锰钴镍氧薄膜热敏型多元红外探测器研制

通过光刻和湿化学腐蚀工艺,成功制作出规格为2×8的多元锰钴镍氧薄膜红外探测器件.测试表明,室温下锰钴镍氧薄膜材料负电阻温度系数达-3.8%K-1.10 Hz调制频率和±15 V电压偏置条件下,线列器件典型探测元黑体响应率为107 V/W,探测率为2×107cmHz1/2/W,8元器件响应不均匀度为5.9%.实验结果表明锰钴镍氧薄膜焦平面器件制备的可行性,有可能作为新型室温全波段探测器件得到应用.     

一种高压电磁阀低温环境下O形圈密封性能优化

某型号高压电磁阀外密封采用氟醚橡胶O形圈与挡圈组合的密封结构，在高温和常温情况下密封正常，低温时受零件收缩等情况的影响，容易出现泄漏，在低温-50℃时泄漏严重。对该问题进行研究，分析造成低温泄漏的根本原因，并进行了相应的优化及试验验证，有效解决了该问题，提高了产品可靠性。     

美国海军改进“密集阵”系统

图1 Block 1B型“密集阵”近程武器系统“密集阵”近程武器系统是世界上最早出现的反导弹舰炮系统,是一种全天候、全自动、反应迅速的近程防空武器。70年代初由美国通用动力公司研制,1980年开始装备部队,现已装备美国、加拿大、英国、葡萄牙、希腊、以色列、沙特阿拉伯、澳大利亚、巴西、日本等国家以及我国台湾省的海军。1988年美国海军装备了改进的Block 1A型“密集阵”系统。今年3月,美国雷西昂导弹系统公司又开始为美国海军做进一步的改进,     

（英）沉积温度对脉冲激光沉积法在YSZ (100)衬底上生长的Mn1.56Co0.96Ni0.48O4尖晶石薄膜结构、电学和磁学性能的影响

在YSZ（100）衬底上,采用脉冲激光沉积法在500℃至700℃的不同沉积温度下生长出尖晶石结构的Mn_1.56Co_0.96Ni_0.48O₄（MCNO）薄膜.由于沉积温度是制备高质量薄膜的重要因素,本文研究了MCNO薄膜结构、电学和磁学性能随沉积温度的变化.通过对X射线衍射图和原子力显微镜图像的分析,发现MCNO薄膜的结晶与沉积温度有很大关系.随着沉积温度的升高,MCNO薄膜的电阻率呈V型变化,其导电过程可以用小极化子跳跃机理来描述.同时,随温度变化的磁化曲线表明所有样品都显示出从铁磁性到顺磁性的转变,且沉积温度为600℃的MCNO薄膜具有216 K的高居里温度.以上研究结果表明,在600℃沉积的MCNO薄膜具有适用于热敏电阻器件和多功能异质结所需的良好性能.     

生长于Pt/Ti/SiO2/Si衬底的ZnxNi(1-x)Mn2O4薄膜的结构与光学性质

采用化学溶液法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上生长了ZnxNi1-xMn2O4（ZNMO, x=0, 0.05, 0.1, 0.15, 0.2, 0.25）尖晶石氧化物薄膜。X射线衍射(XRD) 与场发射扫描电子显微镜(FESEM) 分析结果表明,Zn的掺杂浓度对ZNMO薄膜的结晶性和微结构有明显影响。用椭圆偏振光谱仪测量分析了ZNMO薄膜在300-1100nm波段的光学常数,并讨论了Zn掺杂对折射率n和消光系数k的影响。在薄膜的拉曼光谱中观测到两个峰A1g与F2g,A1g模式的相对峰位随着Zn的掺杂浓度x的增大而减小。由于晶格应变与晶格失配,拉曼峰峰位随Zn掺杂浓度的变化而轻微移动。     

一株产中性蛋白酶海洋细菌的筛选与初步鉴定

目的从海洋环境及生物中筛选高产蛋白酶菌株,初步研究其生长特性及酶学特性,为进一步研究开发提供依据。方法将从青岛黄海海域的鱼类、贝类、海水、海泥等样品中分离的细菌,用奶粉平板法和Folin-酚法筛选蛋白酶酶活性较高的菌株,测定该菌株的最佳产酶条件并初步检测其酶学特点,通过形态学、分子生物学鉴定,初步确定种属。结果菌株为革兰阴性杆菌,好氧,无芽孢,无荚膜,有鞭毛。奶粉平板上的菌落直径1～2 mm,圆形乳白色、光滑、边缘整齐、半透明。根据16S rDNA序列测定和系统发育树分析,初步鉴定该菌为Aranicola proteolyticus。该菌生长温度15～37℃,最适生长温度25℃。生长pH 5.5～9.0,最适pH 7.5。生长氯化钠浓度0～6%,最适浓度1%;所产蛋白酶的最适酶活性温度40℃,最适pH 7.5。结论菌株XF-1环境适应性较好,为中度嗜冷细菌。所产蛋白酶为中性蛋白酶。     

芦荟的活性成分及药用价值研究

本文主要介绍了芦荟的两类活性成分——蒽醌类化合物和芦荟多糖类物质，分别对其做了进一步的医疗价值分析，并综合了当今一些研究成果。同时也简单介绍了芦荟的药用价值。     

低压MOCVD生长TiO2薄膜结构和电性能研究

采用低压MOCVD法沉积生长了TiO2薄膜，研究了Si衬底取向，退火温度，退火时间，退火气氛对其结构和电性能的影响，结果表明，500℃下沉积生长于Si(111)和Si(100)上的TiO2薄膜为锐钛矿相多晶膜，经过600℃以上退火处理后，均可转变为纯金红石相结构。其中，Si(111)上的TiO2薄膜更容易转变为金红石相结构，而Si(100)上的TiO2薄膜，需要更高的退火温度和更长的退火时间才能转变为金红石结构。结果还表明，退火气氛中氧分压的大小对TiO2薄膜的结构无明显的影响。