浅议房屋建筑工程施工管理

随着我国城镇化进程不断加快,房屋建筑工程越来越受到人们的重视,而在整个施工过程中施工管理起着重要的作用。为了提高我国房屋建筑工程的施工质量,就需要发现我国施工管理中存在的问题,并采取相应地措施,这样才能使施工管理更好地促进我国房屋建筑工程的发展。本文对房屋建筑工程施工管理进行了探讨。     

钝化膜提高GaN基LED光提取效率研究

模拟计算了光的入射角度与反射率的关系,当光的入射角度大于23°时,发生全反射,无论是否在器件表面生长增透膜,这时的光都无法从器件顶部出射表面提取出来。研究了使用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在已经制备了n电极和p电极的GaN基LED上制备钝化膜,分析了SiON和SiN_x膜沉积对于器件的光输出功率的影响。通过实验证明,在器件上沉积SiON后,光输出功率增加。     

一种感光栅GaN基高电子迁移率晶体管紫外探测器

利用GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅控特性和铁电体的光伏效应机制,制备了一种新型(光敏感层/HEMT)光探测器件。主要研究了复合薄膜和溅射气氛对光敏感薄膜的光伏性能以及对新型感光栅极探测器的光探测能力的影响。结果表明,PZT/ZnO复合薄膜的量子效率峰值达到14.55%;有氧氛围下制备的PZT薄膜剩余极化强度达到52.31μC/cm²;沉积PZT/ZnO复合薄膜的探测器在紫外光照下相比于暗场下的源漏饱和电流最多增加12.64mA。可见,所制备的新型探测器对紫外光具有优良的探测能力,为光探测的研究提供了新的方向。     

GaN基微腔传感器悬空隔膜的力电转换的ANSYS研究

为了深入研究氮化镓薄膜的压电效应和机械特性,基于气体直接吸收红外辐射的原理,将基于氮化镓悬空隔膜的充气微腔红外传感器项目作为背景,以氮化镓/铝镓氮薄膜作为敏感单元,在材料力学以及压电效应方面,采用有限元分析软件ANSYS 14.0进行了理论分析和验证,取得了薄膜形状、厚度和面积等尺寸与压电薄膜输出电压以及薄膜灵敏度的逻辑关系数据,验证了薄膜力-电信号转换机制可行性。结果表明,GaN薄膜材料具有良好的压电特性以及线性度,有助于对探测器输出信号进行准确的预测,并进行温度补偿,突出GaN材料在应用中的优势。此研究对设计性能良好、灵敏度高的微腔红外传感器是有帮助的。     

建筑装修过程电气改线方案与注意事项

这几年装修行业也是空前的繁盛尤其是在现在房价居高不下的状态下，二手房已经成为普通老百姓选择一个方向随着社会的不断发展，人们的生活水平也在不断的提高，并且随着科学技术的日益进步，人们对自己的居住和办公环境的要求也越来越高，但追求美观的同时别忘了电气装修的注意事项。建筑电气在实现这些效果的同时也存在着很大的安全隐患。     

Effects of rapid thermal annealing on ohmic contact of AIGaN/GaN HEMTs

Ohmic contacts with Ti/Al/Ti/Au source and drain electrodes on A1GaN/GaN high electron mobility transistors （HEMTs） were fabricated and subjected to rapid thermal annealing （RTA） in flowing N2. The wafer was divided into 5 parts and three of them were annealed for 30 s at 700, 750, and 800 ℃, respectively, the others were annealed at 750 ℃ for 25 and 40 s. Due to the RTA, a change from Schottky contact to Ohmic contact has been obtained between the electrode layer and the A1GaN/GaN heterojunction layer. We have achieved a low specific contact resistance of 7.41 × 10-6Ω cm2 and contact resistance of 0.54 Ω.mm measured by transmission line mode （TLM）, and good surface morphology and edge acuity are also desirable by annealing at 750 ℃ for 30 s. The experiments also indicate that the performance of ohmic contact is first improved, then it reaches a peak, finally degrading with annealing temperature or annealing time rising.     

GaN基紫外光电探测器的材料制备及器件优化研究进展

紫外光在各领域应用广泛,制备高性能紫外光电探测器(UVPD)受到研究人员的重视.GaN作为宽禁带半导体材料,具有高电子迁移率、稳定的物理化学性质、高击穿电压、低暗电流和固有可见盲区的特点.GaN基UV PD具有制备工艺简单、体积小无需附加滤光系统、易于与其他材料集成等特点,表现出优异的紫外光探测性能.围绕GaN基UVPD,介绍了 GaN材料在制备工艺上的研究进展;详细论述了常见结构GaN基UV PD最新结构的优化对器件性能的影响;介绍了基于表面声波、表面等离激元和场效应晶体管集成的新型GaN基UV PD;最后,对GaN基UV PD的发展趋势进行了展望.     

AlGaInP红光LED的GaP窗口层自组装法粗化

利用高分子共混物的自组装机理,将聚苯乙烯(polystyrene,PS)和聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate,PMMA)进行混合形成共混物,并进行微相分离和自组装,然后将共混物放置到超声装置中,利用超声波辅助,使自组装微粒直径和位置分布相对均匀,形成用于刻蚀微纳结构的微掩模。最后利用湿法腐蚀,在LED的GaP窗口层上制作出纳米结构的粗化层。通过SEM、显微镜手段,优化了刻蚀条件。测量了器件的光强、光功率以及I-V曲线,结果表明,使用高分子自组装进行粗化,可以在保持电压及波长特性的条件下,提高光输出功率19.3%。     

GaN基紫外光电探测器的材料制备及器件优化研究进展(续)

5 新型GaN基紫外探测器 近年来,利用GaN异质结场效应晶体管的二维电子气(2DEG)易受表面态控制的特征而兴起的GaN基HEMT探测器,其所具有的灵敏度高、响应速度快、适于极端环境等优点,为实现高性能光电探测器提供了新思路[107].此外,光电器件中的表面等离激元和表面声波(surface acoustic wave,SAW)等[108]与光子间耦合振荡导致的局部势场增强和散射效应,有效增加了探测器的光谱响应,逐渐成为探索具有高响应度、高探测率GaN光电探测器的研究热点方向.     

Effects of rapid thermal annealing on ohmic contact of AlGaN/GaN HEMTs

工艺制作源漏电极为Ti/Al/Ti/Au,并在氮气气氛中对其进行快速退火,研究不同退火条件对欧姆接触的影响。具体实验过程如下：将溅射好源漏电极的外延片分为5部分,其中3片分别在700℃,750℃和800℃下快速退火30s,并相互对比得出最佳退火温度,实验结果发现750℃条件下欧姆接触最好;其余2片在750℃下分别退火25s和40s,并与前边实验750℃ 30s情况下欧姆接触比较,得出最佳退火时间为30s。我们使用传输线模式计算出电极与外延片的欧姆接触电阻率,在750℃ 30s的快速退火条件下得到最低欧姆接触电阻率为0.54 Ω mm,与其余条件下结果比较具有较好的表面形貌和边缘。从实验中我们也得到随着退火温度和退火时间的提高,欧姆接触电阻率先降低到达最低点然后开始升高的现象,为寻找GaN HEMT欧姆接触最佳条件提供了一定依据。