K元素对CdS晶体光学及电学性能的影响

采用物理气相输运(PVT)法生长了直径为50 mm的K掺杂CdS晶体,对掺杂和未掺杂的CdS晶片进行显微观察、二次离子质谱(SIMS)成分分析、红外光谱透过率以及霍尔效应测试,研究了K元素掺杂对CdS晶体光学及电学性能的影响.生长时用KCl进行掺杂.显微观察显示,掺杂KCl后CdS晶体的微观形貌没有明显变化;SIMS成分测试表明,晶体中引入的杂质主要是K元素,而Cl元素未掺入晶体中.红外光谱透过率发现掺杂K元素的CdS晶体相比于未掺杂晶体,不仅在波长为2.5～ 10 μm内红外透过率显著下降,而且在波长为10μm以上时红外透过率甚至低于15％.另外,K元素掺杂CdS晶体电学性能也发生变化,晶体迁移率也由未掺杂的318 cm2/ (V·s)下降为146 cm2/ (V·s).     

4H-SiC(0001)硅面原子级平整抛光方法

以4H-SiC(0001)面Si面为加工对象,提出了一种可以快速获得平整、无损伤表面的化学机械抛光方法。先在复合铜、锡盘上对2英寸(1英寸=2.54 cm)的SiC晶片进行机械抛光,去除研磨造成的损伤层和划痕,最后用特殊的抛光液进行化学机械抛光。用微分干涉显微镜和原子力显微镜观察晶片表面形貌的变化,观察结果显示,经3 h抛光后晶片的表面粗糙度状况得到了明显的改善,表面没有观察到划痕,表面粗糙度值达到了0.1 nm以下,并且出现规则排列的原子台阶构型,达到了原子级平整。实验研究了抛光液组成对抛光效果的影响,在最优的条件下,化学机械抛光的去除速率约为387 nm/h。     

GaN体单晶生长技术研究现状

回顾了GaN体单晶材料的发展历程并介绍了研究现状.主要讨论了HVPE法和气相传输法等气相生长方法,以及HNPSG、助溶剂法、氨热法、提拉法等熔体生长方法.针对每种生长方法,阐述了其生长原理、特点及研究现状.     

爬底板采煤机的适应性浅析

通过对MG344－PWD型爬底板采煤机在大同矿务局使用情况的分析，得出爬底板采煤机仅适用于较硬底板工作面的结论．     

采煤机镐形齿高效滚筒的研制

介绍采煤机镐形齿高效滚筒的研制、试验情况等。     

大功率薄煤层滚筒采煤机的设计

阐述了设计MG250－BW4煤层滚筒采煤机的必要性和可行性，并与国内已有薄煤层滚筒采煤机进行了比较．