碲镉汞量子点的离子交换能带调控及其近红外自吸收性质

通过软化学方法制备单分散的CdTe量子点,调节Hg²⁺的浓度离子交换实现从可见到近红外光谱准连续可调的碲镉汞(Hg_xCd_1-xTe)量子点制备。深入分析了近红外Hg_0.33Cd_0.67Te量子点的变温光致发光及其自吸收特性,研究结果表明：碲镉汞量子点的荧光强度随着温度的升高（0～100℃）呈线性降低趋势,谱线展宽,峰位发生红移（12nm）;量子点的吸收和发射光谱部分重叠导致自吸收效应随着量子点的浓度增加而增强,导致量子点荧光强度的降低。     

碲镉汞薄膜表面钝化的研究进展

赝二元体系碲镉汞(Mercury Cadmium Telluride, Hg_xCd_1-xTe)材料具有优异的光电特性,是制备高灵敏度红外探测器的最重要材料之一。为了获得性能优异的Hg_xCd_1-xTe探测器及其组件,目前已经发展了各种Hg_xCd_1-xTe材料制备技术和器件制作工艺。但在各种材料制备及器件应用过程中,Hg_xCd_1-xTe表面均会受到环境和不良表面效应的影响,所以需要采用先进的钝化工艺对其表面电荷态进行处理,改善材料表面的电学物理特性,从而实现器件探测性能的提升。因此,Hg_xCd_1-xTe薄膜表面钝化工艺对Hg_xCd_1-xTe红外探测器的性能提升至关重要。总结和分析了近年来碲镉汞薄膜表面钝化层的生长方法。按照本源钝化和非本源钝化进行了分类总结和综述,分析了不同钝化方法的优缺点,并对未来碲镉汞薄膜钝化工艺进行了展望。