高压脉冲延迟线实验研究

采用 T型集中参数网络及失配设计 ,研制了一台高压脉冲延迟线 ,由其可获得触发脉冲延迟时间为 3.5μs、电压幅值 >4 0 k V、幅值衰减 <2 0 %及前沿 <16 0 ns的脉冲。     

直流基压对烟气处理设备放电电流的影响

实验研究表明：直流基压对流光放电电流有一定的影响。但过高的基压将带来负面影响,导致能量损耗。而适当的直流基压系统可以通过一个与反应器并联的电容器实现,从而将低系统成本,简化操作。     

Blumlein型宽平顶长脉冲形成网络研究

介绍了 Blum lein型低阻抗脉冲形成网络并研究了网络元件标称值偏离真实值对输出脉冲的影响。研究和实验结果表明 ,采用 Blumlein结构脉冲形成网络 ,可获得输出电压幅度等于充电电压的脉冲输出 ,脉冲电流达数 k A,脉冲平顶纹波波动 <± 1% ;当元件的真实值偏离标称值 5 %以内时对脉冲平顶的影响可以忽略。     

大功率半导体激光器脉冲驱动电源研制

研制了一种大电流、窄脉宽的半导体激光器驱动电源,该驱动电源激励半导体激光器用于驱动砷化镓光导开关。驱动电路采用高速金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为开关,为半导体激光器提供一个前沿快(1.2 ns)、脉宽窄(15 ns)、峰值电流大(72 A)的脉冲驱动电流,并可根据需要调节电路中的参数,获得不同前沿、不同脉宽、不同峰值的电流脉冲。半导体激光器输出的激光脉冲功率可达75 W,上升前沿约3 ns,抖动均方根小于200 ps,可稳定触发工作在非线性模式下的砷化镓光导开关。     

Vacuum Outgassing Behavior of Carbon Nanotube Cathode with High-Intensity Pulsed Electron Emission

Experimental investigations on the vacuum outgassing of a carbon nanotube(CNT)cathode with high-intensity pulsed electron emission on a 2 MeV linear induction accelerator injector are presented.Under the 1.60 MV diode voltage,the CNT cathode could provide 1.67 kA electron beam with the amount of outgassing of about 0.51 Pa-L.It is found that the amount of outgassing,which determines the cathode emission current,depends on the diode voltage and the vacuum.     

Φ100mm钪酸盐阴极实验系统及其实验结果

为获得kA级热发射电子束,研制了直径为Φ100 mm钪酸盐热阴极组件,并建立了适应大面积热阴极实验环境的2 MV注入器试验平台.实验在二极管真空3.7×10-5Pa,二极管电压1.95 MV,脉宽120 ns(FWHM),阴极温度1120℃时,获得最大收集电流1038A,发射电流密度约13 A/cm2.试验结果表明,在...     

固态Blumlein线的初步研究

给出了用某种功能陶瓷材料作为储能介质的Blumlein型固态脉冲形成线的设计和实验结果。实验结果表明,所采用的设计方法可靠,实验获得的高压脉冲前沿<20ns,脉冲平顶波动<±1％,可以满足应用需求。     

Blumlein型宽平顶长脉冲形成网络研究

介绍了 Blum lein型低阻抗脉冲形成网络并研究了网络元件标称值偏离真实值对输出脉冲的影响。研究和实验结果表明 ,采用 Blumlein结构脉冲形成网络 ,可获得输出电压幅度等于充电电压的脉冲输出 ,脉冲电流达数 k A,脉冲平顶纹波波动 <± 1% ;当元件的真实值偏离标称值 5 %以内时对脉冲平顶的影响可以忽略。     

硅基底上热解法生长CNT薄膜的强流脉冲发射特性

采用酞菁铁高温热解方法在直径为5cm的硅基底上生长了定向CNT薄膜,并对其强流脉冲发射特性进行了表征.测试结果表明,在单脉冲条件下,当宏观场强为11.7V/μm时,发射脉冲电流的峰值约为109.4A;而在双脉冲模式下,当第一脉冲峰值宏观场强为8.6V/μm,第二脉冲峰值宏观场强为5.4V/μm时,第一脉冲和第二脉冲峰值...