调频全固态发射机联锁控制系统的改造

为满足24小时播出需要,我机房对各频道提出一主一备的要求,联锁控制系统需要加以改进。针对这一问题,我机房技术人员对哈里斯和研达发射机的联锁进行了技术上的改进。主要为,哈里斯发射机的测试与连接,研达发射机技术改进及测试连接。现就测试与改进内容进行介绍。     

CdSeTe分子束外延技术研究

对HgCdTe红外探测器CdSe_xTe_1-x衬底材料的分子束外延生长条件、组分调整等进行了简单介绍。生长条件包括生长结构(主要有CdSe_xTe_1-x/CdTe/ZnTe/Si、CdSe_xTe_1-x/ZnTe/GaAs等)、生长温度（300℃左右）、生长厚度（5 μm左右）等。组分调整包括分析Se组分随(J_Se+J_Te)/J_Cd和J_Se/(J_Se+J_Te)的变化。J_Se/(J_Se+J_Te)值较小时,Se组分较难融入外延层;J_Se/(J_Se+J_Te)值较大时,Se组分增长较迅速。同时,若J_Se/(J_Se+J_Te)值较小,则Se组分增长趋势相对较易控制。当J_Se/(J_Se+J_Te)值一定时,Se组分随着(J_Se+J_Te)/J_Cd的减小而增大。Se组分变化的突增点随(J_Se+J_Te)/J_Cd值的减小而增大。本文可为高性能HgCdTe红外探测器的制备提供一定的参考。     

碲镉汞红外探测器性能调控技术研究

对影响Hg_1-xCd_xTe红外探测器性能的不同调控技术——包括材料调控(组分及温度、掺杂浓度、压强及应力等对材料性能的调控)、器件结构调控(n-on-p、p-on-n、p-i-n、n-B-n等器件结构的调控)和工艺调控(各种工艺调控对材料制备和器件制备等的影响)等——进行了简单介绍,以合理调控器件性能、有效降低器件暗电流、提高器件工作温度等,从而促进Hg_1-xCd_xTe红外探测器在降低成本、减小功耗、提高可靠性等方面的发展。     

三终端量子环的透射概率和概率流密度

透射概率和概率流密度随量子环增大都会发生振荡。δ势垒增强会使概率流密度在下臂中单调增,在上臂中单调减。AB磁通增强时,透射概率和概率流密度都会发生振荡。在一定条件下,上臂左右段概率流密度之间存在对称性。