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1.
利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石c面衬底上制备出高反射率A1N/GaN分布布拉格反射镜(DBR)。利用分光光度计测量,在418nm附近最大反射率达到99%。样品表面显微照片显示,有圆弧形缺陷和少量裂纹出现;在缺陷和裂纹以外的区域,DBR具有较为平坦的表面,其粗糙度在10μm×10μm面积上为3.3nm左右。样品的截面扫描电镜(SEM)照片显示,DBR具有良好的周期性。对反射率和表面分析的结果表明,该样品达到了制备GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)的要求。  相似文献   
2.
特色小镇建设已在我国全面推广,文章总结归纳出了一类具有相似特征的农旅资源型特色小镇,以基础农业和生态环境作为资源本底,发展农业及农业特色旅游。现阶段,我国对于镇村农旅融合发展的研究主要集中于休闲农业与乡村旅游的单向发展模式,内容不完善,出现了诸多问题,对于创建农旅综合发展平台的研究内容相对较少。农旅资源型特色小镇的建设研究可充分解决这一问题。文章探究发展瓶颈,总结出农旅资源型特色小镇镇村互动、产镇融合、以农促旅、以旅强农、资源整合、差异发展的综合发展模式,形成特色城镇、农业人口、农旅产业、农旅文化等功能有机融合的空间发展载体和平台,促进经济增长和社会发展。并进一步以赣州市江口果蔬小镇规划为例,通过方案的研究为同类型农旅资源型特色小镇及农旅村镇发展提供参考。  相似文献   
3.
转炉冶炼高硅铁水,向渣罐内倒低碱度倒炉渣时,渣罐内的钢渣泡沫化现象严重,影响倒渣作业。将炼铁厂的瓦斯灰添加部分的功能材料,加入到渣罐内,在实现压渣消泡的同时,回收利用了高炉瓦斯灰内的含铁物质和含碳物质,是循环经济的一种有效工艺,本文予以浅述。  相似文献   
4.
在对生物质热风炉换热器进行实验研究的基础上,根据其特点建立了相应的三维分析模型,并基于多孔介质分布阻力模型,采用SIMPLE算法、标准k-e湍流模型和壁面标准函数法,通过求解三维N-S方程和能量方程模拟了烟气在换热器管程流动和空气在壳程流动的传热过程。得到了不同的壳程流体流速下的温度场、速度场、质点迹线图,通过实验验证了分析模型的正确性。对影响生物质热风炉换热器流场及热交换的关键因素进行了探讨,为相关设备的设计、优化及应用提供了有价值的参考。  相似文献   
5.
根据实验室现有的带传动实验台,为其升级改造开发出了一套控制系统,可以实现电机扭矩加载、转速自动测量的计算机控制、数据显示和存储;并可测出皮带传动的滑动率和效率,迅速处理实测数据,绘出滑动率和传动效率随转矩变化的曲线。  相似文献   
6.
近年来,N2退火和O2退火均被用于激活p-GaN中的Mg受主以提高p-GaN中的空穴浓度。基于两种退火技术,系统地研究了N2退火和O2退火对LED样品电学性能及光学性能的影响。电流电压特性的测试结果显示,在较低温度(500℃)下O2退火就可以达到与N2高温退火(800℃)相似的电学特性。变温光致发光测试表明,N2高温退火会在InGaN量子阱中形成In团簇,In团簇作为深的势阱增加了对载流子的束缚,能够将载流子更好地局限在势阱中。然而In团簇形成的同时也伴随着大量位错的产生,使其InGaN量子阱中的位错密度大幅度提高,因此室温下N2退火样品的辐射复合效率低于O2退火样品的辐射复合效率。  相似文献   
7.
An investigation was conducted into the effect of hydrogen dilution on the microstructure and optical properties of silicon nanograins embedded in silicon nitride (Si/SiNx) thin film deposited by the helicon wave plasma-enhanced chemical vapour deposition technique. With Ar-diluted SiH4 and N2 as the reactant gas sources in the fabrication of thin film, the film was formed at a high deposition rate. There was a high density of defect at the amorphous silicon (a-Si)/SiNx interface and a relative low optical gap in the film. An addition of hydrogen into the reactant gas reduced the film deposition rate sharply. The silicon nanograins in the SiNx matrix were in a crystalline state, and the density of defects at the silicon nanocrystals (nc-Si)/SiNx interface decreased significantly and the optical gap of the films widened. These results suggested that hydrogen activated by the plasma could not only eliminate in the defects between the interface of silicon nanograins and SiNx matrix, but also helped the nanograins transform from the amorphous into crystalline state. By changing the hydrogen dilution ratio in the reactant gas sources, a tunable band gap from 1.87 eV to 3.32 eV was obtained in the Si/SiNx film.  相似文献   
8.
本文主要介绍了在A152L产品电装生产设计中,CADDS5、Windchill等软件系统的运用以及对电装生产设计的工作流程、特点以及难点问题进行分析,提出了解决问题的方法。通过对A152L产品电装生产设计的分析与总结,从进一步推广、完善船舶三维设计体系的角度提出一些个人的见解和想法。  相似文献   
9.
纳米非晶硅薄膜的界面发光特性   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用螺旋波等离子体增强化学气相沉积(HWP-CVD)技术沉积了不同氢稀释比的富硅氢化非晶氮化硅(a-SiNx:H)薄膜,并利用光致发光(PL)和光致发光激发(PLE)谱技术对其发光特性进行了研究.结果显示,所有样品发光均表现为两个带的叠加:一个发光带随氢稀释比增大而发生蓝移,另一个发光带则固定在2.9eV左右.前者关联于镶嵌在a-SiNx:H基质内非晶纳米硅颗粒的界面发光,后者来源于a-SiNx:H基质相关的局域态中电子和空穴对的辐射复合.并结合所沉积薄膜的吸收特性,分析了缺陷态和界面态对薄膜中非晶纳米硅界面发光特性的影响.  相似文献   
10.
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是电力变换装置中的重要器件,评估其可靠性至关重要。IGBT的结温及结温波动是造成其失效的主要原因,如何判定结温波动成为一个研究难点。通过分析IGBT的结构与结温特性、结温机理和结温波动对开关过程的影响及开关波形的频域模型,可以得出结温升高会导致IGBT模块工作过程中产生的电磁干扰变小,然后通过实验验证。实验测试结果表明,基于电磁干扰强度的结温估计或结温波动估计方法切实可行。  相似文献   
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