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1.
通过计算得出了蒸发源位于倒圆锥面正下方外部镀膜时锥面上各点的膜厚方程,并对整个锥面上膜厚均匀性进行了理论分析。结果表明:当圆锥面形状固定时,蒸发源与圆锥底圆圆心距离增大使锥面上膜厚均匀性变好;当蒸发源固定时,增大底圆半径导致锥面上膜厚均匀性变差。在同样的配置下,蒸发源为点源或小平面源时锥面上膜厚均匀性的变化趋势一致,小平面源蒸镀比点源蒸镀时圆锥面上膜厚均匀性差。  相似文献   
2.
真空退火对VOx薄膜相结构及表面形貌的影响   总被引:7,自引:0,他引:7  
以V2O5粉末为原料,采用无机溶胶-凝胶法制备了V2O5凝胶膜,经过真空退火处理得到了以VO2为主的薄膜。利用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对不同实验条件下得到的薄膜的物相和表面形貌进行分析,得出了VOx薄膜相结构及表面形貌与真空退火条件之间的关系。  相似文献   
3.
采用直流反应磁控溅射方法制备Ta2O5薄膜,并研究了其制备工艺;在Amoldussen法的基础上,采用了一种新的方法对Ta2O5薄膜离子导电性能进行了测试。结果表明,制备的Ta2O5,薄膜具有良好的离子导电性能。  相似文献   
4.
由于依靠声子进行热传导的特性,石墨烯具有异乎寻常的高热导率。理论和实验研究均已证明,单层石墨烯的热导率可达5 000 W·m-1·K-1以上,是目前已知热导率最高的一种材料。然而,单层石墨烯由于厚度薄、片径小等几何尺寸上的原因而很难在宏观尺度上获得实际应用。得益于化学方法制备高质量石墨烯粉体的快速发展,将石墨烯粉体制备成柔性的高导热石墨烯纸是近几年的热点研究方向之一。虽然石墨烯纸的面内热导率已经能够达到1 000 W·m-1·K-1以上,但与单层石墨烯的热导率仍存在较大的差距,且纵向热导率低。近几年,科研人员从大尺寸石墨烯粉体的采用、石墨烯纸微观结构的优化、还原处理方法的改进、石墨烯与其他物质混合等方面进行了研究,在提高石墨烯纸的热导率上取得了比较显著的效果。本文综述了有关石墨烯纸的研究进展,介绍了石墨烯纸的制备方法,并分析影响石墨烯纸热导率的因素,讨论增强石墨烯纸热导率的方法,总结了提高石墨烯纸热导率的研究思路和发展趋势,最后展望了石墨烯纸在热管理领域的应用。  相似文献   
5.
Tantalum pentoxide (Ta2O5) and ultraviolet reflective (UVR) multilayer films were deposited on quartz glass substrates by an electron beam evaporation system equipped with a hall ion source, respectively. The optical properties of Ta2O5 film and the UVR film under the vacuum ultraviolet irradiation were investigated. It is found that the mean transmittance of the Ta2O5 thin film decreased in the 300—500 nm region. The refractive index and extinction coefficient of the single layer increased during the range of 300—1 000 nm, with the variation rate of refractive index less than 1%, which is mainly due to the larger surface roughness and variation of the chemical state of Ta atoms on the surface caused by the irradiation. The mean reflectance of UVR film decreased from 96.5% to 95.4% during the range of 290—450 nm, indicating that the Ta2O5 and UVR films have excellent vacuum ultraviolet irradiation resistant properties.  相似文献   
6.
主要通过对镀铝二次表面镜先后进行紫外辐照以及电子、质子的综合辐照,并结合太阳吸收率和半球发射率测试,研究了低能电子、质子以及紫外辐照对镀铝二次表面镜热控性能的影响。结果表明,镀铝OSR具有良好的抗紫外辐照以及抗低能电子、质子辐照能力。  相似文献   
7.
用溶胶-凝胶法在非晶玻璃上制备VO2薄膜,经过熔融、涂膜、烘干和热处理等工艺最后得到电阻相变2~3个量级的VO2薄膜.对烘干温度、熔融温度、膜厚和热处理温度对薄膜电阻开关特性的影响进行了研究.通过AFM,XRD和XPS对薄膜的结构和特性进行分析.  相似文献   
8.
利用射频磁控溅射工艺制备了ITO防静电薄膜。研究了辐照试验前后ITO样品的光电性能变化,并用XPS和AFM对其组分及表面形貌变化进行了分析。结果表明,辐照后ITO薄膜的光学透过率变化不大;表面电阻有一定增加,但幅度不大,完全可以满足防静电的要求。  相似文献   
9.
Theoretical analysis and experimental study on the thickness distribution of Ta2O5 film evaporated on the inner-face of a hemispherical substrate are demonstrated. It is derived that the value of n/R and L/R influence the film thickness distribution (where R is the radius of the hemisphere, n and L are the horizontal distance and vertical height between the evaporation source and the center of the hemisphere, respectively). The whole hemispherical substrate can be coated when nL+R, otherwise there is a “blind area” on the substrate when the substrate is self-rotating. A hemispherical composite substrate with a radius of 200 mm is coated with Ta2O5 protective film under a certain configuration, the thickness of Ta2O5 film at the edge is 0.372 times the film at the vertex which shows that the evaporation characteristics of Ta2O5 tend to be a point source.  相似文献   
10.
目的 研究离子束清洗活化和直流磁控溅射工艺参数对聚酰亚胺-铝薄膜光电性能的影响,确定最佳的制备工艺参数.方法 单一改变离子束活化工艺参数(离子源功率、气体流量和走带速率)和磁控溅射控制参数(真空度、离子能量、离子束流、温度、气体流量、走带速率及走带张力),研究薄膜吸收率、附着力和薄膜外观变化规律.借助扫描电镜、光学仪器和电磁信号测试设备,对最佳工艺条件下制备的薄膜的形貌、透过率、电磁信号衰减频率进行了测试.结果 在离子源功率为1260 W、气体流量为120 mL/min、走带速率为0.3 m/min,镀膜辊温度为10℃,溅射功率为10000 W的条件下,制备的聚酰亚胺-铝光电屏蔽膜太阳吸收率最小为0.09,膜层附着力强,没有异常放电现象,表面光滑.铝在微观状态下呈现微小颗粒状态,表面致密.在0.4~14μm波段范围内,薄膜透射率<3.5%;在3~15 GHz频率范围内,薄膜电磁信号衰减率>30 dB.结论 通过直流磁控溅射技术制备的聚酰亚胺-铝光电屏蔽膜具有优异的光学性能和电磁屏蔽性能,在热控薄膜、屏蔽膜等领域具有广泛的应用前景.  相似文献   
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