合成金刚石的某些方法评介

首先扼要阐述了与金刚石薄膜制备技术有关的等离子体特性,随后着重介绍了金刚石薄膜制备技术的最新进展。根据沉积工艺参数和装置的结构评价了各种技术的优缺点。最后指出了目前这些技术中存在的问题。     

一种用于超光谱成像系统中消高级次光谱集成滤光片的设计与研制

介绍了一种用于工作波段0.4~2.5μm超光谱成像系统中消高级次光谱集成滤光片的设计与研制.针对offner凸面光栅分光的工作特点,通过在同一光学基片上划分三块不同的几何区域,分波段实现超光谱成像仪全光谱范围内因光栅分光引起高级次光谱的抑制与消除,同时保证工作波段的光学效率优于93%.采用精细掩模技术,保证不同波段之间过渡区域的尺寸小于30μm,有效提高光谱利用效率.     

工艺参数对纳米颗粒Cu/SiO_2复合薄膜结构和光谱特性的影响

用离子束溅射法制备了具有反常光吸收特性的纳米颗粒CU／SiO2复合薄膜。获得了在离子来参数一定时，基片温度、膜料的沉积时间和镀膜后的保温时间等工艺参数对这种薄膜结构和光学特性的影响规律，并对纳米颗粒Cu／SiO2复合薄膜的反常光吸收特性作了计算和解释。     

InGaAs探测器片上集成滤光膜的微结构与性能

为了适应未来红外焦平面探测器系统小型化、集成化和高精度的发展要求,采用了热蒸发方法分别在InP衬底和InGaAs探测器上实现了中心波长为1.38μm滤光膜的片上集成。利用偏光显微镜、原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)以及红外傅里叶光谱(FTIR)等实验手段研究了滤光膜的表面界面形貌和光学性能,结果显示,滤光膜为法布里-珀罗三谐振腔结构,与膜系设计一致;滤光膜中心波长为1.38μm,透射率在60%左右。对集成滤光膜InGaAs器件的电学和光学性能测试分析表明,滤光膜制备工艺对器件的电流电压特性和噪声基本没有影响;而集成滤光膜器件的响应要优于滤光膜分离器件的性能。     

离子束刻蚀光学薄膜的速率定标技术

离子束刻蚀技术现在越来越多被应用在可见光乃至红外薄膜中,在这一技术中最为关键的环节就是如何精确地测量离子源对薄膜的刻蚀速率,此速率因不同材料不同工艺条件而变化。现在利用光谱测量与数据拟合的方法,能够快速简便地测定出被刻蚀的材料的物理厚度,从而标定离子束刻蚀的速率。     

P92钢焊接及热处理工艺应用

随着我国超超临界火力发电机组工程的大量兴建,P92钢材焊接热处理工艺得到广泛的应用。为确保P92钢焊口性能质量,规范P92钢焊接、热处理工艺,华能集团制定了关于P92钢材焊接、热处理和检验方面的三个导则,我公司进行了严谨的焊接工艺评定试验。本文以华能某电厂三期6#机组锅炉末级过热器出口集箱拼接焊口为例,来总结说明P92钢大管道焊口现场焊接、热处理工艺运用情况及效果,为今后大量的P92钢焊口的焊接、热处理工作提供借鉴和指导。     

电子束蒸发沉积碲锗铅薄膜的微结构和化学组分研究

为了探寻碲锗铅(Pb_(1-x)Ge_xTe)薄膜的最佳沉积方式,在硅基片上采用电子束蒸发沉积碲锗铅(Pb_(0.78)Ge_(0.22)Te)薄膜。使用X射线衍射(XRD)、电子扫描显微镜(SEM)、能量散射X射线分析(EDAX)等手段对薄膜的微结构和化学配比特性进行了分析。发现碲锗铅薄膜为多晶结构,具有明显的择优取向,晶粒多为矩形,薄膜中未出现其它相关氧化物。与热蒸发膜层相比,电子束蒸发沉积的膜层有更为完善的晶体结构。     

（英）退火温度对电子束蒸发沉积硅薄膜结构和光学性能的影响

系统研究了退火温度对硅薄膜结构和光学性能的影响。通过电子束蒸发工艺制备硅薄膜,然后在氮气保护下对薄膜样品在200~500°C范围内进行退火处理。使用XRD、拉曼光谱、电子自旋共振和透射光谱测量等方法对薄膜样品进行了表征。结果显示,随着退火温度的升高,非晶硅薄膜结构有序度在短程和中程范围内得到改善,同时缺陷密度显著降低-。当样品在400°C退火后,消光系数k由6.14×10^-3下降到最小值1.02×10~3(1000 nm),这是由于此时硅薄膜缺陷密度也降到最低,约为沉积态薄膜的五分之一。试验结果表明,硅薄膜在适当的温度下退火可以有效地降低近红外区膜层的光学吸收,这对硅薄膜在光学薄膜器件研制中具有重要应用。     

引入表面微结构的3.7～4.8μm红外折衍混合物镜设计

折衍混合透镜具有重量轻和结构紧凑的特点,在空间光学仪器等方面有一定的优势。结合物镜设计要求的工作波段3.7～4.8μm、焦距64 mm和F数1.6等参数,采用了含有平面衍射微结构的3片式分离镜片,物镜总长度和重量得以明显减少,减少约40%。镜片选用了常用的红外光学材料硅和锗,设计对公差的要求较为宽松,得到的弥散斑半径小于9.5μm,各个视场的MTF值在17毫米线对处均达到0.8。硅平面镜表面的衍射微结构可以用4次套镀薄膜的方法来实现16个台阶,分析了衍射微结构可接受的加工误差范围。选用SiO和ZnS膜层来减少镜片表面反射损失,波段内物镜的光学效率达到93%。     

考夫曼型离子源工作稳定性研究

用于离子束辅助轰击镀膜的考夫曼型变孔径球面栅离子源,由于缩小了体积,散热条件不好,离子源启动后温度迅速上升,陶瓷绝缘子的绝缘强度迅速降低,永久磁铁的磁场强度也下降,致使离子源的连续有效工作时间不足半小时。采用多处屏蔽后,延长了陶瓷绝缘子和磁棒处于较低工作温度的时间,使离子源的连续有效工作时间达到了一小时,基本满足了辅助轰击镀膜的要求。