纯镁表面有机-无机杂化膜的防腐蚀性能

以γ-氨丙基三甲氧基硅烷（γ-APS）为前驱体,采用溶胶-凝胶法制备硅烷溶液,并采用浸涂法在纯镁表面制备有机-无机杂化腐蚀保护膜。金相显微镜对有机-无机杂化膜的表面形貌观察表明,有机-无机杂化膜比铬钝化膜更均匀致密;对有机-无机杂化膜进行动电位极化曲线测定及试验后的显微形貌表明,与铬钝化膜相比,有机-无机杂化膜的自腐蚀...     

偏压条件对光耦合器总剂量辐照效应的影响

通过对不同偏压条件对光耦合器总剂量辐照效应的影响进行研究,结果发现随着总剂量的增加,光耦合器电流转换率CTR会降低60％ ～ 80％,且输入低电流时光耦合器总剂量辐照损伤更严重,其原因可能是输入低电流时光耦合器内部发光二极管辐照过程中更容易产生非发光陷阱所致.     

八钢A高炉长寿管理与生产实践

本文针对八钢A高炉开炉至今的炉况,进行了长寿的管理分析,并结合A高炉高炉现有条件,对高炉在生产过程中的长寿管理采取的各项措施做了简要分析。     

橡胶坝的运行与管理

为使橡胶坝更好地发挥其应有的经济效益和社会效益,必须成立橡胶坝工程管理机构。工程施工时,管理机构要派专人参与施工,及时掌握施工过程中存在的问题和不足;工程竣工验收后,由管理机构负责工程的运行与管理。一、检查检测橡胶坝工程检查包括经常检查、定期检查和特别检查。橡胶坝经常检查使用耳听、眼看、手摸等方法,对工程及设备分布地进行巡检,每月至少一次。由于方法简单易行,既全面又及时,一些事故苗头或工程隐患能被迅速发现、妥善处理,必须引起足够重视。经常检查和定期检     

偏置条件对NMOS器件X射线总剂量效应的影响

采用10 keV X射线,对NMOSFET在不同偏置条件下进行总剂量辐射,分析了辐照前后辐射感生的氧化物陷阱电荷与界面态电荷对MOS器件阈值电压的影响以及辐射导致漏电现象.实验结果表明,对于NMOSFET,On偏置条件是最劣偏置条件,Off偏置条件是最优偏置条件.     

重离子单粒子辐射对超薄栅氧化层可靠性影响分析

研究了重离子单粒子辐照（Single event effect,SEE）效应对超薄栅氧化层（1.2 nm厚度）的斜坡击穿电压（Voltage ramp dielectric breakdown,VRDB）的影响情况。采用209Bi（离子能量为1 043.7 MeV）对65 nm CMOS电容进行（1～2）×10⁷ion/cm²总注量的重离子辐射试验,并在辐射过程中进行VRDB试验。试验结果发现,经过209Bi重离子辐射后,超薄栅CMOS电容的泄漏电流略微增大,跨导-电压曲线稍有畸变;进行累积模式和反型模式的斜坡击穿测试,发现栅氧化层的斜坡击穿电压减小近5%。通过扫描电子显微镜（SEM）检查发现,重离子辐照后栅氧化层中形成微泄漏路径,导致其击穿电压降低,并强烈影响超薄栅氧化层的长期可靠性。     

天然香料的提取技术

综述了当前应用比较广泛的天然香料提取技术，如冷压榨法、蒸馏技术、萃取技术、微波萃取技术、吸收法、色谱法以及结晶技术；介绍了这些技术的原理、特点、优越性、研究进展和应用；指出了存在的若干问题，并对其发展前景进行了展望。     

基于高海拔地区的大气中子单粒子效应实时测量试验研究

开展65 nm高速大容量静态随机存取存储器（SRAM）大气中子单粒子效应特性及试验评价技术研究,基于4 300 m高海拔地区大面积器件阵列实时测量试验,突破效应甄别、智能远程测控等关键技术,在153 d的试验时间内共观测到错误43次,其中器件内单粒子翻转39次,多单元翻转（MCU）在单粒子翻转中占比23%,最大的MCU为9位。对高能中子、热中子和封装α粒子的贡献比例进行了分析,并基于多地中子通量数据,推演得到北京地面和10 km高空应用时的单位翻转（SBU）和MCU失效率（FIT）。发现地面处软错误的主要诱因为封装α粒子,随着海拔的增高,大气中子对软错误的贡献比例明显增大;MCU全部由高能中子引起,北京10 km高空处的MCU FIT值明显增大,其占比由地面的8%增大至26%。结合器件版图布局,对MCU产生机理进行了深入分析。最后,提出一种目标导向的存储器软错误加固策略优化方法。