偏置条件对双极晶体管位移辐射损伤的影响

选用35 MeV Si离子,针对NPN及PNP型双极晶体管(BJT)进行辐照实验,探究重离子辐照条件下双极晶体管辐射损伤及缺陷在不同发射结偏置条件下的影响规律。通过原位测试不同偏置条件的双极晶体管电流增益等参数随辐照注量的变化关系,研究了发射结偏置条件对双极晶体管辐射损伤的影响。此外,采用深能级瞬态谱(DLTS)针对辐照后的双极晶体管进行了测试,得到了双极晶体管内的辐射缺陷信息。基于电性能测试和DLTS分析结果可以看出,双极晶体管辐照时所施加的偏置条件能够明显地影响器件的电性能参数和器件内的深能级缺陷浓度,不同类型的缺陷对于电性能的影响也存在明显差异。     

氢气气氛下横向PNP晶体管电离损伤行为

无论氢在电子器件内部以何种形式(H2分子、H原子或H+离子)存在,均会对电子器件电离损伤产生作用,进而影响器件的抗辐照能力。本文深入研究了氢气和空气气氛条件下1 MeV电子辐照栅控横向PNP(GLPNP)型双极晶体管的辐射损伤缺陷演化行为。利用Keithley 4200SCS半导体参数测试仪对不同气氛下辐照过程中晶体管进行在线原位电性能参数测试,研究晶体管电性能退化与电子辐照注量和氢气深度之间的关系;基于栅扫技术(GS)和深能级瞬态谱技术(DLTS),研究双极晶体管中氢诱导电离损伤缺陷演化的基本特征。研究表明,与空气气氛相比,氢气气氛下电子辐照导致GLPNP的基极电流增加显著,而集电极电流明显降低,产生更多的氧化物电荷和界面态,这些现象均说明氢气加剧双极晶体管的电离辐射损伤。     

低能质子辐射硬质硼硅玻璃的模拟计算

为获得低能质子辐射时硬质硼硅玻璃的损伤特征,利用蒙特卡罗(MC)计算程序--SRIM模拟了入射质子在硬质硼硅玻璃中产生的电离和非电离能损.模拟结果表明:能量为40～200 keV的质子损伤主要发生在表面;电离能损是能量损失的主要形式,峰值能量为80 keV;非电离能损随能量降低而增大,导致氧、硅和硼等空位型缺陷的产生;...     

复合材料缠绕压力容器缠绕过程模拟

为了提高复合材料缠绕压力容器缠绕工艺效率及优化缠绕过程,研究并设计了复合材料缠绕压力容器缠绕过程的模拟软件.模拟软件主要包括两个模块:缠绕设计模块和模拟模块.模拟模块中,通过在几何空间和色彩空间,描述纤维缠绕压力容器成型工艺的芯模、落纱点、悬纱、丝头的运动规律和运动轨迹,形成动态画面,直观地反映出缠绕过程中落纱、纱线排布、悬纱、芯模和丝头运动以及线形变化,显示出纤维缠绕成型的全部过程.该模拟软件的建立,有利于加深对复合材料缠绕压力容器缠绕工艺过程的理解.     

复合芯材夹芯结构成型工艺研究

为了改善复合材料夹芯结构中芯材与面板界面结合强度,研制了一种新型夹芯结构,即复合材料柱/泡沫塑料复合芯材夹芯结构.该结构中用过渡层取代胶结层,使芯材和面板为一体,芯材由泡沫塑料和柱结构组成,其中柱结构是与面板同材质的纤维增强复合材料.通过该夹芯结构的芯材结构设计、加工工具的设计、加工工艺设计,使增强材料在法向上植入芯材中,并与上下面板的增强材料连通.由于在同一个工艺过程中固化成型,构成一个整体,没有界面,从根本上改善了面板与芯材之间粘接性能薄弱问题.试验结果表明,该结构具有较高的抗层间剪切、抗平压、抗剥离及抗疲劳性能.     

航天器材料及器件地面模拟试验数据库系统设计与实现

针对航天器材料及电器元件地面模拟试验数据资源的汇聚与共享,提出航天器材料及器件地面模拟试验数据库系统的设计与实现。根据地面模拟试验数据库系统的业务需求和技术指标制定设计方案,基于B/S架构,采用VUE.js、EXT.js、JAVA、Python等框架或技术语言进行开发。通过对系统的开发和测试,实现了数据汇聚、数据组织与存储、数据分析、数据提取、信息共享等功能,具备展示形式丰富多样化、分析算法自定义以及数据提取智能化等特点,验证了设计方案的可行性。地面模拟试验数据库系统满足对航天器材料与电器元件的基本性能参数数据和试验/仿真数据的大批量收录要求,提升了试验数据服务水平,对于相关领域的数据库系统设计具有一定的参考价值和借鉴意义。