用于太赫兹成像的CMOS肖特基二极管三维结构

提出了一种简单、科学、有效的高截止频率肖特基势垒二极管设计方法。通过SMIC 180 nm工艺制备的肖特基二极管的截止频率为800 GHz,分析测试结果和仿真数据优化后的肖特基势垒二极管截止频率可以达到1 THz左右。完成了包括天线、匹配电路和肖特基势垒二极管的集成探测器,在220 GHz下其测试响应率可达130 V/W,等效噪声功率估计为400 pw/。完成了陶瓷瓶内不可见液面的成像实验并取得了良好的效果。     

一种高集成高空间分辨率220 GHz检波器

本文设计了一种高集成检波器,其包含贴片天线、匹配电路、肖特基二极管和透镜。在中芯国际130nm工艺下将天线、匹配电路、肖特基二极管集成到一个芯片上,检波器的集成度相比于分离式有了明显的提高。为增强片上天线的方向性,进行了带有空气腔的尼龙透镜的设计和优化。透镜上的空气腔不但提供了组装空间而且减小了透镜体积。通过测试,天线在220 GHz辐射增益为22 dB,其中透镜贡献约为20dB。检波器测试得到的响应率可达到130-150V/W,对应的等效噪声功率（NEP）估算为400-460 。