激光淬火+冲击复合强化处理QT800-2的实验研究

对经激光淬火强化处理后的球墨铸铁QT800-2的强化区域再进行激光冲击强化处理进行了研究。结果表明,复合强化处理后的球墨铸铁QT800-2与经激光淬火强化处理区域相比,各项机械性能都得到了较大提高,其中硬度提高了18％,耐磨性提高了100％,尤其是材料内部残余应力全部变成了残余压应力。     

配电变压器零序电流治理优化方法及装置

目前,在配电网采用的三相四线制中,针对三相不对称负荷运行导致零序电流长期偏高,造成变压器损耗并影响变压器的寿命,且现有全容性无功补偿装置易造成严重过补偿危害,本文提出了一套零序电流治理的全容性无功补偿优化算法及装置。主要通过实时计算三相负荷所需无功补偿量,利用优化算法以全电容方式对相间与相对地间电容器组进行动态投切,进而通过有功转移及无功补偿方式实施零序电流的抑制。挂网运行结果表明,该装置能有效防止严重过补偿危害,并能有效抑制零序电流的增长,提高功率因数以及降低配电变压器损耗;同时采用先进的GPRS无线通信和监控软件实时互动,为负荷的状态调整提供了参考信息,达到了节能减排的效果。     

基于MapX的组件式GIS集成系统的开发与应用

从组件式技术出发,采用了MapX和PowerBuilder集成技术设计开发了新疆玛纳斯河流域信息系统。该系统主要实现了基于GIS系统的数据录入与修改、流域水资源调度管理、灌区综合信息查询、洪水预测预报分析等功能。对运用MapX和PowerBuilder集成技术开发GIS功能进行了具体的分析,提供了一种针对组件式GIS系统的开发应用方法。     

掺稀土离子液体激光器的研究进展

综合介绍了掺稀土离子液体激光器的主要发展历程,分析了掺稀土离子液体激光材料研究过程中需要解决的主要问题包括降低无辐射跃迁、增大溶解度和减少热致折射率梯度引起的光偏折损耗等.重点介绍了稀土离子在溶液中的无辐射跃迁机理以及降低无辐射跃迁的措施.     

液体型叶面肥料胀气原因探讨

介绍液体型叶面肥料储存过程中产生胀气的现象及危害,采用排除法研究了大中微量元素叶面肥料各组分对胀气性能的影响。结果表明:尿素是大中微量元素叶面肥料产生胀气的根源,其他组分对尿素产生胀气有不同程度的促进作用。并提出用胀气率区分各组分对胀气的影响程度。     

富硒麦芽的生产工艺研究

针对目前市场上啤酒竞争的局面，从啤酒生产的原料——大麦入手，通过对制麦过程中微量元素的添加，研制生产抗癌、保健作用的富硒麦芽，为生产富硒啤酒、富硒饼干、面包等富硒食品提供原料。     

Effects of Different Ligands on Fluorescent Properties of Nd3+ Organic Complexes

合成了4种掺Nd3+的配合物分别是Nd(C2F5COO)3Tfpy,Nd(C3F7COO)3Tfpy,Nd(C2F5COO)2(C6F5COO)Tfpy和Nd(C2F5COO)3Phen,来研究不同的配体对配合物发光性能的影响。通过紫外吸收谱、红外光谱和核磁共振H谱表征了配合物的结构。在吸收谱、荧光谱和辐射寿命的基础上,应用Judd-Ofelt理论对4种配合物进行了分析。结构分析表明配体和中心的钕离子均成功配位。JO理论分析得到较小的?2表明钕离子和配体是通过离子键的形式配合的。配合物中的环状结构可以显著地提高钕离子的荧光量子效率。与常用的第二配体Phen相比,Tfpy由于自身较小的对称性和含较少的H原子而成为更好的中性第二配体。本研究合成的4种配合物都有较大的受激辐射面积,可以作为潜在的液体激光材料。     

气缸孔两种激光表面处理加工技术的比较

本文简要介绍了激光淬火技术和激光珩磨技术,并从耐磨延寿机理、主要技术要素、处理加工工艺以及应用 效能等方面对它们进行了比较研究,结果表明两者是不同的激光表面处理加工方法。     

厄米-高斯光束中带宽对横向强度分布均匀性的影响

使用惠更斯-菲涅耳衍射积分和傅里叶变换,推导了横向模式为厄米-高斯的激光束通过硬边光阑的传输表达式。利用所得公式通过数值计算详细分析了光束的频带宽度对光束横向强度分布的影响。分析发现激光束通过硬边光阑后会出现大量的强度尖峰,引起近场的强度分布不均匀。然而,当带宽增加时,强度尖峰的数量减少,幅度减小,光束的均匀性得到改善。在远场,光束的横向强度分布没有强度尖峰出现,但宽度随带宽的增加而减小。因此带宽增加会带来近场强度匀滑化和远场光束宽度变窄的效应。另外,数值结果表明带宽对模指数为1和2的厄米-高斯光束的强度分布的影响是类似的,均有近场强度匀滑化和远场光束宽度变窄的效应。     

基于超材料的多频带可调谐太赫兹吸收器

设计了一种多频带可调谐的太赫兹超材料吸收器。在超材料吸收器的结构中,引入光敏半导体硅材料,设计特殊的顶层金属谐振器,分析开口长度、线宽、介质层厚度等参数尺寸对太赫兹超材料吸收器的吸收光谱特性影响。根据光照与光敏半导体硅电导率之间的关系,研究太赫兹超材料吸收器的频率调谐特性。仿真结果得到太赫兹波段的12个吸收频率调制,其中有10处吸收峰的吸收率超过90%近完美吸收,且有6处吸收率达到99%的完美吸收,而且吸收率调制深度和相对带宽分别达到85.9 %和85.5%,具有很强的可调谐特性。设计的光激励太赫兹超材料吸收器结构简单,具有多频带可调谐和完美吸收特性,扩大了吸收器的应用范围。