CH3 CSNH2/NH4 OH钝化GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器

引入一种新的低毒化合物CH3CSNH2/NH 4OH对GaInAsSb化合物探测器的表面进行了钝化处理,可使其暗电流降低一个数量级,动态电阻增大25倍多,且钝化83天后保持良好的钝化效果,取得了与(NH4)2S溶液一样理想的钝化效果.并采用AES和XPS对钝化前后的GaInAsSb材料进行了分析.     

棕红色颜料的制备及形成机理的研究

以ZnO、Cr2O3、Fe2O3、MnO2为原料合成了棕红色的尖晶石型颜料,并用XRD、DAT等手段对合成产物进行了表征。结果表明,该颜料在1129℃开始合成,其主晶相为锌铁尖晶石(ZnFe2O4)、铬铁尖晶石(FeCr2O4);且在1260℃～1300℃下,该颜料具有良好的稳定性。笔者还分析了颜料的发色机理及矿化剂在颜料制备中的作用。     

CH3 CSNH2/NH4 OH钝化GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器

引入一种新的低毒化合物CH3CSNH2/NH 4OH对GaInAsSb化合物探测器的表面进行了钝化处理,可使其暗电流降低一个数量级,动态电阻增大25倍多,且钝化83天后保持良好的钝化效果,取得了与(NH4)2S溶液一样理想的钝化效果.并采用AES和XPS对钝化前后的GaInAsSb材料进行了分析.     

提高电渗析运行效果的探讨

一、概况陇海铁路郑商交路中的商丘给水站的水质(老场)为高硬高盐水(见表1)。直接用于蒸汽机车,蒸汽质量差,造成锅炉泛水,机车运缓,晚点经常发生。1978年设计、建成     

难熔金属与n-GaAs的欧姆接触特性

用磁控溅射系统和快速合金化法制备了Mo/W/Ti/Au多层金属和n-GaAs材料的欧姆接触,在溅射金属层之前分别用HCl溶液和(NH4)2S溶液对n-GaAs材料的表面进行处理.用传输线法对比接触电阻进行了测试,并利用俄歇电子能谱(AES)、X射线衍射图谱(XRD)对接触的微观结构进行了分析.结果表明,用(NH4)2S溶液对n-GaAs材料表面进行处理后,比接触电阻最小;在700℃快速合金化后获得最低的比接触电阻,约为4.5×10-6Ω·cm2.这是由于(NH4)2S溶液钝化处理后降低了GaAs的表面态密度,消除了费米能级钉扎效应,从而改善了难熔金属与GaAs的接触特性.     

CH3CSNH2/NH4OH钝化GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器

引入一种新的低毒化合物CH3CSNH2/NH 4OH对GaInAsSb化合物探测器的表面进行了钝化处理,可使其暗电流降低一个数量级,动态电阻增大25倍多,且钝化83天后保持良好的钝化效果,取得了与(NH4)2S溶液一样理想的钝化效果.并采用AES和XPS对钝化前后的GaInAsSb材料进行了分析.     

GaInAsSb/GaSb 红外探测器抗反膜的研究

简单介绍了单层抗反膜的增透原理，并以Si片作为基片采用磁控溅射的方法制备了Al2O3、SiO2和ZrO2三种抗反膜。膜层的反射率测试结果表明：生长ZrO2膜后表面反射率下降可达30％；同时通过对GaInAsSb／GaSb PIN红外探测器蒸镀抗反膜前后的器件的I-V特性及黑体探测率的测试表明：蒸镀ZrO2膜后GaInAsSb／GaSb PIN红外探测器的黑体探测率平均提高了60．28％，远大于蒸镀Al2O3、SiO2后的48．91％和40．04％，说明ZrO2膜是一种较理想的单层抗反膜，使器件性能有所提高。     

一种冰醋酸红外气体传感器设计

提出了一种基于非色散红外原 理的冰醋酸红外气体传感器。介绍了冰醋酸红外气体传 感器的原理,然后对其结构设计进行了详细描述,并利用Light Tools 软件对其光路进行了仿真验证,最后获得了冰醋酸红外 气体传感器样机。测试结果表明,该传感器在0～5000 ppm范围内 的测量精度优于±1%F.S.,响应时间(T90)为29 s。这种传感器的光源部分 采用电调制方式,舍弃了传统的红外气体传感器光源部分的机 械斩波结构,进而减小了传感器的体积,提高了稳定性。因此,该传感器 在冰醋酸运输、储存和使用等领域具有广泛的应用前景。     

GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器及其Ⅰ-Ⅴ特性的研究

本文简单介绍了GaInAsSb/GaSb PIN探测器的结构及工作原理,重点分析了生长窗口层和硫钝化两种不同的改善探测器Ⅰ-Ⅴ反向偏软的特性的方法。