SBT铁电薄膜及其脉冲准分子激光制备

采用脉冲准分子激光沉积法在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上成功地制备了ＳＢＴ铁电薄膜，发现存在一个最佳沉积衬底温度约为４５０℃。在该温度下沉积的ＳＢＴ薄膜具有较饱和的方形电滞回线，其剩余极化Ｐｒ和矫顽电场Ｅｃ分别为８．４μＣ／ｃｍ２和５７ｋＶ／ｃｍ。     

脉冲激光沉积SrBi2Ta2O9铁电薄膜电容特性研究

用ＰＬＤ方法成功地制备了ＳＢＴ铁电薄膜，并制作成Ｐｔ／ＳＢＴ／Ｐｔ薄膜电容器。ＳＢＴ薄膜的晶面取向以（００８）和（１１５）为主。在５Ｖ电压下，极化反转，并且得到较饱和的电滞回线，剩余极化强度和矫顽电场分别为８４μＣ／ｃｍ２和５７ｋｖ／ｃｍ。ＩＶ特性测试显示两个对称的双稳峰，并得到零电压下，面积为３１４×１０４μｍ２，厚度为０３５μｍ的电容器，电容约为５６０ｐＦ，介电常数约为６００。疲劳测试表明Ｐｔ／ＳＢＴ／Ｐｔ具有优良的抗疲劳特性。     

层状类钙钛矿结构铁电薄膜的禁带宽度及红外吸收研究

用ＡｒＦ准分子脉冲激光沉积法（ＰＬＤ）在石英玻璃衬底上制备均匀透明的ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９铁电薄膜．紫外透射光谱研究表明在波长为３７０～９００ｎｍ范围薄膜具有很好的透光性,在３２０ｎｍ处有一陡峭的吸收边,由半导体理论计算得到薄膜的禁带宽度为３．２５ｅＶ,ＦＴＩＲ红外光谱研究表明薄膜晶格振动的特征频率约为２．４×１０１３Ｈｚ．     

快速热退火对纳米晶粒SnO2薄膜性质的影响

以SnCl2·2H2O及无水乙醇为原料,利用溶胶-凝胶法在快速热退火下制备了SnO2纳米薄膜,研究了快速热退火(RTA)对SnO2薄膜性质的影响.采用X射线衍射谱(XRD)、扫描电子显微镜(SEM),研究了薄膜的晶粒尺寸、微结构、表面形貌与快速热退火条件的关联,用傅里叶变换红外光谱(FT-IR)和光致发光研究了薄膜的光学性质.结果表明,快速热退火(RTA)温度对薄膜的光学性质、晶粒尺寸和薄膜的结构形态均有较大的影响.     

非晶态铁电薄膜的铁电相转变

用ＡｒＦ脉冲激光在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上合成了非晶态ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９铁电薄膜,研究了铁电相转变。采用常规热退火、激光诱导和低温高压水热法使非晶态ＳＢＴ薄膜发生铁电相转变。     

铁电薄膜SrBi2Ta0．6Nb1．4O9的光疲劳特性研究

用PLD方法在铂金硅衬底制作了高质量的SrB i2Ta0.6Nb1.4O9(SBTN)铁电薄膜样品.研究了SBTN薄膜的电学和光学疲劳特性,分析了其机制.结果显示SBTN铁电薄膜,在电场疲劳下,具有无疲劳特性的优良电学性质;然而,在0.9 V电场下,用200W汞灯疲劳样品,发现光诱导极化疲劳明显,与疲劳前相比,剩余极化下降了51%.这种光诱导剩余极化减小的疲劳,主要机理是光生载流子电畴钉扎.     

Highfield effects of layered perovskite ferroelectric thin films

Ｉｎｒｅｃｅｎｔｙｅａｒｓ,ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃｔｈｉｎｆｉｌｍｓａｎｄｔｈｅｉｒａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｈａｖｅｂｅｃｏｍｅｏｎｅｏｆｔｈｅｐｏｐｕｌａｒｒｅｓｅａｒｃｈｆｉｅｌｄｓｉｎｃｏｎｄｅｎｓｅｄｐｈｙｓｉｃｓａｎｄｓｏｌｉｄｓｔａｔｅｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ[1,2].Ｅｓｐｅｃｉａｌｌｙｔｈｅｒｉｓｅｏｆｐｈｙｓｉｃｓｏｆｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃｔｈｉｎｆｉｌｍｓａｎｄｉｔｓａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｆｏｒｓｏｌｉｄｓｔａｔｅｆｕｎｃｔｉｏｎｄｅｖｉｃｅｓｈａｖｅｐｕｓｈｅｄｔｈｅｒｅｓ…     

用溶胶-凝胶法制备的Cu2Bi2Cr2O8薄膜 及其光学和铁磁性能研究

以硝酸铜Cu(NO₃)₂·3H₂O、硝酸铬Cr(NO₃)₃·9H₂O、硝酸铋Bi(NO₃)₃·3H₂O和乙二醇为原料,利用溶胶-凝胶工艺在石英衬底上制备了纳米Cu₂Bi₂Cr₂O₈薄膜。通过X射线衍射(X-Ray Diffraction, XRD)和拉曼测试对样品进行了表征。结果表明,Cu₂Bi₂Cr₂O₈薄膜具有良好的光学特性,其禁带宽度为1.49 eV;在磁性测试方面,Cu₂Bi₂Cr₂O₈薄膜呈现出了良好的铁磁性。     

层状钙钛矿铁电薄膜中铁电极化子研究

用PLD方法在铂金硅衬底制作了高质量的SrBi2Ta2O9(SBT)铁电薄膜样品．在10到300K的低温范围，研究了SBT薄膜的电子输运特性，分析了其传导机制．结果显示在SBT铁电薄膜中存在两种导电机制．根据SBT层状结构，两种导电机制分为：被限制在Bi—O层内的内输运，和能够穿过Bi—O层的外输运．首次观察到作为内传导载流子的铁电极化子的电输运行为．在SBT薄膜中铁电极化子的热激活能Eα～0．0556eV．研究结果为SBT薄膜具有极低漏电流提供了一种解释．