非故意掺杂吸收层InP/InGaAs异质结探测器研究

为了获得低噪声铟镓砷（InGaAs）焦平面,需要采用高质量的非故意掺杂InGaAs（u-InGaAs）吸收层进行探测器的制备。采用闭管扩散方式,实现了Zn元素在u-InGaAs吸收层晶格匹配InP/In_0.53Ga_0.47As异质结构材料中的P型掺杂,利用扫描电容显微技术(SCM)对Zn在材料中的扩散过程进行了研究,结果表明,随着扩散温度和时间增加,p-n结结深显著增加,u-InGaAs吸收层材料的扩散界面相比较高吸收层浓度材料（5×1016 cm?3）趋于缓变。根据实验结果计算了530 ℃下Zn在InP中的扩散系数为1.27×10?12 cm2/s。采用微波光电导衰退法(μ-PCD)提取了InGaAs吸收层的少子寿命为5.2 μs。采用激光诱导电流技术(LBIC)研究了室温下u-InGaAs吸收层器件的光响应分布,结果表明:有效光敏面积显著增大,对实验数据的拟合求出了少子扩散长度L_D为63 μm,与理论计算基本一致。采用u-InGaAs吸收层研制的器件在室温(296 K)下暗电流密度为7.9 nA/cm2,变温测试得到激活能E_a为0.66 eV,通过拟合器件的暗电流成分,得到器件的吸收层少子寿命τ_p约为5.11 μs,与微波光电导衰退法测得的少子寿命基本一致。     

浅谈平度市小型农田灌溉工程管理

通过分析平度市小型农田灌溉工程现状及存在的问题,提出了加强基层水利服务体系建设,推进农田水利工程制度改革和落实运行管护机制等措施,以期使小型农田水利工程更好地发挥效益。     

SXFEL和DCLS束流截面测量系统软件设计

介绍了SXFEL和DCLS束流截面测量系统的软件设计方法。该系统基于以太网和EPICS分布式系统,并采用EPICS-Python方式进行设计,实现了CCD相机和步进电机的控制,完成了图像采集数据的拟合处理。经SXFEL和DCLS在线运行和测试,该系统主要性能为:成像系统的像素分辨率为13.9μm,重复定位精度为22μm,图像刷新率在内触发模式下可达到66 Hz,满足加速器运行需求。     

基于PCA-BP组合模型的股价预测分析

随着金融业数据环境的日益复杂,投资者稳定或超额投资收益难以保障.传统模型因其非线性映射能力弱而不能作为选股指导,因而面对日益突出的股票分析技术需求,新型算法的研究十分必要.运用了主成分分析法与B P神经网络模型的算法对五只个股进行预测,实现了数据的降维,良好地处理了股票市场复杂的非线性问题,并基于回测的历史数据不断更正模型得到精确度较高的PCA-BP组合模型.实际运用时还选取了数据拟合的方法,较好模拟了指标趋势,使得模型预测后的平均误差保持在极小的状态,且在短期预测上有一定的优势.     

变曲率均质梁结构的振动特性研究EI北大核心CSCD

曲梁结构具有外形美观、力学性能好和承载能力强等一系列优点,在建筑、桥梁、船舶和航空航天等领域得到广泛应用。首先,基于一阶剪切变形梁理论和哈密尔顿原理建立四种典型曲梁结构(即圆弧曲梁、椭圆曲梁、抛物曲梁和双曲曲梁)在复杂边界条件下的统一动力学分析模型。其次,对上述曲梁结构模型进行收敛性验证并确定最佳截断数和边界弹簧刚度的取值。然后,对已建立曲梁结构模型进行准确性验证并证明其可以快速求解复杂边界条件下曲梁结构的振动特性。最后,研究结构参数、边界条件和脉冲载荷类型对曲梁结构振动特性的影响。分析结果表明,曲梁结构厚度、弹性边界条件以及脉冲载荷类型对曲梁结构的振动特性具有不同程度的影响。     

基于区域叠合有限元技术预测三维编织复合材料弹性性能

本文基于区域叠合有限元技术预测三维四向编织复合材料弹性性能。在该方法中,分别建立相互独立的纤维增强相有限元模型和复合材料整体区域（包括所有增强相和基体相所占几何空间）有限元模型,两相模型在空间叠合组成复合材料模型,运用节点自由度耦合技术使两相模型满足变形协调关系,通过对两相模型赋予适当的材料属性以使所建复合材料模型具有与实际复合材料等效的力学特性。该方法较传统方法显著缩短了建模时间,降低了建模难度。区域叠合法的数值模拟结果与传统方法预测结果一致。本文的研究为进一步研究编织复合材料非线性宏观力学特性和渐进损伤过程模拟奠定基础。     

上海光源储存环机器保护系统升级

上海光源线站工程（二期）对机器保护系统提出的高要求是现有系统无法满足的，需对机器保护系统进行升级改造。本文使用FL-net技术实现了光源储存环所有联锁可编程逻辑控制器单元间的数据共享，解决了联锁系统跨单元通信的问题。机器保护系统的远程控制基于分布式EPICS设计，扩充部分通过统一接口形式和使用层次化设计方法，避免了对原系统的改动。新系统通过测试，在线运行可靠稳定，单元间联锁响应时间小于21 ms，满足加速器运行的需求，且改造后的系统更灵活、易扩充，可满足日后不同的联锁需求。     

基于锌扩散的InGaAs/InP平面型红外探测器快速热退火研究

系统研究了快速热退火对锌扩散的In_0.53Ga_0.47As/InP PIN探测器的影响。利用电化学电容电压和二次离子质谱技术分析了退火前后Zn和净受主的浓度分布,结果表明退火过程会影响杂质浓度,但不影响扩散深度。制备了不同退火条件的In_0.53Ga_0.47As/InP PIN探测器。器件测试反映,未退火的探测器在260~300K具有更低的器件电容和更高的激活能。通过暗电流成分拟合对器件暗电流机制进行分析,未退火器件表现出更低的肖克利-里德-霍尔产生复合电流和扩散电流,因而室温下未退火器件具有更高的峰值探测率。为了制备高性能低掺杂吸收层结构的平面型InGaAs探测器,快速热退火是不必要的工艺。     

初中信息技术教学方法初探

我们过去的信息技术课堂往往注重＂实用性＂,某些计算机教师在上课的过程中有把计算机教育课上成电脑操作技能培训课的倾向,导致课堂的教学效果一般化,教学质量更是止步不前。为了提高信息技术课堂的教学质量与效果,我采取了多种方法,从培养学生兴趣和改革课堂教学模式入手,探索在新环境下的教学方法。     

2560×2048元短波红外InGaAs焦平面探测器（特邀）

高性能大规模小像元短波红外InGaAs焦平面探测器是新一代航天遥感仪器向高空间分辨率、高能量分辨率、高时间分辨率发展需要的核心器件。文中报道了高密度InGaAs探测器阵列设计与制备,并与匹配的Si-CMOS读出电路倒焊互连形成焦平面的最新研究进展,重点突破了高密度小像素探测器的暗电流和噪声抑制、百万像素焦平面倒焊互连等关键技术,解决了高平整度芯片面形控制、In柱凸点形貌和高度一致性控制、高密度倒焊偏移控制等倒焊新工艺,研制了像元中心距10 μm的2560×2048元焦平面探测器,其峰值探测率优于1.0×1013 cm·Hz1/2/W,响应不均匀性优于3%,有效像元率优于99.7%,动态范围优于120 dB。采用该焦平面进行了实验室演示成像,图片清晰。