兆瓦级回旋管单级降压收集极横向磁扫描系统的仿真

对170 GHz兆瓦级回旋管单级降压收集极横向磁扫描系统进行了仿真.采用单级降压收集极一方面回收了废电子注的部分活跃能量同时提升总输出效率超过55%.横向磁扫描系统的引入扩展了废电子注轨迹长度至1100 mm,使收集极表面热耗散保持在技术允许范围内.此外仿真得到了扫描信号的调制深度以及横向线圈数的最优结果 38. 9%和6,以及可接受的最大平均功率值117. 1 W/cm~2.为了确保在实际工作中的安全性和可行性,设计了轴向开槽的收集极冷却系统,利用软件ANSYS开展了收集极的热和流体分析.得到收集极内外表面的最高温度各自为156. 09℃和140. 35℃.进水口和出水口的水温范围分别为20～26. 68℃和38. 01～58. 56℃.     

GA731型剑杆织机电磁离合器特点与性能分析

本文通过对ＧＡ７３１型剑杆织机上电磁离合器的结构特点介绍、性能分析并验算其特性，提出了确保质量的装配方法，对织机设计、工艺的技术人员颇有参考价值。     

用于热阴极的热子绝缘层研究

研究了热子涂层的原材料粒度对热子绝缘层质量的影响,粒度过细或过粗,涂层附着不均匀,烧结后涂层表面开裂、起皮、粗糙、掉粉严重。采用粒度级配的配比方案制备了氧化铝涂层,电镜分析表明,涂层致密,质量得到明显改善;与原有工艺相比,氧化铝涂层抗压能力提高了1倍。     

激光驱动光电阴极的研究进展北大核心CSCD

随着高能粒子探测、超导腔加速器等领域的快速发展,对光电阴极的光电性能提出了更高的要求。光电阴极的材料决定了光电发射的量子效率、暗发射电流和出射电子能量分布等重要性能;激光在亮度、方向性、单色性、相干性等方面远高于普通光源,使得用激光驱动光电阴极具有更加优良的光电流和量子效率等光电性能。本文介绍了几种类型的光电阴极发射材料,包括Na2KSb光电阴极、Cs3Sb光电阴极、K2CsSb光电阴极和Cu光电阴极。其中对Na2KSb光电阴极的制备以及光电性能测试方法进行了详细介绍;对Cs3Sb光电阴极的制备及影响其寿命的因素进行分析介绍,并且对Cs3Sb光电阴极的改良进行了总结;对于K2CsSb光电阴极分别通过实验和蒙特卡洛法测量其光电性能,分析总结了影响其量子效率和光电发射寿命的因素;对于Cu光电阴极,分析了包覆CuBr对铜光电阴极的量子效率的影响。     

基于电子注嵌入光栅的0.55 THz返波振荡器的结构设计与注波互作用的分析

根据矩形栅慢波结构的色散公式初步确定各结构参数, 并分析了各结构参数的变化对色散曲线的影响, 用CST微波工作室仿真, 计算并对比分析嵌入与未嵌入圆形电子注的高频特性的变化趋势, 得出前者对应的色散曲线和耦合阻抗曲线要大于后者的结论。利用CST粒子工作室进行注波互作用模拟, 权衡起振时间和输出功率关系, 确定整管的仿真长度。研究了电子注嵌入深度、填充比、电流大小对输出功率的影响, 优化结构参数, 最终得到14. 6 W的稳定输出功率, 与Magic计算出的结果相吻合。     

GFA731型剑杆织机电磁离合器特点与性能分析

本文通过对ＧＡ７３１型剑杆织机上电磁离合器的结构特点介绍、性能分析并验算其特怀，提出了确保质量的装配方法，对织机设计、工艺的技术人员颇有参考价值。     

光电阴极的研究进展

光电阴极的材料决定了光电发射的量子效率、暗发射电流和出射电子能量分布等重要性能。本文介绍各种类型的光电阴极发射材料,包括碱金属和半导体材料。其中重点介绍半导体材料中的多碱光电阴极和负电子亲和势(NEA)光电阴极,并对多碱光电阴极的制备流程及性能测试和影响NEA光电阴极量子效率等因素进行详细的分析。     

用于浸渍阴极的钨海绵基体制备

微波真空电子器件广泛应用于卫星通信及未来军事前沿的高功率微波武器等方面,这些器件需要电流发射稳定、蒸发小、寿命长的浸渍阴极,进而对浸渍阴极钨海绵基体制备工艺提出了很高要求。本文首先利用分级技术对钨粉进行了分级,制备出流动性好颗粒均匀的钨粉。采用气体纯化与检测系统,可以除掉氢气中残余的氧和水,使氢气的露点降至-90℃以下,为制备无氧化的钨海绵基体提供良好的烧结气氛。采用真空去铜技术,制备出表面非常光洁,没有任何污渍和杂质沉淀的阴极基体,利用X射线能量色散谱(EDX)分析了制备的阴极基体断面,结果表明新方法达到了传统化学去铜及再高温去铜后的效果,新方法更节省时间,更环保。通过调节烧结时间和烧结气氛可以制备出微波器件所需的孔度适宜、闭孔率低的阴极基体,为制备低蒸发、长寿命微波器件的阴极打下基础。     

SMT工艺设计流程重组研究

电子电路模块制造企业所处的外部环境发生了很大的变化，这就对其工艺设计流程提出了更高的要求。采用业务流程重组理论，对SMT工艺设计流程进行了重组研究，并取得了明显的成效。     

新型高热导率氮化铝基微波衰减陶瓷研究

针对传统氧化铍基微波损耗陶瓷存在毒性大、一致性差和焊接难度大的问题,发展了一种高热导率氮化铝基的AlN-FeSiAl微波衰减陶瓷。该材料在AlN基体中添加FeSiAl,属环境友好型材料。为获得高热导率和良好的电磁性能,开展了不同氮化铝粉末、不同FeSiAl粉末添加量以及烧结工艺对复合材料性能影响的研究。结果表明,采用日本东洋氮化铝粉末、添加10%(质量分数,下同)的FeSiAl,在1650℃和85 MPa下进行真空热压烧结,获得了衰减性能优异的微波衰减陶瓷,且材料热导率达到88.2 W/m·K,接近美国Ceradyne公司AlN基微波衰减陶瓷的热导率水平。