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A low-voltage triggering silicon-controlled rectifier(LVTSCR),for its high efficiency and low parasitic parameters,has many advantages in ESD protection,especially in ultra-deep sub-micron(UDSM) IC and high frequency applications.In this paper,the impact factors of the snapback characteristics of a LVTSCR and the configuring modes are analyzed and evaluated in detail.These parameters include anode series resistance,gate voltage,structure and size of devices.In addition,a double-trench LVTSCR is presented that can increase the hold-on voltage effectively and offers easy adjustment.Also,its snapback characteristics can obey the ESD design window rule very well.The strategy of ESD protection in a RFIC using a LVTSCR is discussed at the end of the paper. 相似文献
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提出了一种优化的SRAM,它的功耗较低而且能够自我修复.为了提高每个晶圆上的SRAM成品率,给SRAM增加冗余逻辑和E-FUSE box从而构成SR SRAM.为了降低功耗,将电源开启/关闭状态及隔离逻辑引入SR SRAM从而构成LPSR SRAM.将优化的LPSR SRAM64K×32应用到SoC中,并对LPSR SRAM64K×32的测试方法进行了讨论.该SoC经90nm CMOS工艺成功流片,芯片面积为5.6mm×5.6mm,功耗为1997mW.测试结果表明:LPSR SRAM64K×32功耗降低了17.301%,每个晶圆上的LPSRSRAM64K×32成晶率提高了13.255%. 相似文献
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采用恒定电流应力对薄栅氧化层MOS电容进行了TDDB评价实验,提出了精确测量和表征陷阱密度及累积失效率的方法.该方法根据电荷陷落的动态平衡方程,测量恒流应力下MOS电容的栅电压变化曲线和应力前后的高频C-V曲线变化求解陷阱密度.从实验中可以直接提取表征陷阱的动态参数.在此基础上,可以对器件的累积失效率进行精确的评估. 相似文献
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研究了在热载流子注入HCI(hotcarrier injection)和负偏温NBT(negative bias temperature)两种偏置条件下pMOS器件的可靠性.测量了pMOS器件应力前后的电流电压特性和典型的器件参数漂移,并与单独HCI和NBT应力下的特性进行了对比.在这两种应力偏置条件下,pMOS器件退化特性的测量结果显示高温NBT应力使得热载流子退化效应增强.由于栅氧化层中的固定正电荷引起正反馈的热载流子退化增强了漏端电场,使得器件特性严重退化.给出了NBT效应不断增强的HCI耦合效应的详细解释. 相似文献
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快速图像匹配相关系数算法及实现 总被引:1,自引:0,他引:1
最大归一互相关图像匹配算法是图像匹配中的常用算法,其关键是解算活动图与基准图间的相关系数。针对相关系数计算量大的特点,分析了FFT的基与FFT处理速度之间的关系以及基16FFT算法特点,提出用基16FFT算法计算相关系数,相关系数的处理时间大幅减小;同时针对高基蝶形单元设计复杂、使用不灵活等特点,提出采用级连思想实现主基16蝶形单元,使处理器的设计复杂度降低。实验证明,将主基16FFT处理器用于相关系数的计算中,使最大归一互相关图像匹配处理速度达到国际领先水平。 相似文献
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提出一种针对小数乘法器的低功耗设计算法,其优化指标为综合后小数乘法器内部寄存中间运算结果的寄存器位宽,解决了目前低功耗设计中算法自身逻辑单元被引入系统从而降低系统优化效果的问题.该算法能够在不降低系统工作效率、不损失系统运算精度、不增加额外逻辑单元的条件下,大幅降低系统功耗和面积.在使用该算法对某一射频模块进行优化后,硬件测试结果显示该射频模块对某型号FPGA的逻辑占用率相比优化前降低17.9%,寄存器总数降低30.7%,存储单元占用率降低21.5%.该算法适用于对含有大量小数乘法运算的系统进行低功耗优化. 相似文献