原理以及制作工艺,最后简要介绍了MOEMS压力传感器阵列的结构和制作工艺.  

电子探针分析用单质金属标准样品的研制

本文介绍电子探针分析用单质金属标准样品的制作方法。其中包括:①电子探针分析对标准样品的要求。②单质金属标准样品材料的制备方法。包括:材料的熔炼,杂质的检验,加工成形等。③标准样品的制作方法。包括:样品柱和样品座的设计,样品与样品柱之间的接合,样品工作面的研磨和抛光等。④标准样品的检验方法。包括:平面性,粗糙度,均匀性,稳定性,污染等。文中还介绍了自己研制的几种单质金属标准样品,以及部分检验数据。  

电子探针分析用人工晶体标准样品的研制

本文介绍电子探针分析用人工晶体标准样品的制作方法。其中包括:(1)人工晶体的制作方法。(2)晶体标准样品的制作方法。(3)材料结构对于标准样品信号的影响。(4)自己研制的几种人工晶体标准样品。(5)使用标准样品进行定量分析应注意的事项。  

电子探针分析用合金标准样品的研制

本文介绍电子探针分析用合金标准样品的制作方法。其中包括:(1)合金材料的熔炼方法。(2)合金材料成份的测定方法。(3)合金标准样品的制作方法。(4)合金标准样品均匀性和稳定性的检验方法。(5)用电子计算机自动测试标准样品均匀性和稳定性的程序。(6)自己研制的几种合金标准样品和部分检验数据。(7)标准样品的保护和修理方法。  

GaInAsP/InP双异质结液相外延片的p-n结偏位

用扫描电镜电子束感生电流法研究了GaInAsP/InP双异质结液相外延片的p-n结偏位问题。认为Zn沾污是偏位的主要原因之一。用控制Zn的掺入量或用Mg作p型掺杂剂均可制得正常的p-n结。用电化学c-v法测试了部分样品,并与制管后发射光谱进行比较,结果相同。  

GaInAsP/InP双异质结液相外延片的P-n结偏位

用扫描电镜电子束感生电流法研究了GaInAsP/InP双异质结液相外延片的P-n结偏位问题。认为Zn沾污是偏位的主要原因。用控制掺杂浓度,Mg掺杂,均可制得正确的P-n结。用电化学C—V法测试了部分样品。与制管后发射光谱进行了比较,结果相同。